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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 L,L ~ .E  
I3G*+6V  
第一篇MOS 逻辑集成电路 %UUp=I  
&?/N}g @K  
MOS晶体管工作原理 b:FEp'ZS  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 9<t9a f\.>  
IW1GhZ41'  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 tDC0-N&6S~  
d,Cz-.'sOf  
1.3 MOS晶体管的电流方程 ?qf:_G  
$f<eq7rRe  
1.4 MOS瞬态特性 c$,c`H(~  
Qb!!J4| !  
MOS器件按比例缩小 .)i O Du  
2.1 按比例缩小理论 aW0u8Dz  
?(5o@Xq  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 gt =j5  
a&$Zpf!!  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 z>cIiprX  
t{/:(Nu  
2.4 VLSI发展的实际限制 0V<Aub[${  
Z"6 2#VM  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 u:_sTfKm&  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Mam8\  
BCBEX&0hk{  
3.2 CMOS IC 工艺流程  FovE$Dj]  
lo cW_/  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 = E&b=  
KKLR'w,A>  
CMOS反相器和CMOS传输门 $T"h";M)s  
4.1 CMOS反相器的直流特性 `+roQX.p  
y\^@p=e  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 {I4%   
"Z;~Y=hC13  
4.3 CMOS 反相器的功能 |:./hdcad  
25aNC;J  
4.4 CMOS反相器设计 8V6=i'GK  
0yn[L3x7  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 py]KTRzy  
2$M,*Dnr  
4.6 CMOS传输门 XAkK:}h  
^uia`sOP4  
CMOS静态逻辑电路设计 v9u<F6  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 w"{bp  
uaiz*Im  
5.2 CMOS与非门的分析 Ski G2n]  
L~IE,4  
5.3 CMOS或非门的分析 RL6Vkd?  
auRY|j  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 bMsECA&  
y=w`w >%  
5.5 组合逻辑电路的设计 %MN.O-Lc  
@}(SR\~N]  
5.6 类NMOS电路 "qawq0P8Z  
T '.[F  
5.7 传输们逻辑电路 Tp?-* K  
J@QdieW6  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 UgC)7 K1  
*<IR9.~{6%  
动态和时序逻辑电路设计 i E9\_MA  
6.1 动态逻辑电路的特点 +Qs!Nhsq  
 it)ZP H  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Nt~x&s  
/g@^H/DO  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 n3$gx,KL  
Q.A \U>AgV  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) - IU4#s  
-w]/7cH  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 O#EqG.L5  
q jz3<`7-  
6.6 CMOS触发器 !^iwQ55e2A  
w{`Acu  
6.7 时序逻辑电路 uE`r/=4  
HTk\723Rdw  
输入、输出缓冲器 ?YBaO,G9o  
7.1 输入缓冲器 `\N]wlB2/b  
d >|;f  
7.2 输入保护电路 uv]{1S{tb  
u,o1{% O  
7.3 输出缓冲器 8sg|MWSU  
R0wf#%97  
7.4 脱片输出驱动级的设计 o=_c2m   
g jxS  
7.5 三态输出和双向缓冲器 | -+zofx  
/t5p-  
MOS存储器 dJD(\a>r.u  
8.1 DRAM $a(`ve|  
{^mKvc  
8.2 SRAM G1d(,4Xp  
VagT_D  
8.3 ROM和PLD BStk&b  
HB iBv-=,  
MOS IC的版图设计 0.Vi9 7`  
9.1 VLSI的设计方法 7\Fs=\2l+'  
)`+YCCa6F  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 gzdG6"  
80;n|nNB  
9.3 版图设计 2SG$LIV 9Y  
8P2 J2IU  
SOICMOS简介 }6]0hWsN[  
10.1 SOI CMOS工艺 %J~WC$=Qv  
_O]xey^r  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 9P WY52!  
d@ J a}`  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ,[!LCXp  
u2iXJmM*  
BiCMOS电路 (gXN%rsY  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 /4irAG% Oj  
@xAfZb2E  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 PXk?a J  
ej(ikj ~j  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 @n+=vC.xO  
*rh,"Zo  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 l.+yn91%>  
Y.6SOu5$]  
11.5   BiCMOS电路实例 1;F`c`0<  
</`yd2>  
MOS 逻辑集成电路(续) 9Ul(GI(  
nMOS逻辑集成电路 B&?sF" Y  
6-1 电阻负载MOS倒相器 EnVuD 9  
+0l` 5."d  
6-2 E/E MOS 倒相器 ] d}0l6  
aM3gRp51cj  
6-3 自举负载MOS 倒相器 c3TKl/  
5@~|*g[  
6-4 E/D MOS 倒相器 TFQ!7'xk)  
dt\j GD  
6-5 静态MOS电路 ?Bi*1V<R  
XzIx:J6  
CMOS集成电路 0E`1HP"b  
7-1 CMOS 倒相器 xg@NQI@7   
 t+uE  
7-2 CMOS传输门 Ol_q{^  
+j14Q$  
7-3 静态CMOS 电路 m"eteA,"k_  
s@4nWe  
7-4 CMOS 门电路的设计 s"KJiQKGM  
~ Heb1tl ;  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 y[};J vk  
oPf)be| #  
动态和准静态MOS电路 U&Wwyu:4i  
8-1 栅电容的电荷存储效应 ^"\s eS  
{y=W6uP  
8-2 动态MOS倒相器 SMr13%KN/  
u^Ku;RQo  
8-3 动态MOS电路 {=2DqkTD  
f_^1J  
8-4 准静态MOS触发器 a 3SlxsWW  
= {'pUU  
8-5 动态和准静态CMOS电路 pW0dB_  
g6t"mkMY L  
MOS集成电路的版图设计 RprKm'b8x`  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 e1myH6$W  
}kHdK vZ  
9-2 MOS集成电路版图设计 BaF!O5M  
`^JJ&)4iv  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 }T^cEfX  
pL=d% m.W  
MOS大规模集成电路 gF=jf2{YX  
10-1 LSI电路中的CAD技术 ^efb 5  
^mWybPqx  
10-2 HMOS技术 ,C.:;Ime({  
hf/2vt m  
10-3 MOS存储器 WO4=Mte?  
.MW @;  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 UUKP"  
{CG_P,FO  
10-5 半定制逻辑电路 EFuvp8^y  
-4w=s|#.\  
模拟集成电路 02`$OTKz  
模拟集成电路中的特殊元件 ,ox cq?7#4  
11-1 横向pnp管 <^~FLjsfg  
h eaRX4  
11-2 纵向pnp管 P&d"V<  
\;-fi.Hrf$  
11-3 超增益晶体管 \$aF&r<R  
8(.mt/MR  
11-4 隐埋齐纳二极管 IEjP<pLe  
6iEhsL&K  
11-5 集成电路中的电容器 I1X /Lj=  
(>6*#9#p  
11-6 薄膜电阻器 Qu=LnGo~P  
7"7rmZ   
模拟集成电路中的基本单元电路 B/5=]R  
12-1 差分放大器 <2!v(EkI  
~^u16z,  
12-2 恒流源电路和有源负载 1Gt/Tq$_b  
<R%;~){  
12-3 基准源电路 %8*64T")  
V._6=ZJ  
12-4 模拟开关 a9n^WOJ6  
48|s$K^  
集成运算放大器 8<mjh0F-,  
13-1 运算放大器的基本概念 OA:%lC!  
$M_x!f'{>  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 =X?\MVWB  
ug{R 3SS  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 2,lqsd:xM  
!R*-R.%  
13-4 µA741通用型运算放大器 Ggh.dZI4  
P5lqSA{6  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 =0 @&GOq  
!-m&U4Ku6o  
模拟集成电 Te2 zK7:  
14-1 集成电压 H Te<x  
h._nK\  
14-2 D/A转换器 =%zLh<3v  
 g PAX4'  
14-3 A/D转换器 s >0Nr  
+(uYwdcN  
14-4 MOS模拟集成电路 LqdY Qd51  
{0! ~C=P  
模拟集成电路的版图设计 /7!""{1\\  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 T#pk]c6Q  
DK0.R]&4(  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 nhG J  
\5Vde%!$Z  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 bCZ g cN  
C"lJl k9g^  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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