中科院物理考博-2006固体物理试题

中国科学院物理研究所 $#9;)8J  
2006年招收博士研究生入学考试试题 z`f( $t[  
考试科目：固体物理 U@uGNMKR  
1.填空题 a%/9v"}  
①．NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 2fn&#kw/  
②.在低温，金刚石比热与温度的关系是 'h|DO/X~L  
③.高压晶体体积变小，能带宽度会 r\'A i6  
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 iJ1"at  
2.推导bloch定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。 iTgt}]L  
3.推导出一维双原子的色散关系。 0"  
4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。 oAODp!_c  
5.某面心立方晶体，其点阵常数为a K *LlW@  
①画出晶胞，（１，１，１），（２，２，０），（１，１，３）晶面； -#u=\
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②计算三面的面间距； 'YmIKIw  
③ 说明为什么（１，０，０）晶面衍射强度为零。 ?PeJlp
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6.　重费米系统、接触电势、安德森转变。   mHdA2  
７．为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？ S&Zm0Ku  
８．硅本征载流子浓度为９．６５×１０９ｃｍ－３，导带有效密度为２．８６×１０１９ｃｍ－３，若掺入每立方厘米１０１６的Ａｓ原子，计算载流子浓度。 Yvw(tj5_5  
９．磁畴 &^ 1$^=  
１０．原激发 O_oPh]x)  
１１．对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Ａｌ为例，给出理想金属对的反射率Ｒ随频率的变化（公式、频率值、示意图） Y!-M_v/  
１２．分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。 &Cr:6W@A  
１３．试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。 }~e8e 
 
１４．试根据超导Ｂ＝０，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 #+Ir>GU  
１５．论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。