中国科学院物理研究所05、06招收博士研究生入学考试固体物理试题 ?@BaBU:o`F
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中国科学院物理研究所 .xQ'^P_q
2005年招收博士研究生入学考试试题 #Lt+6sa]2@
考试科目：固体物理 lSv;wwEg
第一部分 c] 9CN
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais lattice） 3\~fe/z'I
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? l{x#*~g a
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 i]WlMC6
4.对于一个二维正方格子，晶体常数为ａ， (j
Q6~1
*在其倒空间画图标出第一、第二、和第三布里渊区； D_kz R
*画出第一布里渊区中各不相同能量处的等能面曲线； 8pt
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*画出其态密度随能量变化的示意图。 `%:(IGxz
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 P[K
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6.推导低温极限下的热容量表达式（表示为温度、德拜温度、气体常数和必要的数字常数的函数） ~4gKA
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第二部分 l'8wPmy%N
1.简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 m|gd9m $,?
2.在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E（k）示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 `r$WInsDu
3.简述大块磁体为什么会分成许多畴？为什么磁畴的分裂不会无限进行下去？ N>\?Aeh
4.简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 V!tBipX%
5.写出相率的表达式及其各参数的意义。 -\v8i.w0
6.简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ ;P#*R3
7.简述半导体的导电机理。分析其电导率的温度关系。 o fv
1G=P
8.简述超导体的两个主要特征 6MQ:C'8T&=
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2006年招收博士研究生入学考试试题 ^P p FI
考试科目：固体物理 k;X1x65uP
1.填空题 /a)=B)NH
①．NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 'm R+W{r
②.在低温，金刚石比热与温度的关系是 izo
$0
③.高压晶体体积变小，能带宽度会 xK 'IsMo[
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 cNv c pv
2.推导bloch定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。 8iA(
:T b
3.推导出一维双原子的色散关系。 YN k|UwJi
4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。 ?QVI'R:Z?
5.某面心立方晶体，其点阵常数为a =1Jo-!{{
①画出晶胞，（１，１，１），（２，２，０），（１，１，３）晶面； 4
tTJE <y
②计算三面的面间距； N Q=YT
RU
③ 说明为什么（１，０，０）晶面衍射强度为零。 mr.DP~O:9p
6. 重费米系统、接触电势、安德森转变。 pB LO
７．为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？ !~v>&bCG>9
８．硅本征载流子浓度为９．６５×１０９ｃｍ－３，导带有效密度为２．８６×１０１９ｃｍ－３，若掺入每立方厘米１０１６的Ａｓ原子，计算载流子浓度。 F
tjm@:X
９．磁畴 #IDCCD^1=
１０．原激发 >^N :A
１１．对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Ａｌ为例，给出理想金属对的反射率Ｒ随频率的变化（公式、频率值、示意图） PD4E& k
１２．分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。 _r'M^=yx[
１３．试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。 {Wo7=aR
１４．试根据超导Ｂ＝０，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 H skN(Ho
１５．论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。
