2003年博士入学考试专业基础试卷 B?-~f^*,jG
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1. 请解释下列名词 " iKX-VIl
(1) 声子(2)布里渊区(3)螺旋轴(4)晶体色心(5)结构因子 Uc?4!{$X
2. 试推导体心格子的消光规律 opQdym
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图,注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 I1TzPe
4. 简述相图在晶体生长中的应用 /.[;u1z"^
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 xpzQ"'be
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 IhRYV`:
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 UP*\p79oO
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) EE^
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(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) YXBU9T{r
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) M[Kk43;QY!
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) itp$c|{
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) 3=SN;cn
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 [T5z}!_y
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(每题20分,任选5题,也可全做) c
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1. 请解释下列名词 8" x+^
(1) 二级相变(2)布里渊区(3)滑移面(4)无公度结构(5)结构因子 Ke_&dgsq
2. 试推导一种底心格子的消光规律 `D#3
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 d+6 by,'
4. 简述相图在晶体生长中的应用 ~(|~Ze>
5. 请简述晶体中的主要缺陷 _QhB0/C
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 icX$<lD
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 c1,dT2:=
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) rQ4i
%.
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) `$X|VAS2
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) 7=o2$
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) #2F 6}
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) d^&F%)AT
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 +UK".
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第一部分: x bG'![OX
(共6题,选做4题,每题15分,总计60分。这部分只能选做4题,如超出规定范围,阅卷时按前4题计分。) tGKIJ`w*h
1.写出七大晶系,并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子(Bravais Iattice). C~2/ 5
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? j15TavjGh
3.简单推导布洛赫(Bloch)定理。 %^L:K5V
4.对于一个二维正方格子,晶格常数为a, -jZP&8dPH
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区; S=Ihg
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线; xHml"Y1
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 N.J;/!%!
5.晶体中原子间共有多少种结合方式?简述它们各自的特点。 M y:9
6.推导低温及闲暇的热容量表达式(表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数)。 z.H*"r
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第二部分: 9T47U; _)
(共8题,选做5题,每题8分,总计40分。这部分只能选做5题,如超出规定范围,阅卷时按前五题计分。) vqLC?{i+
1. 简述晶体中主要缺陷类型(至少答三种)。 XpzdvR1
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下,格点间距为a,请画出能带E(k)示意图,并说明能隙与哪些物理量有关。 (~oUd4
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴,为什么磁畴的分割不会无限进行下去? %Fc,$ =
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 TEZ^Ia
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 "C$z)
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关? D4yJ:ATO&
7. 简述半导体的导电机理,分析其电导率的温度关系? DBl.bgf
8. 简述超导体的两个主要特征。