华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 xtfRrX^
.v`b[4M4
第一篇MOS 逻辑集成电路 aXR%;]<Dw
R
p.W,)i
MOS晶体管工作原理 w:ULi3
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Q~,YbZ-7
TZB+lj1
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Ewo~9
4{
lrEj/"M
1.3 MOS晶体管的电流方程 WS 0JS'
Omy t2`q
1.4 MOS瞬态特性 'Cg{_z.~c
Je7RrCz
MOS器件按比例缩小 _
Jc 2&(;
2.1 按比例缩小理论 Np,2j KF(
lpC
@I^:
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 l\Ftr_Dk
(Wj 2?k/]
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 T0e<Slo~C
O6c\KFBSJ
2.4 VLSI发展的实际限制 iS: #o>
ClUSrSp
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 k
onoI&kV|
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Q< *8<Oo4g
YD_]!HK}
3.2 CMOS IC 工艺流程 By((,QpB
1 /iE`Si
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ,=By$.rr'
+=fKT,-*G!
CMOS反相器和CMOS传输门 l5O=VqCj
4.1 CMOS反相器的直流特性 WH$HI/%*m
%_f;G+fK\p
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 H
OPqxI(k
bLS&H[f K
4.3 CMOS 反相器的功能 *xH\)|3,
5
2Hqu>
4.4 CMOS反相器设计 Y
1\K;;X
Ap<J'?~y
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 XA D3Z?
7
.+al)hl
4.6 CMOS传输门 % e=!nRc
C0m\SNR
CMOS静态逻辑电路设计 `,#!C`E 9
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 H5M#q6`H6
<Dm Tj$
5.2 CMOS与非门的分析 A 7 Y_HIo
=/Juh7[C
5.3 CMOS或非门的分析 a$}6:E
(!</%^ZI
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 0m=(W^c
WU\m^!`w=F
5.5 组合逻辑电路的设计 Eo= HNe
A*0*sZ0
5.6 类NMOS电路 H1T~u{ 8j}
-!R
l(if
5.7 传输们逻辑电路 fVUKvZ}P*
v5 Y)al@
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 +by|
a4by^
动态和时序逻辑电路设计 JQT4N[ rEE
6.1 动态逻辑电路的特点 %ck`0JZAP
#W5Yw>$
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 0 65A?KyD
(xUFl@I!
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 L>:FGNf^H
"m>};.lj
6.4 时钟CMOS(C2MOS) -W^2*w
a71}y;W
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 Q9q 9<J7j$
k4mTZ}6E
6.6 CMOS触发器 /Mx CvEE
Dauo(Uhuo
6.7 时序逻辑电路 05 g?jV
9/H^t* 5t
输入、输出缓冲器 P.1Qc)m4
7.1 输入缓冲器 a;yV#Y
skSNzF7'
7.2 输入保护电路 1Kc{#+a^
Xr)g
7.3 输出缓冲器 =Zrj K=K
6d(b'S^
7.4 脱片输出驱动级的设计 ^EUQ449<p
C }bPv +t
7.5 三态输出和双向缓冲器 $1=v.'Y
9Mut p4#
MOS存储器 :.C)7( 8S
8.1 DRAM GMy oSe%1/
25w6KBTe;:
8.2 SRAM ,Zr YJ<
0-lPhnrp
8.3 ROM和PLD P[6dTZ!\s
[lrmuf
MOS IC的版图设计 Dt
(:u,
%
9.1 VLSI的设计方法 S/)
#{ ?m
9.2 门阵列和标准单元设计方法 ByC1I.B`
4bFv"b
9.3 版图设计 vl>
_e
av7q>NEZ!1
SOICMOS简介 #r-j.f}yx
10.1 SOI CMOS工艺 )sMAhk|
zS,%msT^A
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Cv gPIrl
%'$cH$%~J
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 F%Ro98?{
zlC^
BiCMOS电路 ]J GKL5~p
11.1 MOS和双极型器件性能比较 >Lo6='G
P6.) P|n7=
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 'Hcd&3a
Q-H =wJ4R
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 Q;{D8 #!
\1eKY^)2
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 mmh nw ( /
PprQq_j
11.5 BiCMOS电路实例 S5YDS| K
N6-2*ES
MOS 逻辑集成电路（续） VO\S>kw
nMOS逻辑集成电路 #8WR{
6-1 电阻负载MOS倒相器 * wQZ '
=1uj1.h
6-2 E/E MOS 倒相器 7.F& {:@_
p~k`Z^ xY$
6-3 自举负载MOS 倒相器 PHE;
7J)a "d^e
6-4 E/D MOS 倒相器 :&\E\ 9
! X#3w-K
6-5 静态MOS电路 #o}{cXX#
Is#v6:#^
CMOS集成电路 b(.o|d /P
7-1 CMOS 倒相器 ~
33 @H
RvgAI`T7$
7-2 CMOS传输门 R`<{W(J;r
FB^dp
}
7-3 静态CMOS 电路 ` wsMybe#
}lQn] q
7-4 CMOS 门电路的设计 ~[bMfkc3
SgQmYaa
&
7-5 CMOS电路中的锁定效应 t]YLt ,
L _CEY
动态和准静态MOS电路 mc[_> [m
8-1 栅电容的电荷存储效应 lhvZ*[[<)
Y9c9/_CSj
8-2 动态MOS倒相器 @bVh?T0~F,
XP
Iu]F
8-3 动态MOS电路 .L 5T4)
1(\I9L&J
8-4 准静态MOS触发器 :_b
=Km<
HS7
G_
8-5 动态和准静态CMOS电路 :_[cT,3
aD
Jj VD
MOS集成电路的版图设计 }A&Xxh!Fwo
9-1 MOS集成电路的工艺设计 OuJ y$e
"8Wc\ YDh
9-2 MOS集成电路版图设计 *Uw #
WaZ@
9-3 MOS集成电路版图设计举例 otnY{r *
whp\*]8
MOS大规模集成电路 " u$ ]q1S
10-1 LSI电路中的CAD技术 tFP;CW!E
:^.8 7>V7
10-2 HMOS技术 ^Y*.Ktp,o
b}{9
:n/SC
10-3 MOS存储器 u$`x]K=Zsm
j*lWi0Z -
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 kQiW 5
_( A +_|
10-5 半定制逻辑电路 (DaP~*c3cC
BE@H~<E J
模拟集成电路 n7YWc5:CaL
模拟集成电路中的特殊元件 KKTfxNxJn
11-1 横向pnp管 Fm+)mmJP
}[R@HmN
11-2 纵向pnp管 U=1`. Ove
8Nq Iz
11-3 超增益晶体管 [#h!3d|?B
BGYm]b\j[
11-4 隐埋齐纳二极管 p :n^c5
L |G k}n
11-5 集成电路中的电容器 T#;*I#A:
'cc4Y~0s
11-6 薄膜电阻器 HbV V]y
|>V>6%>vK6
模拟集成电路中的基本单元电路 ':>*=&
12-1 差分放大器 v-aq".XQ
cr;`0
12-2 恒流源电路和有源负载 Kt7x' 5
9
3I9`!e
12-3 基准源电路 \ } Szb2
_NW OSt
12-4 模拟开关 7VBw@Rh
dNt|"9 ~&
集成运算放大器 K:Go%3~,
13-1 运算放大器的基本概念 0PbIWy'
=KD*+.'\/
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 -$ft `Ih
T+"y8#:
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 nU *fne?
dz9-+C{m
13-4 µA741通用型运算放大器 8{<c qYCR
tAi9mm;k
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 <\mc|p "
?{IvA:
模拟集成电 6p{x 2>2y[
14-1 集成电压 kl9z;(6p
0GVok$r@
14-2 D/A转换器 *xC '
l
d9#4D[#
14-3 A/D转换器 &Hxr3[+$
2ow\d b
14-4 MOS模拟集成电路 Q1[s{,
F# wa)XH
模拟集成电路的版图设计 A'EA !
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Fgk/Ph3r
uy{KV"%"^g
15-2 模拟集成电路中的相容技术 xw H`alu
6f>HE'N
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 d:''qg z`
q4N$. hpb
2004.7.7
