华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ?@,EGY <
WIf.;B)L
第一篇MOS 逻辑集成电路 :M6v<Kg{;
`s T; \
MOS晶体管工作原理 aMhVO(+FW
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 q0VAkVHw4
v { >3) $1
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 U?:P7YWy
2.niB>
1.3 MOS晶体管的电流方程 )^{}ov
8CZfz
!2
1.4 MOS瞬态特性 M[ 'O`^
[m
0X kv d
MOS器件按比例缩小 >bf.T7wy
2.1 按比例缩小理论 F6[F~^9D
s% K( hk
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ?QT6q]|d0+
.A<Hk1(-)
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 %}9tU>?F#
OLb s~
>VA
2.4 VLSI发展的实际限制 r9_ O N|
>z \IO
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 p!YK~cH[
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 !2Nk
Deh3Dtg/k
3.2 CMOS IC 工艺流程 W7! gD
J#Hh4Kc
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 V )<>W_g
R<&Euph
CMOS反相器和CMOS传输门 I
</P_:4G
4.1 CMOS反相器的直流特性 "i ;.>
4<#ItQ(
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性
F5Xb_&
X#&5?oq`
4.3 CMOS 反相器的功能 r V%6 8x9
k-|
g
4.4 CMOS反相器设计 7y|U!r"Y
7@;*e=v
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 A?lL K&*
kT@ITA22
4.6 CMOS传输门 $k\bP9
k2D*`\
D
CMOS静态逻辑电路设计 J=3{<Xl
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点
Pw<?Dw]m
x *I'Ar
5.2 CMOS与非门的分析 U 7x
7p. 8{zQ*
5.3 CMOS或非门的分析 7#E/Q~]'6
s9wzN6re
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 MF"*xr v
arm_SyL 0
5.5 组合逻辑电路的设计 s=jmvvs_V}
QlGK+I>y;
5.6 类NMOS电路 A5Jadz ~
;
pBLmm*F
5.7 传输们逻辑电路 \7LL neq
F ` :Q
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 Sn-#Y(>]o0
0OHX g=
动态和时序逻辑电路设计 $=plAi
6.1 动态逻辑电路的特点 %D iQTg7V,
AJ/Hw>>$?m
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 _K9PA[m5 ~
uN<=v&]q
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 / 1LN\Eu
@TALZk'%
6.4 时钟CMOS(C2MOS) oqwW
j4i$2ZT'
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 DL,R~
Q I";[
6.6 CMOS触发器
ia\ Gmh
h{mzYy} b
6.7 时序逻辑电路 $CB&>?~
bsu?Q'q
输入、输出缓冲器 |5;,]lbt
7.1 输入缓冲器 i}LQ}35@
&k) +]r
7.2 输入保护电路 -aJ(-Np$f
{
@KLN<
7.3 输出缓冲器 kVtP~
:c]y/lQmV
7.4 脱片输出驱动级的设计 3\ajnd|
uvl91~&G
7.5 三态输出和双向缓冲器 S3x^#83
PYQ
MOS存储器 d
>L8S L
8.1 DRAM ){GJgk|P
rs4:jS$)
8.2 SRAM # d"M(nt
kN 2mPD/
8.3 ROM和PLD hlyh8=Z6o
0e>?!Z
E
MOS IC的版图设计 Us ht\<{
9.1 VLSI的设计方法 7y& =YCkc7
2
O(k@M5E?
9.2 门阵列和标准单元设计方法 b^[>\s'
6R m d t
9.3 版图设计 ajRht +{
m?Jnb\0
SOICMOS简介 z1RHdu0;z
10.1 SOI CMOS工艺 Wsd_RT }ww
b%F'Ou~
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 n}%_H4t
r_ 9"^Er
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ;,/G*`81B
L ) _ VdB
BiCMOS电路 Y edF%
11.1 MOS和双极型器件性能比较 /;TD n>lq
R p
zuSh
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 HE4S%#bH>
V !e`P
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 7}=MVp] )S
w0>5#j q#r
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 y#ON= 8l
Oa5-^&I
11.5 BiCMOS电路实例 /KiaLS
UA0R) BH'
MOS 逻辑集成电路（续） q<g!bW%
nMOS逻辑集成电路 odeO(zuU
6-1 电阻负载MOS倒相器 -RThd"
CZv^,O(M?2
6-2 E/E MOS 倒相器 \bSakh71
/{ 8 .Jcx$
6-3 自举负载MOS 倒相器 DqH]F S?]
C5^N)-]"
6-4 E/D MOS 倒相器 1kc{ `oL
{ 6*UtG
6-5 静态MOS电路 RCGpZyl
Bm^8"SSN
CMOS集成电路 \cAifU
7-1 CMOS 倒相器 # 4sSt-s&
0?g& < q
7-2 CMOS传输门 $)O\i^T
m`3gNox
7-3 静态CMOS 电路 QRY7ck:N
< daBP[
7-4 CMOS 门电路的设计 Eid~4a
|VX0o2
7-5 CMOS电路中的锁定效应 6FI`0j= ~
#mv~1tL
动态和准静态MOS电路 cT^x^%
8-1 栅电容的电荷存储效应 t4,(W`
k$K>ml/h
8-2 动态MOS倒相器 Il s ^t
cNRe >
8-3 动态MOS电路 oMZ|)(7C
.*w3 ryQ
8-4 准静态MOS触发器 E@ ! ~q
WPNvZg9*c
8-5 动态和准静态CMOS电路 cX-) ]D
yNmzRH u
MOS集成电路的版图设计 bMF`KRP2
9-1 MOS集成电路的工艺设计 2Y{r2m|o
|/p2DU2
9-2 MOS集成电路版图设计 k;y5nXIlN
S QVyCxcX_
9-3 MOS集成电路版图设计举例 -qndBS
FZhjI 8+,~
MOS大规模集成电路 erZ%C <
10-1 LSI电路中的CAD技术 5oI gxy
@8 GW?R
10-2 HMOS技术 mq~L1< f
'@+a]kCMev
10-3 MOS存储器 o8lwwM*
v/lQ5R1
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 !;^TW$ G
u9%)_Q!14
10-5 半定制逻辑电路 -{XXU )Z
.FXn=4l'vV
模拟集成电路 ?rgk
模拟集成电路中的特殊元件 uEKa
FRm
11-1 横向pnp管 L> EC^2\
u ?n{r
11-2 纵向pnp管 w_!]_6%{b
6+[7UH~pm^
11-3 超增益晶体管 f#9\&-h e0
n7 S~n k
11-4 隐埋齐纳二极管 \;G 97
o
"ujt:4 p@
11-5 集成电路中的电容器 +wwK#ocw
Ag`:!*
11-6 薄膜电阻器 <v)Ai;l,
_ADK8a6%)
模拟集成电路中的基本单元电路 |H4/a;]~
12-1 差分放大器 &v^LxLt+s
-l!;PV S|
12-2 恒流源电路和有源负载 >Cjb|f3'i}
T?+xx^wYk
12-3 基准源电路 2ajQ*aNq
b)A$lP %`
12-4 模拟开关 g [P 8
r $*p
集成运算放大器 VlVd"jW
13-1 运算放大器的基本概念 2EOt .4cP
RJ%~=D
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ;!k1LfN
$siiG|)C1
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 8yH) 8:w
}cll ? 2
13-4 µA741通用型运算放大器 {} ZQK
X }yEMe {T
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 nJYcC"f
7 3k3(rZ
模拟集成电 eD* "#O)W
14-1 集成电压 :_tsS)Q2m
1x]U&{do
14-2 D/A转换器 zb}:wUR
Ftm%@S ?
14-3 A/D转换器 <BQ4x .[
!9i,V{$c`"
14-4 MOS模拟集成电路 +EcN[-~
?0+D1w
模拟集成电路的版图设计 1dOVH7
15-1 模拟集成电路版图设计特点 u|\Lb2Kb:
Xb42 R1
15-2 模拟集成电路中的相容技术 @R?S-*o
`,&h!h((
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 ^zQ;8) ng
u(SdjLf:
2004.7.7
