华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 Epm=&6 zf
N:@C%
UW
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第一篇MOS 逻辑集成电路 ^ok;<fJ
>AW=N
MOS晶体管工作原理 L%.GKANM
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 \$h LhYz-
V ;)q?
ZHg
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 @kKmkVhu*
{q:o}<-L+
1.3 MOS晶体管的电流方程 Q( KLx )
^eEj
5Rh
1.4 MOS瞬态特性 :*!u\lV \
=#< hT
s
MOS器件按比例缩小 5Ffz^;i
2.1 按比例缩小理论 sy` : wp
(K+TqJw
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 5 b[:B~J
)8yee~+TN
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 AAdRuO{l1
v}]x> f
2.4 VLSI发展的实际限制 .so{ RI
S~F:%@,*
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 j78xMGKO
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 @X/S
h:
xIrpGLPS
h
3.2 CMOS IC 工艺流程 bYdC.AE
KX)xCR~
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 x[}e1sXXs
),\>'{~5&
CMOS反相器和CMOS传输门 FzpWT-jnDd
4.1 CMOS反相器的直流特性 "\BP+AF
".xai.trr
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 i? AZ| Ha[
vEzzdDwi6
4.3 CMOS 反相器的功能 :/%Vpdd@
Ip4NkUI3T
4.4 CMOS反相器设计 R~ w(]
@LL&ggV?
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 :
1fik
? 3}UO:B
4.6 CMOS传输门
}aNi O85
GYO\l.%V5y
CMOS静态逻辑电路设计 HqXo;`Yy}
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 FOk @W&
RaU.yCYyu
5.2 CMOS与非门的分析 4(aesZ8h
(u G4W|?p
5.3 CMOS或非门的分析 OaCL
'!
5GJ0E Z'X
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 _kY5
6
3yKI2en "
5.5 组合逻辑电路的设计 "{x~j \<
Tc88U8Gc
5.6 类NMOS电路 R NA03
:x {Q
5.7 传输们逻辑电路 S-rqrbr|AT
b<F 4_WF
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 KFZ[gqW8YY
4o*V12_r'4
动态和时序逻辑电路设计 __ mtZ{
6.1 动态逻辑电路的特点 li%-9Jd
Mb>6 .l
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 AltE~D/4
6 #KI?
6
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 s^oN
Q}
@qC:% | >
6.4 时钟CMOS(C2MOS) {;4PP463
ob00(?;H
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 ya_'Oz!C
vLS9V/o
6.6 CMOS触发器 T8441qo{>
epbp9[
`
6.7 时序逻辑电路 %8*d)AB:
P\ s+2/
输入、输出缓冲器 W<LaR,
7
7.1 输入缓冲器 hX_p5a1t
-*lP1Nbp
7.2 输入保护电路 ,xz^ k/.
*_QHtZG
7.3 输出缓冲器 cx,A.Lc
]= NYvv>H
7.4 脱片输出驱动级的设计 M([H\^\:
3b 3cNYP
7.5 三态输出和双向缓冲器 x!~OK::o8
nTU~M~gky
MOS存储器 @L!#i*> 9
8.1 DRAM ^.C X6%
DP_Pqn8p&M
8.2 SRAM 8~ )[d!'
{@
y,
8.3 ROM和PLD YB{E= \~
3Gl]g/
MOS IC的版图设计 C5
5n
9.1 VLSI的设计方法 (1,#=e+
/mwr1GU
9.2 门阵列和标准单元设计方法
_O;~
}N4u
9BD|uU;0
9.3 版图设计 i>Bi&azx
K2rS[Kdfaq
SOICMOS简介 M y"!j,Up
10.1 SOI CMOS工艺 f5b`gvCY,#
e~s7ggg2k
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 K}=8:BaUL
DYKV54\ue
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 M}oj!xGB
.(dmuV9
BiCMOS电路 4Eh BpTg
11.1 MOS和双极型器件性能比较 .-u k
lzy$.H"W
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 /-K dCp~
8cBW] \ v
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 9poEUjBI
v*'iWHCl,
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 x$5nLS2.
=7]Q6h@X
11.5 BiCMOS电路实例 :
9?Cm`
1[/$ZYk:
MOS 逻辑集成电路（续） $|cp;~ 1
nMOS逻辑集成电路 af?\kBm
6-1 电阻负载MOS倒相器 tY$ty0y-e
8/>w gY
6-2 E/E MOS 倒相器 J'\eS./w|
;+ C o!L
6-3 自举负载MOS 倒相器 `^&15?Wk
ny
6-4 E/D MOS 倒相器 2 -p
] EVe@
6-5 静态MOS电路 S QM(8*:X
C Dn R
CMOS集成电路 {Ukc D+.Y
7-1 CMOS 倒相器 6&
&} P79
l)i &ATvCE
7-2 CMOS传输门 *_ {
l
0?6 If+AC
7-3 静态CMOS 电路 l C /Hib
% Vw|5yA4
7-4 CMOS 门电路的设计 PzMlua
rTP5-
4
7-5 CMOS电路中的锁定效应 /jjW/ lr
/jZaU`
动态和准静态MOS电路 -40'[a9E
8-1 栅电容的电荷存储效应 `' [7~ Ew[
4]DAh
8-2 动态MOS倒相器 "RV`L[(P*k
h V|v6 _
8-3 动态MOS电路 vgh ^fa!/
l50|`
6t
8-4 准静态MOS触发器 H-/; l5 4E
Id V,%d{
8-5 动态和准静态CMOS电路 .6O52E
), nCq^Bp
MOS集成电路的版图设计 fV.A=*1l#
9-1 MOS集成电路的工艺设计 T:K"
" 8wf.nZ
9-2 MOS集成电路版图设计 Q(~3pt
Z&+NmOY4
9-3 MOS集成电路版图设计举例 zuC 58B
)z 2|"Lp
MOS大规模集成电路 0[n c7)sW
10-1 LSI电路中的CAD技术 pY+.SuM
y-w2O]
10-2 HMOS技术 UJee&4C-y
fH{9]TU_:
10-3 MOS存储器 $q Zc!Qc
k sB
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 dO>k5!ge|:
p yUNRqp
10-5 半定制逻辑电路 DJm oW
>;&Gz-lm
模拟集成电路 'M~BE\
模拟集成电路中的特殊元件 NJn &>/vM
11-1 横向pnp管 lp,\]]
UH5w7M
11-2 纵向pnp管 V -q%r
4rI:1 yGt@
11-3 超增益晶体管 Dc5bkm
c]6V"Bo}A
11-4 隐埋齐纳二极管 'I&|1I^
z )5S^{(
11-5 集成电路中的电容器 aGpCNc{+
?Q@L-H`
11-6 薄膜电阻器 }ppVR$7]0
kt :)W])V
模拟集成电路中的基本单元电路 OQ6sv/
12-1 差分放大器
#;d)?
6G'<[gL
j
12-2 恒流源电路和有源负载 Q4X7Iu:
,!`SY )
12-3 基准源电路 N;<//,
!/947Rn
12-4 模拟开关 *9J1$Wa
,E&Bn8L~ O
集成运算放大器 prZ55MS.
13-1 运算放大器的基本概念 +O'vj
r:-WzH(Ms
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 X:Q$gO?[4
/K AlK5<
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Uan ,H1a
sMH#BCC
13-4 µA741通用型运算放大器 _F izgs
PRD_!VOW
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 Vu [:A
FSU<Y1|XM
模拟集成电 .j
U Z
14-1 集成电压 .B>B`q;B
t^.'>RwW|
14-2 D/A转换器 kM!V .e[ g
:mpiAs<%U"
14-3 A/D转换器 o 7G> y#Y
!9r:&n.\
14-4 MOS模拟集成电路 ANMYX18M
ID4~ Gn
模拟集成电路的版图设计 ,- '4L9
15-1 模拟集成电路版图设计特点 [9V]
On
Q2/.6 O8
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ] TSg!H
di g~J\
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 xhw-2dl*H
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U|&
2004.7.7
