华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 u1.BN>G
h@BY]80
第一篇MOS 逻辑集成电路 to&m4+5?6
`H+ lPM66
MOS晶体管工作原理 "gwSJ~:ds
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Qg/rRiV
c*M} N?|6
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 TsZ@
P93@;{c(
1.3 MOS晶体管的电流方程 { xB3S_,8
Ir]\| t
1.4 MOS瞬态特性 ?h2}#wg
Y9|!+,
MOS器件按比例缩小 ch]29
2.1 按比例缩小理论 PI<vxjOK`
2T`!v
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Xm&L
B X
']oQ]Yx0
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 {>;R?TG]$
1 {) Q[#l
2.4 VLSI发展的实际限制 p 4)Q&k!
?% kV?eu'
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 mV m Gg
,
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 i?;Kq~,
L rPkxmR
3.2 CMOS IC 工艺流程 ET >](l9
|&jXp%4T
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 C.QO#b
uVU)d1N
CMOS反相器和CMOS传输门 Ct|A:/z(
4.1 CMOS反相器的直流特性 ze;KhUPRm
=":,.Ttq41
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 ::F|8
J.
@9zA&
4.3 CMOS 反相器的功能 GH
xp7H
yppo6 HGD
4.4 CMOS反相器设计 HorDNRy u
xwty<?dRW1
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ]cruF#`%
M@ZI\
4.6 CMOS传输门 s9d_GhT%-
8.~kK<)!
CMOS静态逻辑电路设计 D,ln)["xm
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 Y4(
*\ q
d
5.2 CMOS与非门的分析 yiI1x*^
9)=ctoZ'
5.3 CMOS或非门的分析 f
V( J|
4H<lm*! ^
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 #5j\C+P}|
T,tdL
N-
5.5 组合逻辑电路的设计 u~-8d;+?y
;({W#Wa
5.6 类NMOS电路 1!gbTeVlY
! v0LBe4
5.7 传输们逻辑电路 })?GzblI&
B93+BwN>95
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 eGH aY4|
O1mK e%'|
动态和时序逻辑电路设计 bY0|N[ g
6.1 动态逻辑电路的特点 mdg i5v
baK$L;Xo:
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 I.k
*GW
1y4
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 $p?
aVO
^ ovR7+V
6.4 时钟CMOS(C2MOS) `$C
n~dT
y;H-m>*%
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 9p2&) kb6
>
"= >3
6.6 CMOS触发器 & 9
?\b7
.h4 \Y A
6.7 时序逻辑电路 ]wG{!0pl
<HVt
V9R
输入、输出缓冲器 fsWTF<Y
7.1 输入缓冲器 'y3!fN =h
v Op K Np
7.2 输入保护电路 .UY^oR=b{
R[ x_j
7.3 输出缓冲器 ~ 1vDV>dpE
7Da`
7.4 脱片输出驱动级的设计 k{SAvKx=
|2n4QBH!
7.5 三态输出和双向缓冲器 FE|
JHh$
cP_.& !T
MOS存储器 Q| ?L*Pq2I
8.1 DRAM oHn
Ky[1
SmSH 2m-
8.2 SRAM 'Xq| Kf (
DwE[D]7o
8.3 ROM和PLD Ao
gV F
jQ^|3#L\
MOS IC的版图设计 54 R#W:t
9.1 VLSI的设计方法 65 $+{
s
MJ
[m
9.2 门阵列和标准单元设计方法 #-i>;Rt
]{ mPh\
9.3 版图设计 !0 L Wa"
;LSANr&
SOICMOS简介 %oa-WmWm
10.1 SOI CMOS工艺 }" %?et(
HjD8u`qQ
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ( !fKNia@S
f=gW]x7'R+
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 '3D XPR^B6
']z{{UNUN
BiCMOS电路 3z9d!I^>k
11.1 MOS和双极型器件性能比较 O#~yKqB
gANuBWh8T
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 e9 5Lo+:f
V0.vQ/
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 '+!1Y o'G
A,hJIe
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 Z=Y& B>:[
G m.T;fc:
11.5 BiCMOS电路实例 6/Xk7B
a
/l)qB#
MOS 逻辑集成电路（续） >#~& - 3
nMOS逻辑集成电路 ~>Fu5i $i
6-1 电阻负载MOS倒相器 [{<`o5qR
m^f0V2M_
6-2 E/E MOS 倒相器 JG!m c7
%x{kc3PnO
6-3 自举负载MOS 倒相器 >G*eNn
;F!5%}OcL%
6-4 E/D MOS 倒相器 aS{n8P6vW
EZy)A$|
6-5 静态MOS电路 _A5e{Gb
_jI,)sr4ic
CMOS集成电路 |\<`Ib4j
7-1 CMOS 倒相器 '()xHEGl3
8#
>op6^
7-2 CMOS传输门 $@Rxrx_@M
o ]` *M|
7-3 静态CMOS 电路 KL:j?.0
{M$1N5Eh
7-4 CMOS 门电路的设计 q J= ~Y|(
2LL'J7
7-5 CMOS电路中的锁定效应 tl4V7!U@^z
?
m=
N]!n
动态和准静态MOS电路 +p_CN*10H
8-1 栅电容的电荷存储效应 yw [g!W
;%5N%0,
8-2 动态MOS倒相器 )uIe&B
Ic:(Gi- %
8-3 动态MOS电路 }DE g-j,F
ygS;$2m%2
8-4 准静态MOS触发器 gX}8#O.K$
yZ(zdM\/sL
8-5 动态和准静态CMOS电路 [0[i5'K:
kr5"> "7
MOS集成电路的版图设计 Y3 cMC)
9-1 MOS集成电路的工艺设计 B6nX$T4zP
TnOggpQ6X
9-2 MOS集成电路版图设计 V/LLaZ TE
'8. r-`l(
9-3 MOS集成电路版图设计举例 o>i4CCU+
]G= L=D^cK
MOS大规模集成电路 I H&|Tcf\
10-1 LSI电路中的CAD技术 VT`^W Hu
Ugt/rf 5n
10-2 HMOS技术 [{,T.;'<j
L>NL:68yN
10-3 MOS存储器 x8\?}UnB
@|m/djN5x
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 7~% ?#
&|ex`nwc 0
10-5 半定制逻辑电路 l
-m fFN
El".I?E*
模拟集成电路 r~8 $1"
模拟集成电路中的特殊元件 ^4hO
11-1 横向pnp管 wqs? 828x
mzKiO_g}
11-2 纵向pnp管 9(7-{,c
"ycJ:Xv49
11-3 超增益晶体管 ({)+3]x
[;yOBF
11-4 隐埋齐纳二极管 w<3#1/g!2B
o4,6. 1}
11-5 集成电路中的电容器 9};8?mucr
$G+@_'
11-6 薄膜电阻器 (D&3G;0
tK
Yn Mvl
模拟集成电路中的基本单元电路 xn(kKB .
12-1 差分放大器 vWv"
g2ixx+`?|:
12-2 恒流源电路和有源负载 ]^7@}Ce_
5d^sA;c
12-3 基准源电路 _Y4` xv0/
=v&hWj P
12-4 模拟开关 itP,\k7>d
783,s_
集成运算放大器 *n
]GsOOn
13-1 运算放大器的基本概念 b\!_cb~ "@
"|q& ea rc
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ZJJY8k `
v{N`.~,^
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 _ < V)-Y
"+nR GEs6
13-4 µA741通用型运算放大器 RSRS wkC
k]|~>9eY]
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 7xlkZF
U '_Q>k
模拟集成电 cqkV9f8Ro
14-1 集成电压 z&\a:fJ &
u
c)eil
14-2 D/A转换器 f
T ec
.~;\eW [
14-3 A/D转换器 4p F*"B
M7~2iU<#
14-4 MOS模拟集成电路 8TKnL\aar
q3!bky\
模拟集成电路的版图设计 .`eN8Dl1
15-1 模拟集成电路版图设计特点 0s[Hkhls
r l%
15-2 模拟集成电路中的相容技术 W{+2/P
#c!lS<z
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 $6 f3F?y7
{!L~@r
2004.7.7
