中国科学院物理研究所 z}@7'_iJ
2006年招收博士研究生入学考试试题 p[-O( 3Y
考试科目：固体物理 OPi 0~s
1.填空题 G3 m Z($y
①．NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 %$I;{ -LD
②.在低温，金刚石比热与温度的关系是 9z0p5)]n>
③.高压晶体体积变小，能带宽度会 VQs5"K"
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 ),)lzN%!
2.推导bloch定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。 u y+pP!<
3.推导出一维双原子的色散关系。 I|OoRq
4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。 ~[
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5.某面心立方晶体，其点阵常数为a ZC ?Xqp
①画出晶胞，（１，１，１），（２，２，０），（１，１，３）晶面； O2+ 6st
②计算三面的面间距； H::bwn`Vc
③ 说明为什么（１，０，０）晶面衍射强度为零。 /efUj kP
6. 重费米系统、接触电势、安德森转变。 k!^ {eOM
７．为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？ $j~RWfw-
８．硅本征载流子浓度为９．６５×１０９ｃｍ－３，导带有效密度为２．８６×１０１９ｃｍ－３，若掺入每立方厘米１０１６的Ａｓ原子，计算载流子浓度。 df=f62
９．磁畴 {I ((p_
１０．原激发 DH=hH&[e(d
１１．对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Ａｌ为例，给出理想金属对的反射率Ｒ随频率的变化（公式、频率值、示意图） NHt\
U9l'
１２．分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。 0_/[k*Re
１３．试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。 l}h!B_P'
１４．试根据超导Ｂ＝０，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 _g8yDfcLG
１５．论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。
