中国科学院物理研究所05、06招收博士研究生入学考试固体物理试题 X0%BE!
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中国科学院物理研究所 |>=\
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2005年招收博士研究生入学考试试题 uGS^*W$
考试科目:固体物理 O9MBQNwjA
第一部分 F#\+.inO
1.写出七大晶系,并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子(Bravais lattice) \AB*C_Ri
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? x9H
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3.简单推导布洛赫(Bloch)定理。 ZZ F\;
4.对于一个二维正方格子,晶体常数为a, Hbz,3{o5
*在其倒空间画图标出第一、第二、和第三布里渊区; *",
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*画出第一布里渊区中各不相同能量处的等能面曲线; )]m_ L$9
*画出其态密度随能量变化的示意图。 }zV#?;}
5.晶体中原子间共有多少种结合方式?简述它们各自的特点。 k.w}}78N2N
6.推导低温极限下的热容量表达式(表示为温度、德拜温度、气体常数和必要的数字常数的函数) ,DWC=:@X
第二部分 38(|a5
1.简述晶体中主要缺陷类型(至少答三种)。 I}7=\S/@
2.在一维周期场近自由电子模型近似下,格点间距为a,请画出能带E(k)示意图,并说明能隙与哪些物理量有关。 u&ozc
3.简述大块磁体为什么会分成许多畴?为什么磁畴的分裂不会无限进行下去? vke]VXU9z
4.简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 &5;y&dh
5.写出相率的表达式及其各参数的意义。 ~qmu?5
6.简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关? _<G%
7.简述半导体的导电机理。分析其电导率的温度关系。 rlVo}kc7:
8.简述超导体的两个主要特征 pNR
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中国科学院物理研究所 9 k>=y n
2006年招收博士研究生入学考试试题 'P?DZE
考试科目:固体物理 HxH=~B1"P
1.填空题 Zr@G
①.NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 1f`=U0
②.在低温,金刚石比热与温度的关系是 h 66X746
③.高压晶体体积变小,能带宽度会 yS:1F
PA$_
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 yD9<-B<)
2.推导bloch定理;写出理想情况下表面态的波函数的表达式,并说明各项的特点。 tqo!WuZAj
3.推导出一维双原子的色散关系。 -"e$ VB
4.在紧束缚近似条件下,求解周期势场中的波函数和能量本征值。 Y4|g^>{<ni
5.某面心立方晶体,其点阵常数为a ,o)U9<
①画出晶胞,(1,1,1),(2,2,0),(1,1,3)晶面; \aO.LwYm;:
②计算三面的面间距; +vtI1LC;_
③ 说明为什么(1,0,0)晶面衍射强度为零。 +tXOP|X
6. 重费米系统、接触电势、安德森转变。 ?I`ru:iG
7.为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距? kDG'5X;+
8.硅本征载流子浓度为9.65×109cm-3,导带有效密度为2.86×1019cm-3,若掺入每立方厘米1016的As原子,计算载流子浓度。 grh
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9.磁畴 h}U\2$5
10.原激发 zz4A,XrD
11.对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Al为例,给出理想金属对的反射率R随频率的变化(公式、频率值、示意图) o[!g,Gmoh
12.分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系,写出表达式。 "HQH]?!k
13.试通过数据说明,为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时,采用垂直跃迁的近似是合理的。 AT{ewb
14.试根据超导B=0,推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 )ccdfSe
15.论述固体内部的位错类型,并且画出示意图。