半导体曾经考过的题目： '
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1） 已知杂质浓度秋费米能级 (H7q [UG|
2） 已知si的晶格常数求其密度 ]MyWB<9M
3） 缺陷的分类方式 ;pJ7k23(
4） 载流子自由时间，自由程 MG|NH0k
5） 突变异质结耗尽层宽度于什么有关 $=
g v
6） 耗尽层宽度最大电场（要熟记一些基本的常数值，例如施敏的书上的附录E） hO8B]4=&*
7） 费米能级意义，导出导带电子浓度 mb/Y
8） 画出MOS能级图，反型时电荷，电场，电势分布 H4U;~)i
9） 金属，半导体，绝缘体能带结构，电子填充分布 a"EXR-+8
10） 费米能级位置计算 e>/PW&Z8Z
11） 你所知道的红外器件，工作原理，改进之处（07秋博试题） =6'A8d
12） 求电子漂移速度，扩散系数，电场作用下的τ时间内的运动距离（一般有条件的） TAP
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13） 测量缺陷能级的方法 Ty>`r n
固体物理考过的题目 -<.>jX
1) d导体，绝缘体，半导体的结构，能带以及其本质性质 =d 9%ce
2) 为什么能带结构用两条直线表示？指的是什么状态？物质的结合类型有哪些？简要说明器性质和特点。 *<KY ^;
3) 半金属的能带结构？ x
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4) 什么叫半导体的本证吸收？推导长波极限和Eg的关系，已知HgCdTe的Eg=0.1eV,求长波极限，此长波极限对应的频率属于电磁波谱中的什么频段？ ]C_6I\Z#=W
5) 什么叫自由载流子的光吸收？为什么说其为一个二级过程? rz4S"4
6) 什么叫异质结？其有什么重要性质及其应用？ b8O:@j2
7) 简述当代固体物理学的分支及其发展概况？ MYu -[Hg
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以上尽是一小部分，固体物理大部分考半导体物理知识，半导体物理主要考器件知识。 -) w/nq
固体物理可以黄昆的前七章，和上海出的前言部分以及刘恩科的半导体物理学 gZ 9<H q
半导体物理：看施敏的半导体器件物理与工艺就够了 @D%VV=N~[
