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主题 : 物理所近几年固体物理考博题!
级别: 初级博友
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楼主  发表于: 2008-10-22   

物理所近几年固体物理考博题!

物理所2003年固体物理考博题! Iw( wT_  
2003年第一期固体物理 IuAu_`,Ndi  
T3"'` Sd9;  
第一部分 8f)pf$v`   
(共6题,选作4题,每题15分,共计60分;如多做,按前4题计分) GVn'p Wg  
%{:pBt:Z  
1.     从成键的角度阐述 Ⅲ-Ⅴ 族和 Ⅱ-Ⅵ 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。 }0@@_Y]CC  
2.     请导出一维双原子链的色散关系,并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。 xE!0p EHd  
3.     从声子的概念出发,推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足T3关系。 rLmc(-q  
4.     设电子在一维弱周期势场V(x)中运动,其中V(x)= V(x+a),按微扰论求出k=±π/a处的能隙。 ;/?w-)n?  
5.     假设有一个理想的单层石墨片,其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支,分别是ω=c1k,ω=c2k,ω=c3k(其中c1,c2和c3(π/a)是同一量级的量,a是晶格常数)。 '|5o(6u'  
1)试从Debye模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系,并作图定性表示其函数行为; r%X M`;bQX  
2)已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子,试定性讨论电子在k空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。 \.sC{@5K  
6.     画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图,注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度,写出共晶和包晶反应式。 e 6>j gy  
R~[~(`/S  
第二部分 }opMf6`w  
(共9题,选做5题,每题8分,总计40分;如多做,按前5题计分) k&f/f  
w{*V8S3h9  
1.     从导电载流子的起源来看,有几种半导体? 83'+q((<  
2.     举出3种元激发,并加以简单说明。 Vmh$c*TE  
3.     固体中存在哪几种抗磁性?铁磁性和反铁磁性是怎样形成的?铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点? CRNi*u  
4.     简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点,用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度? -J#RGB{7  
5.     利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T线性关系。 U,6sR  
6.     超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为μ0Hc2(T),这里Hc是超导体的临界磁场,说明在无磁场时的超导相变是二级相变,而有磁场时的相变为一级相变。 \QF0(*!!  
7.     什么是霍耳效应?何时会出现量子霍耳效应? |r)QkxdU,  
8.     假设一体心立方化合物的点阵常数为a,写出前5条衍射线的晶面间距d值。 $G }9iV7  
9.     简述晶体中的各种缺陷。 +( afO ~9  
Yl"CIgt  
"_dg$j`Y&&  
2003年博士入学考试专业基础试卷 Pi9?l>  
h7TkMt[l  
1.     请解释下列名词 aot2F60J,  
(1)     声子(2)布里渊区(3)螺旋轴(4)晶体色心(5)结构因子 Ty~z%=H  
2.     试推导体心格子的消光规律 WQiRbbX  
3.     画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图,注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 birc&<  
4.     简述相图在晶体生长中的应用 d8+@K&z|  
5.     简述影响多晶X射线衍射强度的因素 .8%b;b  
6.     试列出三种重要的功能材料并简述其性能 l`A&LQ[  
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 ScD E)r  
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) +,$pcf<[V  
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) }BL7P-km  
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) &n I>`Q'  
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) 33D2^ Sf6"  
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) +r;t]  
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 r%iFsV_  
>qr/1mW  
(每题20分,任选5题,也可全做) B9$f y).Gp  
1.     请解释下列名词 / j%~#@  
(1)     二级相变(2)布里渊区(3)滑移面(4)无公度结构(5)结构因子 #>,E"-]f  
2.     试推导一种底心格子的消光规律 +/RR!vG,  
3.     请举例说明固溶体的类型及其测定方法 (EosLn h0  
4.     简述相图在晶体生长中的应用 EQd<!)HZ  
5.     请简述晶体中的主要缺陷 K*b* ]hf{  
6.     试列出三种重要的功能材料并简述其性能 2Vf242z_  
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 p'%S{v@5((  
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) WG\ _eRj  
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) `sso Wn4  
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) } eHxw+.  
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) _Z9 d.-  
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) gt(p%~  
2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 ~TS!5Wiv  
YG :^gi  
第一部分: DbFe;3  
(共6题,选做4题,每题15分,总计60分。这部分只能选做4题,如超出规定范围,阅卷时按前4题计分。) %Y=r5'6l  
1.写出七大晶系,并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子(Bravais   Iattice). qGMU>J.;c  
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? AH/o- $C&  
3.简单推导布洛赫(Bloch)定理。 jN*wbqL  
4.对于一个二维正方格子,晶格常数为a, Bt,'g* Cs  
     在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区; ,]:< l  
    画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线; oQm XKV+[v  
     画出其态密度随能量变化的示意图。 z\ONw Ml  
5.晶体中原子间共有多少种结合方式?简述它们各自的特点。 V V}"zc^  
6.推导低温及闲暇的热容量表达式(表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数)。 PI`Y%!P  
|? fAe {*  
N '&>bO?@`  
-.M J3  
第二部分: JeNX5bXW  
(共8题,选做5题,每题8分,总计40分。这部分只能选做5题,如超出规定范围,阅卷时按前五题计分。) O#18a,o@  
1.     简述晶体中主要缺陷类型(至少答三种)。 WoGnJ0N q  
2.     在一维周期场近自由电子模型近似下,格点间距为a,请画出能带E(k)示意图,并说明能隙与哪些物理量有关。 O-W[^r2e  
3.     简述大块磁体为什么会分成许多畴,为什么磁畴的分割不会无限进行下去? q. Jx|x  
4.     简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 @ %L  
5.     写出相律的表达式及其各参数的意义。 Z]TQ+9t  
6.     简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关? biS[GyQ  
7.     简述半导体的导电机理,分析其电导率的温度关系? _Rx nB?  
8.     简述超导体的两个主要特征。
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