2003年博士入学考试专业基础试卷 qp {~OW3
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1. 请解释下列名词 5= V 29
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 yq!peFu
2. 试推导体心格子的消光规律 Gp=V%w\FDW
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 5sSAH
4. 简述相图在晶体生长中的应用 ^!$=(jh.
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 8 mt#S
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 .g 94|P
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 op 3a*KG
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) Kd\d>&b
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) HY;kV6g{P
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） 3 K q /V_
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） _|{Z850AS
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） g ;X K3R
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷
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（每题20分，任选5题，也可全做） -Ir>pY\!
1. 请解释下列名词 yCkX+{ki
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 rC_saHo>#R
2. 试推导一种底心格子的消光规律 eU.C<Tv :8
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 h 92KU
4. 简述相图在晶体生长中的应用 4YoQ*NQw-
5. 请简述晶体中的主要缺陷 \GKR(~f
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 N#@v`S
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 8~T=p:z'
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) HVzkS|^F
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分)
4UK>Vzn
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） ='@ k>Ka+
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） h"'}Z^
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） wWSE[S$V
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 IkxoW:L
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第一部分： ly6 dl
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） x(p/9$.#
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. P>^$ X
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ =@q,/FR-
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 B\l 0kiNT
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， lR mV
eq:
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； K@/dQV%Z
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； _H-Fm$Q
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 .F[5{XV
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 P0U&+^W"9
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 ?6L8#"=
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第二部分： }mI0D >n
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） fzAkUv
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1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 q'IMt7}
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 } :gi<#-:G
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ }_H\ 75Iv
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 VuN#j<H
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 KT AQ6k
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ 6E(..fo:"
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ 0%,?z`UY
8. 简述超导体的两个主要特征。
