华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 L,L ~
.E
I3 G*+6V
第一篇MOS 逻辑集成电路 %UUp=I
&?/N}g
@K
MOS晶体管工作原理 b:F Ep'ZS
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 9<t9a
f\.>
IW1GhZ41'
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 tDC0-N&6S~
d,Cz-.'sOf
1.3 MOS晶体管的电流方程 ?qf:_G
$f<eq7rRe
1.4 MOS瞬态特性 c$,c`H(~
Qb!!J4|!
MOS器件按比例缩小 .)iO Du
2.1 按比例缩小理论 aW0u8Dz
?(5o@Xq
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 gt
=j5
a&$Zpf!!
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 z>cIiprX
t{/:( Nu
2.4 VLSI发展的实际限制 0V<Aub[${
Z"6 2#VM
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 u:_sTfKm&
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Mam8\
BCBEX&0hk{
3.2 CMOS IC 工艺流程 FovE$Dj]
lo cW_/
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 =E&b=
KKLR'w,A>
CMOS反相器和CMOS传输门 $T"h";M)s
4.1 CMOS反相器的直流特性 `+roQX.p
y\^@p=e
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 {I4%
"Z;~Y=hC13
4.3 CMOS 反相器的功能 |:./hdcad
25aNC;J
4.4 CMOS反相器设计 8V6=i'GK
0yn[L3x7
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 py]KTRzy
2$M,*Dnr
4.6 CMOS传输门 XAkK:}h
^uia`sOP4
CMOS静态逻辑电路设计 v9u<F6
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 w "{bp
uaiz*Im
5.2 CMOS与非门的分析 Ski G2n]
L~IE,4
5.3 CMOS或非门的分析 RL6Vkd?
auRY|j
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 bMsECA&
y=w`w
>%
5.5 组合逻辑电路的设计 %MN.O-Lc
@}(SR\~N]
5.6 类NMOS电路 "qawq0P8Z
T'.[F
5.7 传输们逻辑电路 Tp?-*K
J@QdieW6
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 UgC)7
K1
*<IR9.~{6%
动态和时序逻辑电路设计 i
E9\_MA
6.1 动态逻辑电路的特点 +Qs!Nhsq
it)ZP H
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Nt~x&s
/g@^H/DO
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 n3$gx,KL
Q.A \U>AgV
6.4 时钟CMOS(C2MOS) -IU4#s
-w]/7cH
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 O#EqG.L5
q jz3<`7-
6.6 CMOS触发器 !^iwQ55e2A
w{`Acu
6.7 时序逻辑电路 uE`r /=4
HTk\723Rdw
输入、输出缓冲器 ?YBaO,G9o
7.1 输入缓冲器 `\N]wlB2/b
d
>|;f
7.2 输入保护电路 uv]{1S{tb
u,o1{%O
7.3 输出缓冲器 8sg|MWSU
R0wf#%97
7.4 脱片输出驱动级的设计 o=_c2m
g
jxS
7.5 三态输出和双向缓冲器 | -+zofx
/ t5p-
MOS存储器 dJD(\a>r.u
8.1 DRAM $a(`ve|
{^m Kvc
8.2 SRAM G1d(,4Xp
VagT_D
8.3 ROM和PLD BStk&b
HBiBv-=,
MOS IC的版图设计 0.Vi97`
9.1 VLSI的设计方法 7\Fs=\2l+'
)`+YCCa6F
9.2 门阵列和标准单元设计方法 gzdG6"
80;n|nNB
9.3 版图设计 2SG$LIV 9Y
8P2 J2IU
SOICMOS简介 }6]0hWsN[
10.1 SOI CMOS工艺 %J~WC$=Qv
_O]xey^r
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 9P WY52!
d@ Ja}`
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ,[!LCXp
u2iXJmM*
BiCMOS电路 (gXN%rsY
11.1 MOS和双极型器件性能比较 /4irAG% Oj
@xAfZb2 E
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 PXk?a
J
ej(ikj
~j
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 @n+=vC.xO
*rh,"Zo
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 l.+yn91%>
Y.6SOu5$]
11.5 BiCMOS电路实例 1;F`c`0<
</`yd2 >
MOS 逻辑集成电路(续) 9Ul(GI(
nMOS逻辑集成电路 B&?sF" Y
6-1 电阻负载MOS倒相器 EnVuD
9
+0l`
5."d
6-2 E/E MOS 倒相器 ]
d}0l6
aM3gRp51cj
6-3 自举负载MOS 倒相器 c3TKl/
5@~|*g[
6-4 E/D MOS 倒相器 TFQ!7'xk)
dt\j
GD
6-5 静态MOS电路 ?Bi*1V<R
XzIx:J6
CMOS集成电路 0E`1HP"b
7-1 CMOS 倒相器 xg@NQI@7
t+uE
7-2 CMOS传输门 Ol_q{^
+j14Q$
7-3 静态CMOS 电路 m"eteA,"k_
s@4nWe
7-4 CMOS 门电路的设计 s"KJiQKGM
~Heb1tl;
7-5 CMOS电路中的锁定效应 y[};J
vk
oPf)be| #
动态和准静态MOS电路 U&Wwyu:4i
8-1 栅电容的电荷存储效应 ^"\s eS
{y= W6uP
8-2 动态MOS倒相器 SMr13%KN/
u^Ku;RQo
8-3 动态MOS电路 {=2DqkTD
f_ ^1J
8-4 准静态MOS触发器 a3SlxsWW
= {'pUU
8-5 动态和准静态CMOS电路 pW0dB_
g6t"mkMY
L
MOS集成电路的版图设计 RprKm'b8x`
9-1 MOS集成电路的工艺设计 e1myH6$W
}kHdK vZ
9-2 MOS集成电路版图设计 BaF!O5M
`^JJ&)4iv
9-3 MOS集成电路版图设计举例 }T^cEfX
pL=d% m.W
MOS大规模集成电路 gF=jf2{YX
10-1 LSI电路中的CAD技术 ^efb
5
^mWybPqx
10-2 HMOS技术 ,C.:;Ime({
hf/2vt
m
10-3 MOS存储器 WO4=Mte?
.MW
@;
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 UUKP"
{CG_P,FO
10-5 半定制逻辑电路 EFuvp8^y
-4w=s|#.\
模拟集成电路 02`$OTKz
模拟集成电路中的特殊元件 ,ox
cq?7#4
11-1 横向pnp管 <^~FLjsfg
heaR X4
11-2 纵向pnp管 P&d"V<
\;-fi.Hrf$
11-3 超增益晶体管 \$aF&r<R
8(.mt/MR
11-4 隐埋齐纳二极管 IEjP<pLe
6iEhsL&K
11-5 集成电路中的电容器 I1X/Lj=
(>6*#9#p
11-6 薄膜电阻器 Qu=LnGo~P
7"7rmZ
模拟集成电路中的基本单元电路 B/5=]R
12-1 差分放大器 <2!v(EkI
~^u16z,
12-2 恒流源电路和有源负载 1Gt/Tq$_b
<R%;~) {
12-3 基准源电路 %8*64T")
V._6=ZJ
12-4 模拟开关 a9n^WOJ6
48|s$K ^
集成运算放大器 8<mjh0F-,
13-1 运算放大器的基本概念 OA:%lC!
$M_x!f'{>
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 =X?\MVWB
ug{R 3SS
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 2,lqsd:xM
!R*-R.%
13-4 µA741通用型运算放大器 Ggh.dZI4
P5lqSA{6
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 =0@&GOq
!-m&U4Ku6o
模拟集成电 Te2
zK7:
14-1 集成电压 HTe<x
h._nK\
14-2 D/A转换器 =%zLh<3v
gPAX4'
14-3 A/D转换器 s>0Nr
+(uYwdcN
14-4 MOS模拟集成电路 LqdY Qd51
{0! ~C=P
模拟集成电路的版图设计 /7!""{1\\
15-1 模拟集成电路版图设计特点 T#pk]c6Q
DK0.R]&4(
15-2 模拟集成电路中的相容技术 nhG
J
\5Vde%!$Z
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 bCZ gcN
C"lJl k9g^
2004.7.7