华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 5~VosUp e7
M[P^]J@
第一篇MOS 逻辑集成电路 Eu<r$6Q0}o
DZ`k[Z.VZ
MOS晶体管工作原理 V | ?WF&
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 k n Hv?#
&d^=s iL
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 &^QPkX@p
F? ]N8W
1.3 MOS晶体管的电流方程 TipHV;|e
mb1IQ &
1.4 MOS瞬态特性 vOT*iax
0
>{&A%b
4JF
MOS器件按比例缩小 zG%
|0
2.1 按比例缩小理论 \+B?}P8N*l
{*x Bm#
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 rz
_Z#eS/,O@
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 &YX6"S_B
)x\z@g
2.4 VLSI发展的实际限制 j$P I,`
Y n<)k_kp
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 OlG R<X
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 *x,HnHT
Y mDn+VIg
3.2 CMOS IC 工艺流程 V5s& hZZYa
P|}\/}{`
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 #v/ry)2Y=
>d%VDjk .
CMOS反相器和CMOS传输门 Je~p%m#e;K
4.1 CMOS反相器的直流特性 2Ow<`[7
_S5gcPcF"
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 mQ,{=C=D
:~-i&KN k
4.3 CMOS 反相器的功能 !%62Phai
_LLshV3
4.4 CMOS反相器设计 j+0.= #{??
x]' H jTqX
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 <Kp+&(l,l
b%<jUY
4.6 CMOS传输门 !E0fGh
Rp4FXR jC
CMOS静态逻辑电路设计 9:\A7 =
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 'Fx YMSZS$
ybYXD?
5.2 CMOS与非门的分析 S)Mby
s((b"{fFb
5.3 CMOS或非门的分析 Ou!)1UFI
!Sfe{/$w
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 40+fGRyOL
H<z30r/-w
5.5 组合逻辑电路的设计 i&pMF
O
# :I^&~:
5.6 类NMOS电路 &m4f1ZO*
n4R]+&*
5.7 传输们逻辑电路 M;PlSb
pKY LAt+^>
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 8(uw0~G
O
_-
(z@
动态和时序逻辑电路设计 C?(y2p`d\
6.1 动态逻辑电路的特点 Uv'uqt
$Uy#/MX
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 e00RT1L
JkJh fFV
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 U#iT<#!l2
69-$Wn43<
6.4 时钟CMOS(C2MOS) {#0T l
Jfe~ ,cI
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 c.\:peDk
EJv! tyJ\[
6.6 CMOS触发器 tI
`w;e%HN
rdFs?hO
6.7 时序逻辑电路 [;Vi~$p|Eo
e1oFnu2R
输入、输出缓冲器 Q-:Ah:/
7.1 输入缓冲器 C CC 4(v
BzN/6VEw
7.2 输入保护电路 <.: 5Vx(Aw
#3YdjU3 w
7.3 输出缓冲器 Ni&,g
H+nr5!`kz
7.4 脱片输出驱动级的设计 {|G&W^`
FW/6{tm
7.5 三态输出和双向缓冲器 \? J=mE@;1
t!NrB X
MOS存储器
7l[t9ON
8.1 DRAM no e b f
rHH#@ Zx
8.2 SRAM 7$;c 6_se
^XtHF|%0T
8.3 ROM和PLD ^Z#<tN;
F I80vV7
MOS IC的版图设计 Z`e$~n(Bh
9.1 VLSI的设计方法 T[`QO`\5O
{9y9Kr|(P:
9.2 门阵列和标准单元设计方法 h}Fu"zK
z1z =P%WK
9.3 版图设计 w; yar=n
0tn7Rkiw
SOICMOS简介 F o--PtY`p
10.1 SOI CMOS工艺 8Xt=eL/P
] I N -
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 pP=_@ 3 D
cx,u2~43A&
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 9 ayH:;
sIP6GWK$
BiCMOS电路 Iwd"f
11.1 MOS和双极型器件性能比较 &q kl*#]
>B|ofwm*
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 R$~JhcX*l'
#CBo
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ^^W`Lh%9
GL oL4el
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 {RWahnr{
J{v6DYhi
11.5 BiCMOS电路实例 2g`uC}
vCrW A-q#
MOS 逻辑集成电路（续） Q'vIeG "o
nMOS逻辑集成电路 6r ?cpJV{
6-1 电阻负载MOS倒相器 I=Lj_UF4
Nc^b8&
2J
6-2 E/E MOS 倒相器 DXw9@b
}pU!
1GsO
6-3 自举负载MOS 倒相器 6 I>xd
+b:h5,
6-4 E/D MOS 倒相器 ~S~x@&yR
ui: >eYv
6-5 静态MOS电路 o8yEUnqN
KfN`ZZ<
CMOS集成电路 tue%L]hc
7-1 CMOS 倒相器 )r-| T&Sn
pR^Y|
NG!
7-2 CMOS传输门 ps4W wk(
T3PaG\5B
7-3 静态CMOS 电路 [s h"?
-p]`(S%
7-4 CMOS 门电路的设计 _S7M5{U_
j,V$vK P
7-5 CMOS电路中的锁定效应 0OoO cc
2ucsTh@
动态和准静态MOS电路 `cTs S
8-1 栅电容的电荷存储效应 Hi 0df3t
@R Y b-d
8-2 动态MOS倒相器 xWI 0s;k
%BP)m(S7
8-3 动态MOS电路 '%r@D&*vp
0aN }zUf
8-4 准静态MOS触发器 r :\ 5/0(
x;b+gIz*
8-5 动态和准静态CMOS电路 H<}Fk9
U=<.P;+f9
MOS集成电路的版图设计 )-:f;#xJ
9-1 MOS集成电路的工艺设计 _WkcJe`
It:QXLi;
9-2 MOS集成电路版图设计 sV4tu(~
S5JR`o
9-3 MOS集成电路版图设计举例 k=/|?%
uEO2,1
+
MOS大规模集成电路 H_r'q9@<>
10-1 LSI电路中的CAD技术 YD>>YaH_3@
pD.@&J~
10-2 HMOS技术 .L|ax).D
wuC tg=
10-3 MOS存储器 :^L]Da3
u T t:/gm
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 wg~ `Md
gd,%H @3
10-5 半定制逻辑电路 0mi[|~x=
,^Srd 20
模拟集成电路 #\;w: :
模拟集成电路中的特殊元件 *U^hwL
11-1 横向pnp管 e*Med)tc^$
?B!ZqJ #
11-2 纵向pnp管 'i-O
>^ar$T;Ys
11-3 超增益晶体管 qiryC7 .E
!27]1%Aw
11-4 隐埋齐纳二极管 <vuX "
8
?a9k5@s
11-5 集成电路中的电容器 meD (ja
i */ U.'#
11-6 薄膜电阻器 zQ+t@;g 1
?C2;:ol
模拟集成电路中的基本单元电路 sYI':UQe
12-1 差分放大器 GLF"`M /g
cTTE] ix]
12-2 恒流源电路和有源负载 i?=.;
0[|
:vT%5CQ
12-3 基准源电路 D.!7jA#
Y@Y(;C"SW
12-4 模拟开关 m3-J0D<
xB+H7Ya
集成运算放大器 " ?,6{\y,
13-1 运算放大器的基本概念 -Lb^O/
D
d O '
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 Acv{XnB
c10).zZ
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 jsQ$.)nO
uJ\ Nga<?
13-4 µA741通用型运算放大器 3~la/$?
p0
S>E.*]_
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 r ngw6?`n-
i`'^ zR(`i
模拟集成电 < z)G& h@
14-1 集成电压 1?\ Y,+
7k|(5P;
14-2 D/A转换器 8l0
(6x$
o hlV c%a
14-3 A/D转换器 ]H2
aYi $
,[ L$
14-4 MOS模拟集成电路 Jo <6M'
,eCXT=6
模拟集成电路的版图设计 hh&y2#Io
15-1 模拟集成电路版图设计特点 B,,d~\
c
O&9(.d
15-2 模拟集成电路中的相容技术 /vu!5?S
?%Fk0E#>2
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 e]?S-J' z
[hbp# I~*[
2004.7.7
