华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 <AP.m4N) _
mX?t|:[b
第一篇MOS 逻辑集成电路 .CNwuN\
h`( VMf'#
MOS晶体管工作原理 1Tev&J
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 s?4nR:ZC}
$@L2zl1
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 q!~DCv df
]Zc\si3i&
1.3 MOS晶体管的电流方程 u1d%w
OY
xVN!w\0
1.4 MOS瞬态特性 {>XoE %
iOL/u)
MOS器件按比例缩小 4X+I2C
D
2.1 按比例缩小理论 7#7|+%W0
/FC(d5I
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 7r.~L
<(V~eo
e
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 nV`W0r(f'
_}T )\o
2.4 VLSI发展的实际限制 ;18u02z^
LnsYtkbr
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 }7P[%(T
5
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 vF>]9sMv
]^i^L
3.2 CMOS IC 工艺流程 E\cX
b*{UO
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 tDfHO1pS
-w5sXnS
CMOS反相器和CMOS传输门 I:YgKs)[
4.1 CMOS反相器的直流特性 rR#wbDr5
ugTnz$
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 RZ ?SiwE
jpoNTl'
4.3 CMOS 反相器的功能 82?LZ?!PD
zAJC-YC6
4.4 CMOS反相器设计 J |UFuD
sO
S^
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 <E^;RG
,Tk53 "
4.6 CMOS传输门 NmF8BmIj
{SRD\&J[
CMOS静态逻辑电路设计 $
d,{I8d
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 Uty0mc(
{G<1.
5.2 CMOS与非门的分析
?.beN[X
TgJ6O,0
5.3 CMOS或非门的分析 HMmVfGp]
tT]mMlKJ
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 &0J8ICd=
D>Rlm,U
5.5 组合逻辑电路的设计 ,pQ[e$u1
%,aSD#l`f
5.6 类NMOS电路 :QXKG8^
Q|2*V1"r<2
5.7 传输们逻辑电路 j7NOYm5N
>!tfvM2X{
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 CLJn+Y2
@uG/2'B(
动态和时序逻辑电路设计 IH5^M74b
6.1 动态逻辑电路的特点 roe_H>
&h=f
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 HsT6 #K
j_0l'S aj
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 N$.ls48a4-
0 wDhX
6.4 时钟CMOS(C2MOS) wnQi5P+
eiRVw5g
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 Vf=,@7
E33x)CP
6.6 CMOS触发器 )M(//jX
n,_9Eh#WD
6.7 时序逻辑电路 !FB2\hiM
(Fq]y5
输入、输出缓冲器 s:z
7.1 输入缓冲器 m2ph8KC
r|/9'{!
7.2 输入保护电路 zgn`@y2
&W&A88FfZU
7.3 输出缓冲器 w[)HQ1K
I+jc
7.4 脱片输出驱动级的设计 [d>2F
(dV7N
7.5 三态输出和双向缓冲器 kY'C'9p
dKw[#(m5v
MOS存储器 HPo><u
8.1 DRAM Q2Uk0:M
{`Mb ),G
8.2 SRAM vH E:TQo4
``kesz
8.3 ROM和PLD x$S~>H<a
E|6@h8#
MOS IC的版图设计 p-7?S^!l
9.1 VLSI的设计方法 +|4olK$[
yV&]i-ey
9.2 门阵列和标准单元设计方法 >F/E,U ]
Ku3NE-)
9.3 版图设计 !wro7ilMB
x"Ij+~i{l
SOICMOS简介 @Qqf4h
10.1 SOI CMOS工艺 '6T
*b
NpGz y`&b
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 .ffr2\'*
Z_T~2t
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 a3He-76
:/}=s5aQl/
BiCMOS电路 V:g XP1P
11.1 MOS和双极型器件性能比较 QX.U:p5C
;*20b@
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 grJ(z)c
LM!@LQAMY
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 `0R>r7f)H
X8XE_VtP
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 _Vr}ipx-k
Q:Y`^jP
11.5 BiCMOS电路实例 2W63/kRbU
#}UI
MOS 逻辑集成电路(续) N,ZmGzNP)
nMOS逻辑集成电路 !nF.
whq
6-1 电阻负载MOS倒相器 tz%H1`
X@~R<
6-2 E/E MOS 倒相器 gZ {
: Z3]Dk;y
6-3 自举负载MOS 倒相器 ,WS{O6O7
0-Wv$o[
6-4 E/D MOS 倒相器 U+@rLQ.-
S$nEflcz
6-5 静态MOS电路 3MHByT%
rmhL|!
Y
CMOS集成电路 12 bztlv
7-1 CMOS 倒相器 )AAPT7!U
{Ytqs(`
7-2 CMOS传输门 xx[l
#+:c
k FE<M6a9@
7-3 静态CMOS 电路 x)e(g}n
#!]~E@;E
7-4 CMOS 门电路的设计 fZ pUnc
/SJI ~f+$
7-5 CMOS电路中的锁定效应 WVh]<?GWXk
#h2 qrX&+
动态和准静态MOS电路 *Q,9
[k
8-1 栅电容的电荷存储效应 1tFx
Z#(G
biAa&
8-2 动态MOS倒相器 wL"
2Cm
Xe<kdB3
8-3 动态MOS电路 *uvE`4V^Jg
@s~*>k#"#
8-4 准静态MOS触发器 _t\)W(E&
3 bll9Ey
8-5 动态和准静态CMOS电路 D?
FWSv
lxOUV? m^N
MOS集成电路的版图设计 z irnur1
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Oftjm
X_
t$b{zv9C
9-2 MOS集成电路版图设计 ]j^rJ|WTH
q%8Ck)xz
9-3 MOS集成电路版图设计举例 >d5L4&r
jMQ7^(9-
MOS大规模集成电路 bn
0Rv
10-1 LSI电路中的CAD技术 )TyI~5>;
YfU6
mQ
10-2 HMOS技术 9Gk#2
mA0|W#
NB
10-3 MOS存储器 @y{
f>nm
?/^x)Nm
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 1|
xo4fmV
i$
S*5+
10-5 半定制逻辑电路 .+dego:
H(F9&6}
模拟集成电路 @w@ `-1
模拟集成电路中的特殊元件 @RFJe $%
11-1 横向pnp管 k|[86<&[
uE:`Fo=y
11-2 纵向pnp管 : tcqb2p
:ej`]yK |
11-3 超增益晶体管 $%0A#&DVh
|n+
`t?L^
11-4 隐埋齐纳二极管 @c^g<
V( SRw
11-5 集成电路中的电容器 `*HM5 1U
g,d'&r"JWt
11-6 薄膜电阻器 vFgX]&bE
Jw)-6WJ!uO
模拟集成电路中的基本单元电路 oiNt'HQ2/
12-1 差分放大器 `]
4bH,%~
S# sar}-I
12-2 恒流源电路和有源负载 Onj)AJ9M0r
k9 NPC"
12-3 基准源电路 O t1:z:Pl
fT
12-4 模拟开关 %P`w"H,v3#
njg\y
集成运算放大器 7bC)Co#:
13-1 运算放大器的基本概念 ?N(opggiD
Nvj0MD{ X
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ~sbn"OS+
N4[^!}4
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 }D7} %P]
^P}c
0}^
13-4 µA741通用型运算放大器 Rg6/6/ IN
jRYW3a_7
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 wTkcR^
o%.0@W
模拟集成电 h1jEulcMtq
14-1 集成电压 +je{%,*
Zia<$kAO
14-2 D/A转换器 rugR>&mea
DZ5QC
aA
14-3 A/D转换器 "Iwd-#;$;
$KMxq=
14-4 MOS模拟集成电路 4NxI:d$&*
jz"-E
模拟集成电路的版图设计 uPQrDr5
15-1 模拟集成电路版图设计特点 I4\
c+f9
b5.L== >
15-2 模拟集成电路中的相容技术 |+r5D4]e
TU}./b@F
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 6V^KOG
'e5,%"5(c
2004.7.7