华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ,xm;JXJ  
-$'~;O3s  
第一篇MOS 逻辑集成电路 5w]DncdQ~  
[c,
|Lw4  
MOS晶体管工作原理 [lmHXf@1C  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 j0ci~6&b3_  
AN|jFSQ'  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 SD)5?{6<  
7f.4/x^  
1.3 MOS晶体管的电流方程 yBpW#1=  
<~IH`  
1.4 MOS瞬态特性 S3%.-)ib  
L8,H9T#e  
MOS器件按比例缩小 9}K(Q=
 
2.1 按比例缩小理论 \'\N"g`Fr  
"1gk-  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 D=5
t=4^H(  
Im0+`9Jw  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 $sd3h\P&R  
a}[=_vb}K  
2.4 VLSI发展的实际限制 r| 6S  
?3B t;<^  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 #cSw"A  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 j. k s UJ  
Cu)%s  
3.2 CMOS IC 工艺流程 {kRDegby  
,q'gG`M N  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 Mc#O+'](f  
)<]w23i  
CMOS反相器和CMOS传输门 aPY>fy^8D  
4.1 CMOS反相器的直流特性 M2zos(8g  
%z!d4J75  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 Hb@G*L$  
\@ WsF$  
4.3 CMOS 反相器的功能 ?hry=I(7r  
r[UyI3(i^  
4.4 CMOS反相器设计 dc\u$'F@S  
3-_U-:2"  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Z+`{JE#  
>2/wzs
W  
4.6 CMOS传输门 fn?6%q,!ls  
nY"rqILX?  
CMOS静态逻辑电路设计 6b+ WlIb  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 LBbo.KxAe3  
p.TiTFu/  
5.2 CMOS与非门的分析 kj<D4)  
:}3 qZX  
5.3 CMOS或非门的分析 kb}]sj  
<p L;
-  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 MLv.v&@S  
t\|K"  
5.5 组合逻辑电路的设计 abJ@>7V  
ad3z]dUZ9  
5.6 类NMOS电路 hiK[!9r  
, T21z}r  
5.7 传输们逻辑电路 cJ(zidf_$  
I$6 f.W  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ,TfI  
c[d'1=Qiy  
动态和时序逻辑电路设计 :86luLFm  
6.1 动态逻辑电路的特点 A*26 '  
d;jJe0pH  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Z\
gg<Q  
'__3[D  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 1~xn[acy  
o YI=p3l  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) cT=wJ  
6<Pg>Bg  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 tU2toV  
k4AE`[UE  
6.6 CMOS触发器 uI-76  
?o(X0  
6.7 时序逻辑电路 a^}P_hg}-  
Nec(^|[  
输入、输出缓冲器 t>h i$NX{p  
7.1 输入缓冲器 g /@yK  
5 3+rpU_  
7.2 输入保护电路 =wR]X*Pan  
{7~ $$AR(  
7.3 输出缓冲器 {LJ6't 8y:  
)w 8lu sa  
7.4 脱片输出驱动级的设计 s$\8)V52  
[.Wt,zrE  
7.5 三态输出和双向缓冲器 llG#nDe  
2"Uk}Yz|  
MOS存储器 [11-`v0  
8.1 DRAM E+c3KqM  
Qu>zO!x  
8.2 SRAM K#sb"x`  
?N?pe}  
8.3 ROM和PLD f]A6Mx6  
@]"9EW 0  
MOS IC的版图设计 E!~2\qKT  
9.1 VLSI的设计方法 I\%Lb z  
3XlnI:w=  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Z#t)Z "
 
K2MNaB  
9.3 版图设计 z*~PYAt  
n_&)VF#n(  
SOICMOS简介 A-Pwi.$  
10.1 SOI CMOS工艺 sr@XumT  
&c9Fw:f;  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 &trh\\I"  
+Y]*>afG  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 @wg
Gnb)  
c%/&@
vs7  
BiCMOS电路 j~f 7WJ  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 SVWSO  
G /3lX^Z>  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 rZQHB[^3  
YIUmCx0a  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 bK;a V&  
NWwtq&pz2  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 !enz05VW6.  
HF[%/Tu  
11.5   BiCMOS电路实例 78~V/L;@S2  
JU1; /3(  
MOS 逻辑集成电路（续） -?`l<y(  
nMOS逻辑集成电路 VD`2lG
dF  
6-1 电阻负载MOS倒相器 kGiw?~t=%  
tU/NwA"  
6-2 E/E MOS 倒相器 ,;pX.Ob U  
J$*["y`+  
6-3 自举负载MOS 倒相器 (MiOrzT  
?ML<o>OKg  
6-4 E/D MOS 倒相器 Awf=yE:  
']e4!  
6-5 静态MOS电路 'z!#E!i  
n7.lF  
CMOS集成电路 ]JuB6o_L  
7-1 CMOS 倒相器 l<_mag/j9o  
H 1i4_T  
7-2 CMOS传输门 bO3KaOC8N  
jN>UW}?  
7-3 静态CMOS 电路 vg1s5Yqk  
Xb 1^Oj  
7-4 CMOS 门电路的设计
* xXc$T  
{j*+:Gj0V  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 {\Y,UANZ  
I3b-uEHev  
动态和准静态MOS电路 qZ1PC
>  
8-1 栅电容的电荷存储效应 |]b/5s;>  
_Fy:3,(  
8-2 动态MOS倒相器 gipRVd*TA  
w*@Z-'(j  
8-3 动态MOS电路 sJ()ItU5i
 
OZ9j3Q;a$  
8-4 准静态MOS触发器 0k]N%!U  
T,@7giQg@  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ]HT>-Ba;{h  
T5G+^XDA  
MOS集成电路的版图设计 wj~8KHan  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 #R|4(Hl L  
K2v
)"|T)  
9-2 MOS集成电路版图设计 FQ^uX]<3j  
l
ph_cY3p  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 H[U*' 2TJ  
"<b84?V5  
MOS大规模集成电路 4}j}8y2)H  
10-1 LSI电路中的CAD技术 {.W%m  

FiL JF!  
10-2 HMOS技术 8yl/!O,v  
:6{HFMf"  
10-3 MOS存储器 U {v_0\ES  
{'[1I_3  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ${3
OQG  
gUQCKNw  
10-5 半定制逻辑电路 )I_I?e  
@,.H)\a4  
模拟集成电路 A+&Va\|x  
模拟集成电路中的特殊元件 nK$m:=  
11-1 横向pnp管 dRmTE
  
9G9lSj5>  
11-2 纵向pnp管 u:|5 jF  
5E8PbV-l  
11-3 超增益晶体管 __[q`  
zQJbZ=5Bu"  
11-4 隐埋齐纳二极管 ~XRr }z_Lq  
C+j+q648>  
11-5 集成电路中的电容器 Qzv_|U  
7Ll(,i<,C  
11-6 薄膜电阻器 $?YkgK  
Qn7e6u@V  
模拟集成电路中的基本单元电路 R<)uvW_@  
12-1 差分放大器 9S^-qQH3}  
FtXEudk  
12-2 恒流源电路和有源负载 2},}R'aR  
Ho/5e*X  
12-3 基准源电路 ZmDr$iU~  
Tq+pFEgQ`@  
12-4 模拟开关 LY MfoXp  
D~Su822  
集成运算放大器 y? g7sLDc  
13-1 运算放大器的基本概念 d=pq+  
C~B ^sG@;  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 dxA=gL2  
=uH`EkY:  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 S=Zjdbd  
V2*b f`/V  
13-4 µA741通用型运算放大器 p0/I}n4<5n  
cg4,PI%hz  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 R~b$7jpd  
$]9d((u4  
模拟集成电 {5*5tCIt  
14-1 集成电压 CA3.fu3(p  
sXFD]cF  
14-2 D/A转换器 ,J[sg7vcv  
82$^pg>  
14-3 A/D转换器 S7V;sR"V2  
#M
:W?
&.  
14-4 MOS模拟集成电路 A;kB"Tx  
J[9jNCq|  
模拟集成电路的版图设计 4CDmq[AVS[  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Yy&0b(m U  
ZnQnv@{8l  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 1{A4_/R
 
"k+QDQ3=  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 _PuMZjGL  
j"f]pzg&  
2004.7.7

真不如有真题呀，