中国科学院物理所考博固体物理试题4套

希望斑竹给点威望值鼓励一下：） u"s@eN  
o0}kRL  
第一部分 V7}]39m(s  
（共6题，选作4题，每题15分，共计60分；如多做，按前4题计分） m<liPl uv  
W Yo>Md 8  
1.     从成键的角度阐述 Ⅲ-Ⅴ 族和 Ⅱ-Ⅵ 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。 v BLs88  
2.     请导出一维双原子链的色散关系，并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。 a9N$I@bi]  
3.     从声子的概念出发，推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足T3关系。 ]]^r)&pox  
4.     设电子在一维弱周期势场V(x)中运动，其中V(x)= V(x+a)，按微扰论求出k=±π/a处的能隙。 9~5LKg7Ac  
5.     假设有一个理想的单层石墨片，其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支，分别是ω=c1k，ω=c2k，ω=c3k（其中c1，c2和c3(π/a)是同一量级的量，a是晶格常数）。 O/b1^ Y   
1）试从Debye模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系，并作图定性表示其函数行为； K3.z>.F'h  
2）已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子，试定性讨论电子在k空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。 "%
rzL.</  
6.     画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度，写出共晶和包晶反应式。 \ !qe@h<  
U_C[9Z'P  
第二部分 E0*62OI~O  
（共9题，选做5题，每题8分，总计40分；如多做，按前5题计分） @>q4hYF  
+#Ga}eCM  
1.     从导电载流子的起源来看，有几种半导体？ o\
N^Uu  
2.     举出3种元激发，并加以简单说明。
XYze*8xUb  
3.     固体中存在哪几种抗磁性？铁磁性和反铁磁性是怎样形成的？铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点？ 9|l6.$Me/  
4.     简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点，用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度？ 08_<G`r  
5.     利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T线性关系。 #Fckev4  
6.     超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为μ0Hc2(T)，这里Hc是超导体的临界磁场，说明在无磁场时的超导相变是二级相变，而有磁场时的相变为一级相变。 :4x&B^,53  
7.     什么是霍耳效应？何时会出现量子霍耳效应？ S76xEL  
8.     假设一体心立方化合物的点阵常数为a，写出前5条衍射线的晶面间距d值。 %*^s%NI  
9.     简述晶体中的各种缺陷。 c?}{>ig/)  
bC,SE*F\  
2003年博士入学考试专业基础试卷 :a*F>S!  
I3AxKA  
1.     请解释下列名词 >a)6GZ@  
（1）     声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 nnuJY$O;M  
2.     试推导体心格子的消光规律 >K 7]G?+7E  
3.     画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 -ze@~Z@  
4.     简述相图在晶体生长中的应用 uWkuw5;  
5.     简述影响多晶X射线衍射强度的因素 )AXa.y  
6.     试列出三种重要的功能材料并简述其性能 t]6 4=  
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 66'AaA;0^i  
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) J\Z\q  
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) ]64?S0p1c!  
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） *W<|5<<u@  
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） V3[>^ZCA  
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） 2rqYm6  
}O8#4-E_Ji  
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 YA@OA$`E  
4fau 9bW  
（每题20分，任选5题，也可全做） F2CoXe7  
1.     请解释下列名词 gg QI  
（1）     二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 ("_tML 8/p  
2.     试推导一种底心格子的消光规律 Q);^gV  
3.     请举例说明固溶体的类型及其测定方法 8\rHSsP  
4.     简述相图在晶体生长中的应用 Ng1uJa[k!d  
5.     请简述晶体中的主要缺陷 84YZT+TEN  
6.     试列出三种重要的功能材料并简述其性能 =@go;,"  
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 #AUa'qBt  
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) {9YNv<3  
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) roE*8:Y  
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） .RxAYf|  
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） NR Z>03w  
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） ?#_]Lzn'  
nh+f,HtSt  
2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 mLL?n)   
:
{KoZd  
第一部分： Oa|'wh ug  
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） h`,!p  
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. 4]3(Vyh`  
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ =)9@ rV&~  
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 0N19R5NN8  
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， h$~\to$C  
   在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； &o$Pwk\p/  
    画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； PK<+tIm\  
   画出其态密度随能量变化的示意图。 hIv8A_>@`  
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 XUp'wP  
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 ~i y]X:U  
0xQ="aXE  
Uc?#E $X  
第二部分： \tx4bV#  
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） p 3*y8g-  
1.     简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 :v>Nz7SB  
2.     在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 ij<6gv~ n"  
3.     简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ 1 ||\3
L/  
4.     简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 s35`{PR  
5.     写出相律的表达式及其各参数的意义。 ^E^Cj;od@  
6.     简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ M'D l_dx-  
7.     简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ `oq][|  
8.     简述超导体的两个主要特征。

谢谢啊，辛苦了！