华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ^yKY'>T#d  
7TX, T|>9  
第一篇MOS 逻辑集成电路 L8vOBI7N  
"]-],K  
MOS晶体管工作原理 TQ1WVq }*  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 [H"#7t.V-~  
}Ewo_P&`  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 a%J6f$A#  
a~^Srj!}x  
1.3 MOS晶体管的电流方程 Gwd{#7FM`  
]B
b7(JX  
1.4 MOS瞬态特性 q:HoKJv4  
*"G8  
MOS器件按比例缩小 }Pg' vJW  
2.1 按比例缩小理论 K :qOoY  
j[S`^
2  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 `.k5v7!o  
1]/N2&  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 zw:/!MS  
%9c|%#3  
2.4 VLSI发展的实际限制 hBCR]=' ]  
&R\XUxI  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 dV$!JTsd  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 oa9)Dv  
:2q ?>\  
3.2 CMOS IC 工艺流程 Rx. rj~  
mvf _@2^  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 712=rUI%!  
rZ866\0  
CMOS反相器和CMOS传输门 !yCl(XT  
4.1 CMOS反相器的直流特性 O`[]xs  
$u,GVq~  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 By/bVZks  
byj[u!{  
4.3 CMOS 反相器的功能 ag/u8  
jg^^\n  
4.4 CMOS反相器设计 bf^ly6ml  
=w,(M  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Y_shy6"KH  
LI$L9eNv;Y  
4.6 CMOS传输门 ZmO'IT=Ye  
&x/k^p=  
CMOS静态逻辑电路设计 }moz9a  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 :,=Fx</H  
Pu/lpHm|  
5.2 CMOS与非门的分析 ^*zW"s  
Oylp:_<aT  
5.3 CMOS或非门的分析 /op/g]O}  
Bzm.X=U:  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 cl#OvQ  
q SCTFJ0  
5.5 组合逻辑电路的设计 c; d" XiA  
up7x)w:  
5.6 类NMOS电路 pJ$(ozV  
)[RpZpd`*  
5.7 传输们逻辑电路 s=}~Q&8  
PH{c,  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 3Y=,r!F.h  
)<tzm'Rc  
动态和时序逻辑电路设计 c[6zX#{`  
6.1 动态逻辑电路的特点 .M`LUb"!  
GZ}*r{  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 "&s9cO.H  
[_h.1oZp~  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 /:Rn"0   
V&$ J;  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) CD$u=E ]  
Rs^jk)Z:)  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 yDDghW'\WU  
/ N*HE  
6.6 CMOS触发器 ye56-T  
{: Am9B  
6.7 时序逻辑电路 3/yt*cr  
n+:m_2T  
输入、输出缓冲器 m7weR>aS4  
7.1 输入缓冲器 pXGK:ceFu  
)<m=YI ;<  
7.2 输入保护电路 MLEIx()  
A?^A
*e  
7.3 输出缓冲器 3W%f#d$`  
|8&\
N  
7.4 脱片输出驱动级的设计 "P>$=X~Zi  
.`i'gPLkn2  
7.5 三态输出和双向缓冲器 IF,i^,  
.Bm^3A  
MOS存储器 9y d-&yDG  
8.1 DRAM `!5tH?bX  
P':]A{<Z  
8.2 SRAM D ohl,d  
[MSDk"o&  
8.3 ROM和PLD K{eqB!@j  
24.7S LXO  
MOS IC的版图设计 fwar8 i1  
9.1 VLSI的设计方法 A
>ug'.  
w
[J (E  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Lv `8jSt\  
4F1
.D9u  
9.3 版图设计 f<$K.i  
"`8H:y  
SOICMOS简介 d=.n|rS4 W  
10.1 SOI CMOS工艺 :"y7Weh  
+lk\oj$S+  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 |P[D2R}  
o q'J*6r  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应  5K_N  
nJM9c[Ou^H  
BiCMOS电路 Cs6zv>SR  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Jte:l:yjtA  
hD9'`SQ  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 iJynR [7  
Pvb+  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 LYxlo<f  
NIXcib"tG  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 A =YEY n  
wYS KtG~/S  
11.5   BiCMOS电路实例 >sl1 cC  
[(.T%kJ  
MOS 逻辑集成电路（续） "n2xn%t{  
nMOS逻辑集成电路 TckR
_0LNV  
6-1 电阻负载MOS倒相器 *{p&Fy55  
M$5%QM}  
6-2 E/E MOS 倒相器 \ `iW__  
'%|20j  
6-3 自举负载MOS 倒相器 rc{[\1 -N  
0g*r!aa  
6-4 E/D MOS 倒相器 Xk9r"RmiOb  
pl^"1Z=*  
6-5 静态MOS电路 owS@dbO  
1 0Tg> H  
CMOS集成电路 x2IU PM  
7-1 CMOS 倒相器 L|xen*O  
m^u&g&^  
7-2 CMOS传输门 Jgj L$n;F  
r1H['{$  
7-3 静态CMOS 电路 y2ws* IZ"  
JU,RO
oz(  
7-4 CMOS 门电路的设计 "jN-Yd,z  
=&g}Y  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 'jlXLb  
3[O =2  
动态和准静态MOS电路 Y
M/3VD  
8-1 栅电容的电荷存储效应 9h0,L/;\  
$j2)_(<A%Q  
8-2 动态MOS倒相器 H5MAN,`  
.p*D[o2 9  
8-3 动态MOS电路 ^9f`3~!#bc  
Bst>9V&R  
8-4 准静态MOS触发器 b2-|e_x  
?
RAR  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ysn[-l#  
Zgf||,  
MOS集成电路的版图设计 ymVd94L  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 csA.3|rv  
6uE1&-:L  
9-2 MOS集成电路版图设计 %1+~(1P  
v5ddb)  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 2*DS_=6o  
wmCV%g\.d:  
MOS大规模集成电路 4zDAfi#0  
10-1 LSI电路中的CAD技术 dnc!=Z89  
NGZ> :  
10-2 HMOS技术 fv'P!+)t  
BcO2* 3  
10-3 MOS存储器 <Y'YpH`l  
w[[@&T\`  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 a8P6-)W  
'ZgW~G]S  
10-5 半定制逻辑电路 {!bJ.O l  
MpvA--  
模拟集成电路 hRcJ):Wyb  
模拟集成电路中的特殊元件 +-137!x\q  
11-1 横向pnp管 >{=RQgGy  
~m&oa@*=y  
11-2 纵向pnp管 v
@SrEmg  
7B :aJfxM  
11-3 超增益晶体管 B\w`)c  
NistW+{<  
11-4 隐埋齐纳二极管 BJ rNbo;T  
bx6}zk f&  
11-5 集成电路中的电容器 {<BK@U  
h"
S/D[  
11-6 薄膜电阻器 ^yZEpQN_  
U<gw<[>f  
模拟集成电路中的基本单元电路 rnaDo\5  
12-1 差分放大器 7!)%%K.z6  
)j*qGsOg  
12-2 恒流源电路和有源负载 KgSxF#  
1nmWL0  
12-3 基准源电路 +y(h/NcQ  
C"WZsF^3  
12-4 模拟开关 SQx):L)P6  
|XZf:}q5:  
集成运算放大器 HPB1d!^  
13-1 运算放大器的基本概念 t]XJq  
LOzKpvGl  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 Op~+yMef  
M?lr#}d  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 IgJC>;]u  
&9tsk#bA.g  
13-4 µA741通用型运算放大器 Vo[4\h#$  
Nx'j+>bz>y  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 39#>C~BOl  
*uR'eXW  
模拟集成电 L zC~>Uj  
14-1 集成电压 )-gyDA
 
2t<CAKBB  
14-2 D/A转换器 IZLX[
y  
7dZ!GX?\y  
14-3 A/D转换器 ML-g"wv  
Dlp::U*N'  
14-4 MOS模拟集成电路 Vv]mME@  
~7g6o^A>  
模拟集成电路的版图设计
`'`XB0vb  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 &/p9+gd  
%VCHM GP=  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 qI9 BAs1~}  
XOMWqQr|  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 "- AiC6u  
2cL<`  
2004.7.7

真不如有真题呀，