2003年博士入学考试专业基础试卷 zSjgx_#U
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1. 请解释下列名词 BZ F,=v
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 r[Z q 3
2. 试推导体心格子的消光规律 fV ZW[9[
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 hWcTI{v
4. 简述相图在晶体生长中的应用 I*1S/o_xI
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 o+g4p:Mf
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 9|!j4DS<
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 vg8O]
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（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) d A#{Cn;
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) _q Tpy)+
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） S>ugRasZ $
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） mPmB6q%)]
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） WS I
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 Dc FCKji
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（每题20分，任选5题，也可全做） K ~>jApZ%
1. 请解释下列名词 9!t4>
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 $au2%NL
2. 试推导一种底心格子的消光规律 ]A!.9Ko}u
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 y-cw~kNPP3
4. 简述相图在晶体生长中的应用 `Ei"_ W
5. 请简述晶体中的主要缺陷 A ^B@VuK
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 A! ;meVUs
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 >}F? <JB
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) YZ[%uArm
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) !Y%D
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（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） =QiT)9q)
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） nO@+s
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（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） sfC@*Y2XT
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 ;xW{Ehq-h
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第一部分： /'+4vXc@
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） k6g| 7^es2
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. S&|VkZR)
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ R`7n^,
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 Q=XA"R
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ，
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? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； z9fNk%
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； Hf.xd.Yw
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 |lHFo{8"
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 n% U9iwJ.
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 k7b(QADqUU
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第二部分： 1YFAr}M
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） >VypE8H]x
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 Rgs3A)[`d/
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 *+&z|Pwv[^
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ TLX^~W[gOm
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 (J/>G y)d
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 @],Z 2
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ jf2y0W>6s
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ O&F< oM
8. 简述超导体的两个主要特征。
