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主题 : 中国科学院物理所考博固体物理试题4套
级别: 初级博友

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楼主  发表于: 2008-01-27   

中国科学院物理所考博固体物理试题4套

希望斑竹给点威望值鼓励一下:) Pxqiv9D<R  
qU-!7=}7  
第一部分 (UGol[f<  
(共6题,选作4题,每题15分,共计60分;如多做,按前4题计分) [zQ WyDu  
p,;mYms  
1.     从成键的角度阐述 Ⅲ-Ⅴ 族和 Ⅱ-Ⅵ 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。 L,$3Yj  
2.     请导出一维双原子链的色散关系,并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。 !R6ApB4ZI  
3.     从声子的概念出发,推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足T3关系。 %'0&ElQ  
4.     设电子在一维弱周期势场V(x)中运动,其中V(x)= V(x+a),按微扰论求出k=±π/a处的能隙。 =Dk7RKoHF  
5.     假设有一个理想的单层石墨片,其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支,分别是ω=c1k,ω=c2k,ω=c3k(其中c1,c2和c3(π/a)是同一量级的量,a是晶格常数)。 nvt$F%+  
1)试从Debye模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系,并作图定性表示其函数行为; SO3cY#i z"  
2)已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子,试定性讨论电子在k空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。 _B[WY  
6.     画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图,注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度,写出共晶和包晶反应式。 `%=<R-/#7S  
Za%LAyT_s  
第二部分 4,~tl~FD  
(共9题,选做5题,每题8分,总计40分;如多做,按前5题计分) OKAkl  
=|,A%ZGF$  
1.     从导电载流子的起源来看,有几种半导体? jct./arK  
2.     举出3种元激发,并加以简单说明。 /2XW  
3.     固体中存在哪几种抗磁性?铁磁性和反铁磁性是怎样形成的?铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点? O%g\B8 ;  
4.     简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点,用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度? rwgsXS8W6  
5.     利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T线性关系。 "!KpXBc,>  
6.     超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为μ0Hc2(T),这里Hc是超导体的临界磁场,说明在无磁场时的超导相变是二级相变,而有磁场时的相变为一级相变。 {/|qjkT&W  
7.     什么是霍耳效应?何时会出现量子霍耳效应? 6Dst;:  
8.     假设一体心立方化合物的点阵常数为a,写出前5条衍射线的晶面间距d值。 n8u*JeN  
9.     简述晶体中的各种缺陷。 %4,?kh``D  
<2<87PU  
2003年博士入学考试专业基础试卷 e&1 \'Zq?>  
1'O0`Me>#  
1.     请解释下列名词 B4Lx{u no  
(1)     声子(2)布里渊区(3)螺旋轴(4)晶体色心(5)结构因子 |=5/Rax^  
2.     试推导体心格子的消光规律 hO( RZ '{  
3.     画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图,注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 o`6|ba  
4.     简述相图在晶体生长中的应用 Yb:pAzw6  
5.     简述影响多晶X射线衍射强度的因素 KDTDJ8  
6.     试列出三种重要的功能材料并简述其性能 .:9s}%Z r  
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 Qf@iU%G  
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) !p[`IWZ  
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) \#6Fm_b] u  
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) 98=la,^$  
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) L`[z[p {?  
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) `.v(fC  
p]ivf  
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 X G 0v  
vAi$ [p*im  
(每题20分,任选5题,也可全做) ,t,wy37*D  
1.     请解释下列名词 0LL c 1t>}  
(1)     二级相变(2)布里渊区(3)滑移面(4)无公度结构(5)结构因子 '{[),*nCn  
2.     试推导一种底心格子的消光规律 KnzsHli,~k  
3.     请举例说明固溶体的类型及其测定方法 =6T 4>rP  
4.     简述相图在晶体生长中的应用 xf,5R9g/  
5.     请简述晶体中的主要缺陷 M+xdHBg  
6.     试列出三种重要的功能材料并简述其性能 Q@QFV~  
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 11UB4CA  
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) %XTA;lrz  
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) ..<3%fL3  
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) Q-eCHr)  
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) cAuY4RV  
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) ZafboqsDL  
N "Wqy  
2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 .v\\Tq&"|  
,mFsM!|  
第一部分: >-)h|w i  
(共6题,选做4题,每题15分,总计60分。这部分只能选做4题,如超出规定范围,阅卷时按前4题计分。) ,/,9j{|"j  
1.写出七大晶系,并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子(Bravais Iattice). -kj< 1~YW  
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? d- E4~)Qy  
3.简单推导布洛赫(Bloch)定理。 F%/ h*  
4.对于一个二维正方格子,晶格常数为a, = +Xc4a  
   在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区; XcfKx@l  
    画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线; !<\Br   
   画出其态密度随能量变化的示意图。 6oL1_)  
5.晶体中原子间共有多少种结合方式?简述它们各自的特点。 "ZMkL)'7-  
6.推导低温及闲暇的热容量表达式(表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数)。 q/&y*)&'O  
&h~aChJ  
^ 4hO8  
第二部分: j 6)Y   
(共8题,选做5题,每题8分,总计40分。这部分只能选做5题,如超出规定范围,阅卷时按前五题计分。) K k[`dR;  
1.     简述晶体中主要缺陷类型(至少答三种)。 qr(`&hB-L  
2.     在一维周期场近自由电子模型近似下,格点间距为a,请画出能带E(k)示意图,并说明能隙与哪些物理量有关。 2WBq  
3.     简述大块磁体为什么会分成许多畴,为什么磁畴的分割不会无限进行下去?  _^t-9  
4.     简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 W{"XJt_  
5.     写出相律的表达式及其各参数的意义。 3Rv7Qx  
6.     简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关? @,H9zrjVFZ  
7.     简述半导体的导电机理,分析其电导率的温度关系? 40P) 4w  
8.     简述超导体的两个主要特征。
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沙发  发表于: 2008-02-17   
谢谢啊,辛苦了!
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