2003年博士入学考试专业基础试卷 22 'Ra[
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1. 请解释下列名词 Rl&nR$#
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 /dO*t4$ @?
2. 试推导体心格子的消光规律 w75Ro6y
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 #jJ0Mxg
4. 简述相图在晶体生长中的应用 lid0
YK-
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 nDcH;_<;9a
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 g/(BV7V
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 Z;S)GU G^
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) Fi/`3A@68
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) O`$\P lt|v
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） B}nT>Ub
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分）
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（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分）
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 hYh~%^0dt
X,c`,B03
（每题20分，任选5题，也可全做） Nv|0Z'M
1. 请解释下列名词 E62_k
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（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 =J"c'Z>.
2. 试推导一种底心格子的消光规律 =v0w\(
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3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 W7;RQ
4. 简述相图在晶体生长中的应用 c
$lZ\r"
5. 请简述晶体中的主要缺陷 Yg}b%u,Q
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 <Ql2
+e v6
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 qu^~K.I "
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) k)[c!\a[i
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) ]omBq<ox'Y
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） I0><IaFy
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） =GW[UnO
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） l IZ& '
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 lauq(aD_C
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第一部分： W`P>vK@=
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） :Rnwyj])
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. yqtaQ0F~
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ /"8|26
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 G'';VoW=
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， .>~er?-
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； {t.S_|IE
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； H<;~u:; 8Q
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 Y Xh!+}
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。
'H4?V
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 &}|`h8JA]K
JoZzX{eu"
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Z }Q/u^Z
第二部分：
!4<A|$mQ
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） 8rFP*K9
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 pp{GaC i
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 t<$J
3h/"
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ g!r) yzK
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 yF_/.m I
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 OECVExb@eH
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ J!dv"Ww"
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ &p* rEs
8. 简述超导体的两个主要特征。
