华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 YBb)/ZghY
J|VK P7
第一篇MOS 逻辑集成电路 bGbqfO`
>Bc>IO
MOS晶体管工作原理 95=gY
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ]UDd :2yt
>(X#<`
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 #
;K,,ku
x
,4[dLWU
1.3 MOS晶体管的电流方程 otO
j^xU
!; IJ
1.4 MOS瞬态特性 pmD4j8F_
93j{.0]X
MOS器件按比例缩小 &5?G-mn
2.1 按比例缩小理论 "'m)VG
11@]d]v ,
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 z
v>Oh#
$.pTB(tO
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 !xu9+{-
h4
_b!E@
2.4 VLSI发展的实际限制 we3tx{j
`H\)e%]
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 \<~}o I
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 XVt/qb%)r
l4rMk^>>
3.2 CMOS IC 工艺流程 (9 sIA*,}
%%%S"$t
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 `0{ S3v
kbYeV_OwM
CMOS反相器和CMOS传输门 S
R ZL\m}
4.1 CMOS反相器的直流特性 54{q.I@n
E V2 )
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 WNs}sNSf
Gh}yb-$N`&
4.3 CMOS 反相器的功能 }s_hD`'
&fwS{n;U
4.4 CMOS反相器设计 ye%iDdf
N2ied^* 0
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 G,XPT,:%
<@G8n
i
4.6 CMOS传输门 \L # INP4~
AQss4[\Dx
CMOS静态逻辑电路设计 c>HK9z{
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 sbj";h=E
+ H_WlYg-
5.2 CMOS与非门的分析 8z2Rry
w
6/Fzco#N
5.3 CMOS或非门的分析 qQ0C ?
VsK>6S\T
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 !ABiy6d
amWD-0V
5.5 组合逻辑电路的设计 I.'b'-^
(=4W-z7
5.6 类NMOS电路 EH*o"N`!r
DgHaOAdU
5.7 传输们逻辑电路 (`BSVxJH
Ge+0-I6
Ju
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 crcA\lJf
h}`!(K^;3
动态和时序逻辑电路设计 [#Lc]$
6.1 动态逻辑电路的特点 "gtHTqheH
F~:O.$f]G
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 }?F`t[+
H=*5ASc
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 s>k Uh
*L6PLe
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 9SlNq05G7
Jj~EiA
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 vb 1@yQ
a,F&`Wg
6.6 CMOS触发器 e^4 p%
9a\nszwa
6.7 时序逻辑电路 Pq*s{
k#8Ti"0
输入、输出缓冲器 b2 _Yu^
7.1 输入缓冲器 f/WQ[\<!I
I;5R2" 3
7.2 输入保护电路 l`kWz5[~
kGpa\c
g1
7.3 输出缓冲器 #&v/icz$
+^*iZ6{+7
7.4 脱片输出驱动级的设计 f\'{3I29
XwV'Ha
7.5 三态输出和双向缓冲器 J=.`wZQkS
{t};-q!v$j
MOS存储器 GgaTn!mJt
8.1 DRAM R52I=
a5,*
Ii7QJ:^
8.2 SRAM *:i1Lv@
G:
x*BH+
8.3 ROM和PLD v]__%_
.NtbL./=|
MOS IC的版图设计 2pdvWWh3l
9.1 VLSI的设计方法 8M@BG8
kB5.(O
9.2 门阵列和标准单元设计方法 p ?wI9GY
L
8{\r$
9.3 版图设计 ~=R SKyzt
}I`a`0/
SOICMOS简介 j~j\\Y
10.1 SOI CMOS工艺 /?';
nGq
gm9mg*aM
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 @
P|LLG'
Lg"C ]
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 64:fs?H
tGB@$UmfU
BiCMOS电路 t4?DpE
11.1 MOS和双极型器件性能比较 2w)-\/j}
|lv|!]qAma
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 #97h6m?
u{["50~
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 _HhbIU
xeGb?DPu
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 V]90
'U'yC2BI n
11.5 BiCMOS电路实例 %,ngRYxT#
l3 DYg
MOS 逻辑集成电路(续) -.{g}R%
nMOS逻辑集成电路 RoAlf+&Qb
6-1 电阻负载MOS倒相器 @?"h
!fyu
Ie%EH
6-2 E/E MOS 倒相器 [V:\\$
IUtx!.]4
6-3 自举负载MOS 倒相器 zRPeNdX
2h%z ("3/
6-4 E/D MOS 倒相器 Qyy.IPTP
qoAj]
")
6-5 静态MOS电路 6]-SK$
+>4;Z d!@d
CMOS集成电路 n9s iX
7-1 CMOS 倒相器 FN[{s
^i:B+
rl
7-2 CMOS传输门 *_ ?dVhxf
RVeEkv[qp
7-3 静态CMOS 电路 }K3x
/q5:p`4{J
7-4 CMOS 门电路的设计 Y/7 $1k
r7',3V
7-5 CMOS电路中的锁定效应 q/n,,!
t#2(j1
动态和准静态MOS电路 k?'B*L_Mzv
8-1 栅电容的电荷存储效应 [}&Sxgv
A,4fEmWM
8-2 动态MOS倒相器 ooQQ-?"m
<n#DT
8-3 动态MOS电路 @*sWu_-Y%
f%*/cpA)
8-4 准静态MOS触发器 J_;o|gqX
[KxF'm z9
8-5 动态和准静态CMOS电路 *M"}z
e2A-;4?_
MOS集成电路的版图设计 K>{T_) {
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ukUGvK
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9-2 MOS集成电路版图设计 Er{>p|n=
k`N^Vdr
9-3 MOS集成电路版图设计举例 @<