2003年博士入学考试专业基础试卷 Miw=2F
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1. 请解释下列名词 ?2da6v,t
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 6>#8 ^{[
2. 试推导体心格子的消光规律 kP [fhOpn
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 !Whx^B:
4. 简述相图在晶体生长中的应用 qGH [kd
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素
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6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 R[l`# I
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 oY0b8=[
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) WgR%mm^
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) 3bezYk
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） :3R3 >o6m
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） (nmsw6
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（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） U4-RI]Cpf
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 -f ~1Id
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（每题20分，任选5题，也可全做） Hs8JJGXWB
1. 请解释下列名词 !ck~4~J
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 +{ =U!}3|
2. 试推导一种底心格子的消光规律 qvo!nr7
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 PR!
0=E*}
4. 简述相图在晶体生长中的应用 k=kkF"
5. 请简述晶体中的主要缺陷 G)NqIur*Z
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 X6Z/xb@
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 b|k^
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) ;PG=
3j_
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) q%q +2P>
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） PE6,
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（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） g.!k>_g `
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） G#`
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 ucz~y! 4L{
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第一部分： x\ # K2
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） f$5pp=s: n
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. 8EJP~bt
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ [OOQ 0c~
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 u' kG(<0Y
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， Nc[N 11?O
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； bFL2NH 5
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； vN_ 8qzWk
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 9a+Y )?z
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 {"$ [MYi:
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 SvkCx>6/G
Ja&S_'P[
yD Zm)|<.
Y d~J(
第二部分： =<PEvIn
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） Qa:[iF
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 k$f2i,7'
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 km u`sk"
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ A1Uy|Dl
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。
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5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 ]2|fc5G'
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ T
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7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ @' M"c
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8. 简述超导体的两个主要特征。
