| nanafly |
2008-01-23 23:54 |
华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 nnlj#
F`=p/IAJK
第一篇MOS 逻辑集成电路 >`QBN1 Y
=4TQ*; V:
MOS晶体管工作原理 EKc<|e, F
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 "&L8d(ZuA
VH7t^ fb
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 y_P A9#v7
A %w9Da?B
1.3 MOS晶体管的电流方程 +!).'
7cc^n\c?Y
1.4 MOS瞬态特性 #p+iwW-
eP~bl
MOS器件按比例缩小
bRo<~ rp%
2.1 按比例缩小理论 :.PA(97x b
[ $3+5K#
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 UfW= /T
^f[6NYS?
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 . 0dGS
<B @NSj
2.4 VLSI发展的实际限制 F:/x7]7??Z
|E~c#l V
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 [kg^S`gc#
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 }u#3 hYa
hp f0fU
3.2 CMOS IC 工艺流程 9]Jv
>_W*
W" =l@}I
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 Y:CX RU6eD
8#! g;`~ D
CMOS反相器和CMOS传输门 @ ]u @e4T
4.1 CMOS反相器的直流特性 Tm^kZuT{
$SQ$2\iC
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 GVhqNy
s.4+5rE
4.3 CMOS 反相器的功能 &G2&OFAr]q
n1%2 sV )>
4.4 CMOS反相器设计 f 2 ~Aug
8S pG/gl"
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ;PaU"z+Je~
OROvy
4.6 CMOS传输门 ? Uq"zq
A~xw:[zy$a
CMOS静态逻辑电路设计 )bM ,>x
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 yH( 'Vl
3qTr|8`s
5.2 CMOS与非门的分析 z~2{`pET
e-*@R#x8+
5.3 CMOS或非门的分析 j-d&4,a:c
2|x
!~e.
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 \v&zsv\B@
pO *[~yq5
5.5 组合逻辑电路的设计 a X1b(h2
fY^CI b$Y
5.6 类NMOS电路 -i?gY F!G
w71 YA#cg
5.7 传输们逻辑电路 /e"iY F
inh:b .,B
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 46]BRL2 G
9h|6"6
动态和时序逻辑电路设计 #f"eZAQ {
6.1 动态逻辑电路的特点 S3/%;=|
MrzD
ah9UG
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 )Zr\W3yWX
<oJ? J^
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 2*Qi4%s#
$M)SsD~
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 2$ Xof
+rU{-`dy9'
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 q;bw }4
|`
~io F
6.6 CMOS触发器 IQU1 JVk Z
Bc.de&Bxz_
6.7 时序逻辑电路 Hk;;+ '-
[3bPoAr\
输入、输出缓冲器 VOD-<
" |
7.1 输入缓冲器 <qfAW?tF
4_5f4 %S
7.2 输入保护电路 0e<>2AL
<[\I`kzq
7.3 输出缓冲器 1Sz tN3'q
f$QkzWvr
7.4 脱片输出驱动级的设计 }O7sP^
m6 [
}KkW
7.5 三态输出和双向缓冲器 ya1
aWs~
Y
f!O o
MOS存储器 Qu[QcB{ro-
8.1 DRAM jbipNgxkr
V3ht:>c9qs
8.2 SRAM N<i5X.X
yn}Dj9(q
8.3 ROM和PLD u ,3
B[
}},0#Ap
MOS IC的版图设计 _M/N_Fm
9.1 VLSI的设计方法 z.8 nYL5^}
$,@}%NlHc
9.2 门阵列和标准单元设计方法 pZ'q_Ou x
qZ^
PC-
9.3 版图设计 u
X1;
{EvT7W
SOICMOS简介 I9 z
s
10.1 SOI CMOS工艺 ldUZ\z(*
nQmHYOF%
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 3h:~NL
\ji\r ]k
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 sMGo1pG(
? Vd~
BiCMOS电路 x3cjyu<K
11.1 MOS和双极型器件性能比较 >[aR8J/U
G^t)^iI"'
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 _jG|kjFTc
a
C[G_ACwc
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 XiTi3vCe
1"Oe*@`pV
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 ?YR;o4
76rv$z{g^
11.5 BiCMOS电路实例 Gt#r$.]W?o
HNS^:X R
MOS 逻辑集成电路（续） \)/qCeiZ
nMOS逻辑集成电路 jdG2u
p
6-1 电阻负载MOS倒相器 c
qCNk
b\E D<'
6-2 E/E MOS 倒相器 "qq$i35x
uuEvH<1
6-3 自举负载MOS 倒相器 qY8; k
#
n~6$CQ5dF(
6-4 E/D MOS 倒相器 #6\m TL4vg
s U`#hL6;
6-5 静态MOS电路 9ia&/BT7"z
6<W^T9}v@/
CMOS集成电路 e=VSO!(rY
7-1 CMOS 倒相器 sC\?{B0 r
L-E &m* %
7-2 CMOS传输门 ]~ ]TZb
wqDf\k}'v
7-3 静态CMOS 电路 zqj|$YNC
E|9`J00
7-4 CMOS 门电路的设计 gH(#<f@ZI
{D8opepO)
7-5 CMOS电路中的锁定效应 #@ HlnF}T
bJMsB|r
动态和准静态MOS电路 OiA uL:D
8-1 栅电容的电荷存储效应 ,K}"o~z
&V+_b$
8-2 动态MOS倒相器 RDSC @3%
U Uz{Qm%
8-3 动态MOS电路 olQP>sa
vWmt<E|e
8-4 准静态MOS触发器 DC).p'0VL
mQVlE__ub
8-5 动态和准静态CMOS电路 yH:p*|% :
>{Ayzz>v
MOS集成电路的版图设计 On
O_7'4 t
9-1 MOS集成电路的工艺设计 DW,ERQ^
vx f09v{-
9-2 MOS集成电路版图设计 en|~`]HF
5I[:.o
0
9-3 MOS集成电路版图设计举例 MjQ>& fUK
sE]z.Po=
MOS大规模集成电路 8)iI=,T*
10-1 LSI电路中的CAD技术 GBZ u <t/
'S}3 lsIE
10-2 HMOS技术 !_+FuF"@
I3.JAoB>!
10-3 MOS存储器 g3' dkS!
]4c*Nh%
8
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 A] QGaWK
KRm)|bg E
10-5 半定制逻辑电路 ~
~WY?I-
kn $SG
模拟集成电路 9:%')M&Q
模拟集成电路中的特殊元件 c'?EI EP
11-1 横向pnp管 ORX<ZO t1
7a_u=\,
11-2 纵向pnp管 ,,j > 2Ts
^Hf?["m^@
11-3 超增益晶体管 GRj [2I7:
8:I-?z;S
11-4 隐埋齐纳二极管 &s n-;r
6 e,IjocsB
11-5 集成电路中的电容器 |w~*p
N0
G a$2o6
11-6 薄膜电阻器 LkF* $
;)f ,A)(Z
模拟集成电路中的基本单元电路 phA{jJy?
12-1 差分放大器 $W W7 ,
ze8 MFz 'm
12-2 恒流源电路和有源负载 AKLFUk
#Ph8 ?
12-3 基准源电路 "_rpErm
}
T.{]t6t$U
12-4 模拟开关 s }g di
oO
&%&;[/A
集成运算放大器 e9k$5 ps
13-1 运算放大器的基本概念 ! _ >/ r
j=Q ?d]
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿
$ JCOL
dqt}:^L*0g
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 C91'dM
vHymSU/J
13-4 µA741通用型运算放大器 V22Br#+
sU^K5oo
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 Y$hLsM\%
,I f9w$(z
模拟集成电 We"\nOP
14-1 集成电压 S U P
DT]3q4__Q
14-2 D/A转换器 ]MMXpj, 9h
<;Td8T;
14-3 A/D转换器 $4C siZ6
^S(["6OJ(
14-4 MOS模拟集成电路 w^ 8^0i-
-A"0mS8L
模拟集成电路的版图设计 >ufN[ab
15-1 模拟集成电路版图设计特点 3)dtl!VMW[
#|cr\\2*
15-2 模拟集成电路中的相容技术 i" M$hXO
Bp= BRl
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 M ~6k[ew
&K,rNH'R
2004.7.7
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