华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 #z*,CU#S9d
m1"m K M
第一篇MOS 逻辑集成电路 H U|.5tP
rFRcK>X\L
MOS晶体管工作原理 '
wND
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 d7OygDb <
c/;
;zc
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 ;H_/o+
) r2Y@+.FN
1.3 MOS晶体管的电流方程 N9e'jM>Oos
ej
ROJXB
1.4 MOS瞬态特性 /WrB>w
|V Bt:dd<
MOS器件按比例缩小 "g{q=[U}
2.1 按比例缩小理论 XH% L]
#@XBHJ
D\#
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Rn1oD3w
z
A,vp^
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 D tsZP
(
S$6|K Y u
2.4 VLSI发展的实际限制 ] -=L7a
p~pD`'%
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 #lYyL`B+~
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 uZqL'l+/y
Y"Cf84E
3.2 CMOS IC 工艺流程 P"YdB|I
X\ }l" ]
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 !b8V&<
dbp \tWaW
CMOS反相器和CMOS传输门 xQoZ[
4.1 CMOS反相器的直流特性 OgQd yU
XJ18(Q|w'
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 aukcO ;oG<
TCr4-"`r-{
4.3 CMOS 反相器的功能 y Zaf q"o
CSM"Kz`
4.4 CMOS反相器设计 xc^
@"
"<,lqIqA;
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 F%OP,>zl
S{c/3k ~
4.6 CMOS传输门 8 Rx@ _
OO:S2-]Y>e
CMOS静态逻辑电路设计 (gt\R}
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 i:lc]B
|v&)O) Jg
5.2 CMOS与非门的分析 *?)MJ@
2Q^ q$@L
5.3 CMOS或非门的分析 "LBMpgpU
)aS:h}zn
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 m\:^9A4HCg
Kb~nC6yJc
5.5 组合逻辑电路的设计 m=l >8
0.MB;gm:
5.6 类NMOS电路 K #3^GB3P
L+t
/
E`
5.7 传输们逻辑电路 SN6 QX!3
A 95f !a
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 vNO&0
~
x]^d'o:cDP
动态和时序逻辑电路设计 7@ym:6Y+]
6.1 动态逻辑电路的特点 *
5'8jC"2g
&;Ncc,jb
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 y?s z&*:
2&hv6Y1
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 GT6; I7
>+O0W)g{o
6.4 时钟CMOS(C2MOS) -J v,#Z3
|d0 X1(
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 =?]`Xo,v~
RDps{),E;d
6.6 CMOS触发器 FB k7Cn!
(Mc{nFqS
6.7 时序逻辑电路 #JUh"8N'
`E~"T
0RX
输入、输出缓冲器 {$S "S j
7.1 输入缓冲器 = Jp:dM*
L7ae6#5.
7.2 输入保护电路 N8]DzE0%
g?
vz\_
7.3 输出缓冲器 4s{=/,f
tY$@,>2 v
7.4 脱片输出驱动级的设计 4KH'S'eR
gmp@ TY=:L
7.5 三态输出和双向缓冲器 Xl=RaV^X"
P`rfDQoZ
MOS存储器 &5}YTKe}|
8.1 DRAM vhMoCLb
=2q#- ,t
8.2 SRAM rL<N:@HL
q:_:E*o
8.3 ROM和PLD \LUW?@gLa
TY/'E#.
MOS IC的版图设计 cO:lpsKYQ
9.1 VLSI的设计方法 o^@#pU <
LYAGpcG
9.2 门阵列和标准单元设计方法 IlF_g`
U_jW5mgsG
9.3 版图设计 @l3&vt2=J
F OD'&Yb&
SOICMOS简介 UhR^Y{W5
10.1 SOI CMOS工艺 iK2f
]h
y%|E z
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 pZ $>Hh #
H M(X8iNt
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应
/ 1TK+E$
M*'8$|Z
BiCMOS电路 /.s
L[X-G
11.1 MOS和双极型器件性能比较 W +Piqf*
iTevl>p!
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 S#CaJ} M
BgN^].z&
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 1/bTwzR.g
};r E N`L
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 :bo2H[U+
EqHToD I3
11.5 BiCMOS电路实例 lhQMR(w^
Bd *Ok]
MOS 逻辑集成电路（续） TN Z -0
nMOS逻辑集成电路 R,7.o4Wt
6-1 电阻负载MOS倒相器 8/B8yY-O
']Czn._
6-2 E/E MOS 倒相器 ao7M([ff
A[4HD!9 =
6-3 自举负载MOS 倒相器 U e-AF#
@Nm{H
6-4 E/D MOS 倒相器 EGRIhnED#
X+;#^A3
6-5 静态MOS电路 a@_n>$LZL
8eCh5*_$
CMOS集成电路 .|:(VG$MfI
7-1 CMOS 倒相器 "T8b.ng
#p{ 8
7-2 CMOS传输门 ?iaO+G &|
2#R0Bd
7-3 静态CMOS 电路 =%77~q-HL
<e|B7<.
7-4 CMOS 门电路的设计 '*U_!RmQ
#pD=TMefC
7-5 CMOS电路中的锁定效应 IQ JFL
+f
U~|)=+%O
动态和准静态MOS电路 qe uc^+P;
8-1 栅电容的电荷存储效应 |o_
N$70
3D,tnn+J
8-2 动态MOS倒相器 Ch=jt*0
>)`*:_{
8-3 动态MOS电路 pfMmDl5|
\O>;,(>i
8-4 准静态MOS触发器
k
c L
+
JWQd6JQ_~V
8-5 动态和准静态CMOS电路 t4 zKI~cO
[L2N[vy;
MOS集成电路的版图设计 Z%{`j!!p
9-1 MOS集成电路的工艺设计 bz\nCfU
gp\o|igT
9-2 MOS集成电路版图设计 tv9 R$-cJ
wWJM./y
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ocj^mxh =O
ZjgfkZAS
MOS大规模集成电路 G'iE `4`2
10-1 LSI电路中的CAD技术 .A7ON1lc^C
k~iA'E0-
10-2 HMOS技术 JPe<qf-
J)^Kls\> t
10-3 MOS存储器 IP#qT
`=}
)%I6 2<N,z
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 [58qC:
s&W^?eKr
10-5 半定制逻辑电路 LV]F?O[K=
Ix.Y_}
模拟集成电路 }h
o6
模拟集成电路中的特殊元件 6P`!yBAu
11-1 横向pnp管 M^y5 Dep
;/(<yu48
11-2 纵向pnp管 bx3kd+J7
P?M WT]fY
11-3 超增益晶体管 'dd[= vzK
bP1]:^ x@W
11-4 隐埋齐纳二极管
Qj FE
0?,%B? A8O
11-5 集成电路中的电容器 }b]z+4U a(
xY`$j'u
11-6 薄膜电阻器 8'Vc
aU7Nh
PLQLGb4f_;
模拟集成电路中的基本单元电路 :cE~\B S&
12-1 差分放大器 ^r^) &]
XjJ[7" hs*
12-2 恒流源电路和有源负载 t|cTl/i
4
-e_L2<7
12-3 基准源电路 m 3"|$0C~
+IbQVU~/
12-4 模拟开关 YjwC8#$
PG
'+vl
集成运算放大器 HpR(DG)
?
13-1 运算放大器的基本概念 "' ]|o ~B
U<.,"`=l
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 0I"r*; 9?K
*waaM]u
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性
{_
>}K
4
{Af 3N
13-4 µA741通用型运算放大器 K_ [B@( Xl
a X :,1^
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 \LQ54^eB
NaYr$`
模拟集成电 Gil mJ2<
14-1 集成电压 ~)IiF.I b
nx'Yevi0$
14-2 D/A转换器 >}6V=r3[+
SH/^qDT'
14-3 A/D转换器 -5sKJt]+i
p1B~F
14-4 MOS模拟集成电路 db0 ]D\
T~- OC0
模拟集成电路的版图设计 qC ku
q
15-1 模拟集成电路版图设计特点 6z
,nt
|++\"g
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ,RIC _26
U) i q
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 !pAb+6~T
Xjs`iK=w
2004.7.7
