中国科学院物理研究所05、06招收博士研究生入学考试固体物理试题 3 C<L
<y H4HY
中国科学院物理研究所 B2 'i7P s
2005年招收博士研究生入学考试试题 "$N+"3I
考试科目：固体物理
&RnTzqv
第一部分 S9~ +c
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais lattice） EH!
q=&d
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? Lja>8m
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 ~U @;gLoD
4.对于一个二维正方格子，晶体常数为ａ， t_$2CRG#
*在其倒空间画图标出第一、第二、和第三布里渊区； .xm.DRk3
*画出第一布里渊区中各不相同能量处的等能面曲线； Xy$3V U*
*画出其态密度随能量变化的示意图。 8)10o,#L
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 <#u=[_H
6.推导低温极限下的热容量表达式（表示为温度、德拜温度、气体常数和必要的数字常数的函数） [nr
Ypb4
第二部分 BlA_.]Sg$
1.简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 'z%o16F)L
2.在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E（k）示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 noml8o
3.简述大块磁体为什么会分成许多畴？为什么磁畴的分裂不会无限进行下去？ @ W[f 1
4.简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 7G}2,ueI
5.写出相率的表达式及其各参数的意义。 "2) H'<
6.简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ jw^<IMAG\8
7.简述半导体的导电机理。分析其电导率的温度关系。 `\#B18eU
8.简述超导体的两个主要特征 H1QJ k_RL
0 Tx{3#
y}My.c
中国科学院物理研究所 GS a [
oh
2006年招收博士研究生入学考试试题 VFURAY S
考试科目：固体物理 FtfKe"qw
1.填空题 w&o&jAb-M
①．NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 7b;I+ q
②.在低温，金刚石比热与温度的关系是 KLitg6&P
③.高压晶体体积变小，能带宽度会 $_o-~F2i5
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 Rn9m]x
2.推导bloch定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。 A P7Yuv`
3.推导出一维双原子的色散关系。 xp }hev^@$
4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。 =u2l. CX
5.某面心立方晶体，其点阵常数为a zMm#Rhn
①画出晶胞，（１，１，１），（２，２，０），（１，１，３）晶面； {=!b/l;@
②计算三面的面间距； ktFhc3);!
③ 说明为什么（１，０，０）晶面衍射强度为零。 $Q96,rb}k;
6. 重费米系统、接触电势、安德森转变。 :D%"EJ
７．为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？ QS` PpyBkd
８．硅本征载流子浓度为９．６５×１０９ｃｍ－３，导带有效密度为２．８６×１０１９ｃｍ－３，若掺入每立方厘米１０１６的Ａｓ原子，计算载流子浓度。 uW@oyZUj
９．磁畴 bm?sbE
１０．原激发 toy
a fHf
１１．对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Ａｌ为例，给出理想金属对的反射率Ｒ随频率的变化（公式、频率值、示意图） .TND a&
１２．分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。 mpI5J'>]
１３．试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。 b&~ 4t/Vq
１４．试根据超导Ｂ＝０，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 \N!AXD
１５．论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。
