2003年博士入学考试专业基础试卷 K ~-V([tWg
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1. 请解释下列名词 =s:kC`O
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 U . <c#S
2. 试推导体心格子的消光规律 &a\w+
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 H 9 BqE+
4. 简述相图在晶体生长中的应用 PQF
40g1}
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 vP '!&}
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 %>zG;4
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 % 2'4h(Oq^
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) k'F*uS
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) M`=\ijUwN
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） &,Rye Q
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） XF3lS#pt
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） ESIeZhXVH
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%F-yF N"
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 e&(Wn2)o
E\Iz:ES^
（每题20分，任选5题，也可全做） ]-heG'y]{
1. 请解释下列名词 h{~GzrL*
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 8 f~M6
2. 试推导一种底心格子的消光规律 s"tH?m
)6
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 X`E}2|q'
4. 简述相图在晶体生长中的应用 N /2WUp
5. 请简述晶体中的主要缺陷 _-v$fDrz
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 -4J.YF>
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 TEK#AR
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) La7}zXx
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) cI7a TLC"s
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） 5Ktll~+:#
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） ^6CPC@B1
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） `B 3YP1
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 #aP;a-Q|k
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第一部分： !D
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（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） 4;IZ}9|G
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. s2+_`Ogg
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ ]jmZ5h#[
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 ej(w{vl
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， z3 fU|*_c
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； u<+RA
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； aMgg[g9>t
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 Pn }oSCo
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 <z
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6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 AX{yfL
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第二部分： ab_EH}j1\q
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） j6r
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1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 R
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2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 #W L>ha
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3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ 1lv. @-
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 C9` x"$
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 G^\.xk]
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ QnH~'
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7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ ~0{F,R.$
8. 简述超导体的两个主要特征。
