中科院物理考博-2006固体物理试题

中国科学院物理研究所 &ZkY9XO  
2006年招收博士研究生入学考试试题 ,`4chD  
考试科目：固体物理 *$U+  
1.填空题 f9+J}  
①．NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 $P=B66t ^  
②.在低温，金刚石比热与温度的关系是 cr}T ? $\K  
③.高压晶体体积变小，能带宽度会 yH\3*#+  
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 }}R?pU_  
2.推导bloch定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。 nFRU-D$7  
3.推导出一维双原子的色散关系。 ]4{ )VXod  
4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。 DC&3=Nd  
5.某面心立方晶体，其点阵常数为a Qs38VlR_m  
①画出晶胞，（１，１，１），（２，２，０），（１，１，３）晶面； d|P,e;m-  
②计算三面的面间距； .G ^-.p  
③ 说明为什么（１，０，０）晶面衍射强度为零。 'H19@b5rx  
6.　重费米系统、接触电势、安德森转变。 7H$I9e  
７．为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？ 6MewQ{hi  
８．硅本征载流子浓度为９．６５×１０９ｃｍ－３，导带有效密度为２．８６×１０１９ｃｍ－３，若掺入每立方厘米１０１６的Ａｓ原子，计算载流子浓度。 JJIlR{WY_  
９．磁畴 fX ^hO+f
 
１０．原激发 }9Th`   
１１．对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Ａｌ为例，给出理想金属对的反射率Ｒ随频率的变化（公式、频率值、示意图） n@TK}?\UoR  
１２．分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。 `u<\ 4&W  
１３．试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。 qjcPJ  
１４．试根据超导Ｂ＝０，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 Nldy76|g  
１５．论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。