华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 <AP.m4N) _  
mX?t|:[b  
第一篇MOS 逻辑集成电路 .CNwuN\  
h`(VMf'#  
MOS晶体管工作原理 1Tev&J  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 s?4nR:ZC}  
$@L2zl1  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 q!~DCv df  
]Zc\si3i&  
1.3 MOS晶体管的电流方程 u1d%w OY  
xVN!w\0  
1.4 MOS瞬态特性 {>XoE %  
iOL/u)   
MOS器件按比例缩小 4X+I2C D  
2.1 按比例缩小理论 7#7|+%W0  
/FC(d
5I  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 7r.~L  
<(V~eo e  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 nV`W0r(f'  
_}T )\o   
2.4 VLSI发展的实际限制 ;18u02z^  
LnsYtkbr  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 }7P[%(T 5  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 vF>]9sMv  
]^i^L  
3.2 CMOS IC 工艺流程 E\cX  
b*{UO  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 tDfHO1pS  
-w5sXnS  
CMOS反相器和CMOS传输门 I:YgK
s)[  
4.1 CMOS反相器的直流特性 rR#wbDr5  
ugTnz$  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 RZ ?SiwE  
jpoNTl'  
4.3 CMOS 反相器的功能 82?LZ?!PD  
zAJC-YC6  
4.4 CMOS反相器设计 J |U
FuD  
sO S^  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 <E^;RG  
,Tk53"  
4.6 CMOS传输门 NmF8BmIj  
{SRD\&J[  
CMOS静态逻辑电路设计 $ d,{I8d  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 Uty0mc(  
{G<1.  
5.2 CMOS与非门的分析 ?.beN[X  
TgJ6O,0  
5.3 CMOS或非门的分析 HMmVfGp]  
tT]mMlKJ  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 &0J8ICd=  
D>Rlm,U  
5.5 组合逻辑电路的设计 ,pQ[e$u1  
%,aSD#l`f  
5.6 类NMOS电路 :QXKG8^  
Q|2*V1"r<2  
5.7 传输们逻辑电路 j7NOYm5N  
>!tfvM2X{  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 CLJn+Y2  
@uG/2'
B(  
动态和时序逻辑电路设计 IH5^M74b  
6.1 动态逻辑电路的特点 roe_H>  
&h=f  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 HsT6 #K  
j_0l'Saj  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 N$.ls48a4-  
0 wDhX  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) wnQi5P+  
eiRVw5g  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 Vf=,@7  
E33x)CP  
6.6 CMOS触发器 )M(//jX  
n,_9Eh#WD  
6.7 时序逻辑电路 !FB2\hiM  
(Fq]y5  
输入、输出缓冲器 s:z  
7.1 输入缓冲器 m2ph8KC  

r|/9'{!  
7.2 输入保护电路 zgn`@y2  
&W&A88FfZU  
7.3 输出缓冲器 w[)HQ1K  
I+jc  
7.4 脱片输出驱动级的设计 [d>2F  
(dV7N  
7.5 三态输出和双向缓冲器 kY'C'9p  
dKw[#(m5v  
MOS存储器 HPo><u  
8.1 DRAM Q2Uk0:M  
{`Mb),G  
8.2 SRAM vH E:TQo4  
``kesz  
8.3 ROM和PLD x$S~>H<a  
E|6@h8#  
MOS IC的版图设计 p-7?S^!l  
9.1 VLSI的设计方法 +|4olK$[  
yV&]i-ey  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 >F/E,U ]  
Ku3NE-)  
9.3 版图设计 !wro7ilMB
 
x"Ij+~i{l  
SOICMOS简介 @Qqf4h  
10.1 SOI CMOS工艺 '6T  *b  
NpGz y`&b  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 .ffr2\'*  
Z_T~2t  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 a3He-76  
:/}=s5aQl/  
BiCMOS电路 V:g
XP1P  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 QX.U:p5C  
;*20b@  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 grJ(z)c  
LM!@LQAMY  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 `0R>r7f)H  
X8XE_VtP  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 _Vr}ipx-k  
Q:Y`^jP   
11.5   BiCMOS电路实例 2W63/kRbU  
#}
UI  
MOS 逻辑集成电路（续） N,ZmGzNP)  
nMOS逻辑集成电路 !nF. whq  
6-1 电阻负载MOS倒相器 tz%H1`  
X@~R<  
6-2 E/E MOS 倒相器 gZ {  
:Z3]Dk;y  
6-3 自举负载MOS 倒相器 ,WS{O6O7  
0-Wv$o[  
6-4 E/D MOS 倒相器 U+@rLQ.-  
S$nEflcz  
6-5 静态MOS电路 3MHByT%  
rmhL|! Y  
CMOS集成电路 12bztlv  
7-1 CMOS 倒相器 )AAPT7!U  
{Ytqs(`   
7-2 CMOS传输门 xx[l #+:c  
k FE<M6a9@  
7-3 静态CMOS 电路 x
)e(g}n  
#!]~E@;E  
7-4 CMOS 门电路的设计 fZ  pUnc  
/SJI ~f+$  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 WVh]<?GWXk  
#h2 qrX&+  
动态和准静态MOS电路 *Q,9 [
k  
8-1 栅电容的电荷存储效应 1tFx Z#(G  
biAa&  
8-2 动态MOS倒相器 wL" 2Cm  
Xe<kd
B3  
8-3 动态MOS电路 *uvE`4V^Jg  
@s~*>k#"#  
8-4 准静态MOS触发器 _t\)W(E&  
3 bll9Ey  
8-5 动态和准静态CMOS电路 D? FWSv  
lxOUV?m^N  
MOS集成电路的版图设计 zirnur1  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Oftjm X_  
t$b{zv9C  
9-2 MOS集成电路版图设计 ]j^rJ|WTH  
q%8Ck)xz  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 >d5L4&r  
jMQ7^(9-  
MOS大规模集成电路 bn 0Rv  
10-1 LSI电路中的CAD技术 )TyI~5>;  
YfU6 mQ  
10-2 HMOS技术 9Gk#2  
mA0|W# NB  
10-3 MOS存储器 @y{ f>nm  
?/^x)Nm  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 1| xo4fmV  
i$ S*5+  
10-5 半定制逻辑电路 .+dego
:  
H(F9&6}  
模拟集成电路 @w@ `-1  
模拟集成电路中的特殊元件 @RFJe $%  
11-1 横向pnp管 k|[86<&[  
uE:`Fo=y  
11-2 纵向pnp管 :tcqb2p  
:ej`]yK |  
11-3 超增益晶体管 $%0A#&DVh  
|n+ `t?L^  
11-4 隐埋齐纳二极管 @c^g<  
V( SRw  
11-5 集成电路中的电容器 `*HM5 1U  
g,d'&r"JWt  
11-6 薄膜电阻器 vFgX]&bE  
Jw)-6WJ!uO  
模拟集成电路中的基本单元电路 oiNt'HQ2/  
12-1 差分放大器 `] 4bH,%~  
S# sar}-I  
12-2 恒流源电路和有源负载 Onj)AJ9M0r  
k9 NPC"  
12-3 基准源电路 O t1:z:Pl  
fT  
12-4 模拟开关 %P`w"H,v3#  
 njg\y  
集成运算放大器 7bC)Co#:  
13-1 运算放大器的基本概念 ?N(opggiD  
Nvj0MD{ X  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ~sbn"OS+  
N4[^!}4  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 }D7} %P]  
^P}c 0}^  
13-4 µA741通用型运算放大器 Rg6/6/ IN  
jRYW3a_7  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 wTkcR^  
o%.0@W  
模拟集成电 h1jEulcMtq  
14-1 集成电压 +je{%,*  
Zia<$kAO  
14-2 D/A转换器 rugR>&mea  
DZ5QC  aA  
14-3 A/D转换器 "Iwd-#;$;  
$KMxq=  
14-4 MOS模拟集成电路 4NxI:d$&*  
jz"-E  
模拟集成电路的版图设计 uPQrDr5  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 I4\ c+f9  
b5.L== >  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 |+r5D4]e  
TU}./b@F  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 6V^KOG  
'e5,%"5(c  
2004.7.7

真不如有真题呀，