湖南大学半导体学院（集成电路学院）胡袁源教授课题组现面向2027级
博士研究生招收优秀学生，欢迎对半导体薄膜电子器件、半导体掺杂技术、神经形态计算等方向感兴趣的同学积极
联系。
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B|$T, Nnq1&j "m !;0K=~(Y^ 一、学院简介
<T &v\DN 73Hm:"Eqd -gUp/ #l1 湖南大学半导体学院（集成电路学院）面向集成电路及半导体领域的国家重大需求，以及湖南省电子信息重点产业的人才与技术需求，以支撑电子科学与技术、集成电路科学与工程等一流学科建设为目标，在新一代半导体技术、第三代半导体与功率器件、集成电路与智能系统、半导体传感器件及系统等方向开展科学研究、人才培养和社会服务。
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iu3L9UfL[ 学院拥有良好的科研平台、实验条件和学科交叉
环境，可为博士研究生开展高水平科研训练提供有力支撑。
dT[JVl+3= wE}Wh5 216$,4i 二、
导师简介
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1%$E b` va\ '&3 胡袁源，湖南大学教授、博士生导师，现任职于湖南大学半导体学院（集成电路学院），主要从事半导体电子器件领域的教学与科研工作。胡袁源教授为国家自然科学基金优秀青年基金获得者、湖南省青年百人计划入选者、湖南省杰出青年基金获得者、湖南大学岳麓学者。长期从事半导体器件与集成相关研究，主持和参与国家自然科学基金、科技部重点研发计划、湖南省重点研发计划等项目10余项，在 Nat. Commun.、Sci. Adv.、Adv. Mater.、Matter、Adv. Funct. Mater.、Nano Lett. 等期刊发表学术论文140余篇，申请国家发明专利20余件。
2_y]MXG+% >H ?k0M`L K6sXw[V C[ 课题组主页：
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https://www.x-mol.com/groups/hu_yy EC
1|$Co _^NyLI% cv G*p|| 三、研究方向
Fk^N7EJ:$ ,Aai-AGG@ /;Hr{f jl{ 课题组主要围绕半导体薄膜电子器件及其集成开展前沿研究，重点方向包括：
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9z 1. 半导体器件：聚焦薄膜晶体管与光探测器件的结构设计、机理研究与阵列化实现；
JWI Y0iP 2. 新型半导体掺杂技术：研究掺杂引入、载流子调控与界面效应，揭示掺杂物理机制；
Kk6=61} A 3. 神经形态计算：围绕人工神经元、人工突触与芯片集成，发展低功耗类脑硬件。
6(rN(C doOuc4 5af0- hj 四、招生对象与要求
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@f* }cr'o"4 N)G HQlgH 本次重点面向2027级博士研究生招生。欢迎物理、电子科学与技术、微电子、集成电路、
材料、半导体器件、
生物电子、传感器件等相关背景的同学联系。
w2'q9pB+ )Wr_*>xj tP7<WGHd/ 申请者建议具备以下条件：
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Q`& V< W;[#" 1. 满足湖南大学2027年博士研究生招生相关要求；
XhHgXVVGG< 2. 对薄膜电子器件、半导体掺杂技术、神经形态计算、生物电子、脑机接口相关传感器件等方向有浓厚兴趣；
Y~8 5Z0l 3. 具备良好的物理、电子、材料、微纳器件或相关学科基础；
~x \uZ^: 4. 具有良好的学习能力、科研潜力和英文文献阅读能力；
W.MZN4= 5. 具有较强的沟通能力、团队合作精神和科研主动性；
wW1VOj=6V" 6. 有相关科研经历、论文发表、实验经验，或具备器件制备、器件测试、电学测试、数据分析等经历者优先。
suwR`2 R ~kO5jpW Sv{n?BYq 五、招生人数
s@ @Km1w Ee2 P]4_d !SW0iq[7j 课题组拟招收2027级博士研究生1–2名。
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"7 Lz. khE< 具体招生名额、申请条件、报名时间和录取流程以湖南大学及学院当年发布的博士研究生
招生简章和相关通知为准。
|p&EP2?T .i RKuBM/ Lc{arhN 六、联系方式
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B I.jqC2G 有意申请者请将个人简历及相关材料发送至：
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Bdw 33z*m yhu@hnu.edu.cn GpeW<%
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)y,^M3$?C (?r,pAc: oZvG Kf 申请材料建议包括：
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1. 个人简历；
p@Y= 6 Bw 2. 本科及硕士阶段成绩单；
oFWb.t9< 3. 已发表论文或科研成果；
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英语成绩证明；
1hG # 5. 其他能够体现科研能力的材料。
' k,2 *.A YEx gUE| U N9hZ> 9 欢迎有志于薄膜电子器件、半导体掺杂技术、神经形态计算及相关半导体器件研究的优秀同学加入湖南大学半导体学院（集成电路学院）胡袁源教授课题组，共同开展前沿科学研究。
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