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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 YBb)/ZghY  
J|V K P7  
第一篇MOS 逻辑集成电路 bGbqfO`  
>Bc> IO  
MOS晶体管工作原理 95=g Y  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ]UDd :2yt  
>(X #<`  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 # ;K,,ku x  
,4[dLWU  
1.3 MOS晶体管的电流方程 otO j^xU  
!; IJ   
1.4 MOS瞬态特性 pmD4j8F_  
93j{.0]X  
MOS器件按比例缩小 &5?G-mn  
2.1 按比例缩小理论 "'m)VG  
11@]d ]v ,  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 z v>Oh#  
$.pTB(tO  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 !xu9+{-  
h4 _ b!E@  
2.4 VLSI发展的实际限制 we3tx{j  
`H\)e%]  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 \<~}o I  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 XVt/qb%)r  
l4rMk^>>  
3.2 CMOS IC 工艺流程 (9 sIA*,}  
%%%S"$t  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 `0{ S3v  
kbYeV_OwM  
CMOS反相器和CMOS传输门 S RZL\m}  
4.1 CMOS反相器的直流特性 54{q.I@n  
E V2  )  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 WNs}sNSf  
Gh}yb-$N`&  
4.3 CMOS 反相器的功能 }s_hD`'  
&fwS{n;U  
4.4 CMOS反相器设计 ye%iDdf  
N2ied^* 0  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 G,XPT,:%  
<@G8n i  
4.6 CMOS传输门 \L # INP4~  
AQss4[\Dx  
CMOS静态逻辑电路设计 c>HK9z{  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 sbj";h=E  
+ H_WlYg-  
5.2 CMOS与非门的分析 8z2Rry w  
6/Fzco#N  
5.3 CMOS或非门的分析 qQ0C?  
VsK>6S\T  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 !ABiy6d  
amWD-0V  
5.5 组合逻辑电路的设计 I.'b'-^  
(=4W -z7  
5.6 类NMOS电路 EH*o"N`!r  
Dg HaOAdU  
5.7 传输们逻辑电路 (`BSVxJH  
Ge+0-I6 Ju  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 crcA\lJf  
h}`!(K^;3  
动态和时序逻辑电路设计 [#Lc]$  
6.1 动态逻辑电路的特点 "gtHTqheH  
F~:O.$f]G  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 }?F`t[+  
H=*5ASc  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 s>k Uh  
*L6PLe  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 9SlNq05G7  
Jj~EiA  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 vb 1@yQ  
a,F&`Wg  
6.6 CMOS触发器 e^4 p%  
9a\nszwa  
6.7 时序逻辑电路 Pq*s{  
k#8Ti"0  
输入、输出缓冲器 b2 _Yu^  
7.1 输入缓冲器 f/WQ[\<!I  
I;5R2" 3  
7.2 输入保护电路 l`kWz5[~  
kGpa\c g1  
7.3 输出缓冲器 #&v/icz$  
+^*iZ6{+7  
7.4 脱片输出驱动级的设计 f\'{3I29  
XwV'Ha  
7.5 三态输出和双向缓冲器 J=.`wZQkS  
{t};-q!v$j  
MOS存储器 GgaTn!mJt  
8.1 DRAM R52I= a5,*  
Ii7QJ:^  
8.2 SRAM *:i1Lv@  
G: x*BH+  
8.3 ROM和PLD v]__%_  
.NtbL./=|  
MOS IC的版图设计 2pdvWWh3l  
9.1 VLSI的设计方法 8M@BG8  
kB5.(O  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 p ?wI9GY  
L 8{\r$  
9.3 版图设计 ~=R SKyzt  
}I`a`0/  
SOICMOS简介 j~j\\Y  
10.1 SOI CMOS工艺 /?'; nGq  
gm9mg*aM  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 @ P|LLG'  
Lg"C]  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 64:fs?H  
tGB@$UmfU  
BiCMOS电路 t4?DpE  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 2w)-\/j}  
|lv|!]qAma  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 #97h6m?  
u{["50~  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 _HhbIU  
xeGb?DPu  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 V ]90  
'U'yC2BI n  
11.5   BiCMOS电路实例 %,ngRYxT#  
l3 DYg  
MOS 逻辑集成电路(续) -.{g}R%  
nMOS逻辑集成电路 RoAlf+&Qb  
6-1 电阻负载MOS倒相器 @?"h !fyu  
Ie%EH  
6-2 E/E MOS 倒相器 [V:\\$  
IUtx!.]4  
6-3 自举负载MOS 倒相器 zRPeNdX  
2h%z ("3/  
6-4 E/D MOS 倒相器 Qyy.IPTP  
qoAj] ")  
6-5 静态MOS电路 6]-SK$  
+>4;Zd!@d  
CMOS集成电路 n9s iX  
7-1 CMOS 倒相器 FN[{s  
^i:B+ rl  
7-2 CMOS传输门 *_?dVhxf  
RVeEkv[qp  
7-3 静态CMOS 电路  }K3x  
/q5:p`4{J  
7-4 CMOS 门电路的设计 Y/7 $1k  
r7',3V  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 q/n,,!  
t#2(j1  
动态和准静态MOS电路 k?'B*L_Mzv  
8-1 栅电容的电荷存储效应 [}&Sxgv  
A,4fEmWM  
8-2 动态MOS倒相器 ooQQ-?"m  
<n#DT  
8-3 动态MOS电路 @*sWu_ -Y%  
f%*/cpA)  
8-4 准静态MOS触发器 J_;o|gqX  
[KxF'mz9  
8-5 动态和准静态CMOS电路 *M"}z  
e2A-;4?_  
MOS集成电路的版图设计 K>{T_){  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ukUGvK  
,S!azN=  
9-2 MOS集成电路版图设计 Er{>p|n =  
k`N^Vdr  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 @<x*.8  
Nal9M[]c  
MOS大规模集成电路 q7E~+p(>(  
10-1 LSI电路中的CAD技术 Ct>GYk$  
g?ULWeZg5  
10-2 HMOS技术 SBS3?hw  
v'3J.?N  
10-3 MOS存储器 :\o {_  
H7DJ~z~J  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 gp\<p-}  
_BP&n  
10-5 半定制逻辑电路 #NryLE!/  
Nb'''W-iu  
模拟集成电路 W}mn}gTQ  
模拟集成电路中的特殊元件 |Ur"& Z{  
11-1 横向pnp管 io8'g3<  
Ev}C<zk*  
11-2 纵向pnp管 %Da1(bBh  
I<6P;  
11-3 超增益晶体管 }WH&iES@P  
:BV6y|J9O^  
11-4 隐埋齐纳二极管 5l UF7:A>#  
2$ze= /l  
11-5 集成电路中的电容器 #ZrHsf P  
7Bd-!$j+  
11-6 薄膜电阻器 7E79-r&n  
Lo N< oj5  
模拟集成电路中的基本单元电路 .Z `av n  
12-1 差分放大器 M:[ %[+6  
{ix? Brq/  
12-2 恒流源电路和有源负载 UKT%13CO4U  
st:`y=F_  
12-3 基准源电路 9\mLW"  
,NyY>~+  
12-4 模拟开关 @v)p<r^M">  
7>))D'l57  
集成运算放大器 O @j} K4  
13-1 运算放大器的基本概念 j2StXq3  
AicBSqUke  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 Q/(K$6]j  
?R$F)g7<  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Uyg5i[&X@  
;S^'V  
13-4 µA741通用型运算放大器 Ez fN&8E  
t!W(_8j  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 g9}DnCT*.  
Cz\e w B  
模拟集成电 "$+Jnc!!  
14-1 集成电压 i@)i$i4  
93("oBd[s(  
14-2 D/A转换器 -.u]GeMy  
(:TjoXXiY  
14-3 A/D转换器 )U7t  
V3Q+s8OIF  
14-4 MOS模拟集成电路 t{^*6XOcJ  
8dZS i  
模拟集成电路的版图设计 fTS5 yb%  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 ;c-(ObSm  
LrM=*R h,O  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 I7|Pi[e  
ZkRx1S"m  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 0QXVW}`hz  
=9'RM>  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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