华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 )[+82~F
:m]H?vq] \
第一篇MOS 逻辑集成电路 z{`K_s%5
9kHVWDf
MOS晶体管工作原理 "ngULpb{R
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 \2)D
SO4?3wg7
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 `i`+yh>pc#
KW-GVe%8f
1.3 MOS晶体管的电流方程 sPX&XqWx
UE8j8U'L
1.4 MOS瞬态特性 t.
y-b`v
mC2K &'[
MOS器件按比例缩小 3 {$vN).
2.1 按比例缩小理论 @,Z0u2WLl6
B6=?Qp/f
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ;/:Sx/#s
E75/EQ5p]p
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 vAp<Muj(a
J3 `0i@
2.4 VLSI发展的实际限制 *Nm$b+
#u}%r{T
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 U%q-#^A
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 j$K*R."
C];P yQS
3.2 CMOS IC 工艺流程 !_vxbfZO
P q$0ih
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 nl
qn:[BU
AHRJ7l;a
CMOS反相器和CMOS传输门 !$A/.;0$
4.1 CMOS反相器的直流特性 s3HVX'
w9{C"K?u=
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 "$XX4w
M
zw['hqW
4.3 CMOS 反相器的功能 ;I&VpAPx
L8 L1_
4.4 CMOS反相器设计 HcgvlFb
8q@Z
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 yEq7ueJ'
)P$|9<_q7x
4.6 CMOS传输门 L.Qz29\
7~ PL8
CMOS静态逻辑电路设计 1~*1W4};F8
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 H+4j.eVzZU
J#zr50@@
5.2 CMOS与非门的分析 O2?C *
9@lWI
5.3 CMOS或非门的分析 gv''A"
TIWR[r1!
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 _!n
sEG
VV
/8FmPCp}r
5.5 组合逻辑电路的设计 TmsIyDcD~
y0%1YY
5.6 类NMOS电路 ?, S/>SP
l3>S{
5.7 传输们逻辑电路 Y{p$%
DxJ;C09xNa
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 G0E5Y;YIN$
|eqBCZn
动态和时序逻辑电路设计 qqrj
I.
6.1 动态逻辑电路的特点 *doNPp)m
nHseA
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 D 2X_Yv
P {TJ$
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ,NSf
:DD<0
6.4 时钟CMOS(C2MOS) Wg']a/m
CMa6':~
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 mdj%zJ8/
kZ40a\9
Ye
6.6 CMOS触发器 RkF#NCnL;
z3oi(
6.7 时序逻辑电路 v}G^+
-?
w;z
7vN~/O
输入、输出缓冲器 3S^0%"fY
7.1 输入缓冲器 D|]BFu)F
oQ$yr^M
7.2 输入保护电路 RB 5SK#z
au
rs~
7.3 输出缓冲器 2jsbg{QS#_
"6B7EH
7.4 脱片输出驱动级的设计 ,eXtY}E
K\Ea\b[
7.5 三态输出和双向缓冲器 ~>2uRjvkwB
Z_d"<k}I
MOS存储器 PRKZg]?
8.1 DRAM |Splbsk
q7R]!zk
8.2 SRAM ]%Q!%uTh
I \
:WD"
8.3 ROM和PLD QV;o9j
,_[x
|8m
MOS IC的版图设计 WK~H]w
9.1 VLSI的设计方法 x7j#@C
hHs/Qtq
9.2 门阵列和标准单元设计方法 1W^hPY
j8Z, :op
9.3 版图设计 Q$jEmmm%V[
pLMt2G
SOICMOS简介 G7Nw}cVJ)
10.1 SOI CMOS工艺 Z8$}Rpo
#c"eff
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 @"@a70WHk
IqOg{#
sm
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 D3pz69W
6Q.S
BiCMOS电路 X{9^$/XsJ
11.1 MOS和双极型器件性能比较 a#oROb-*~
i"{O~[
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 d2\!tJm
B#sCB&(
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 7"(!]+BW!O
k,h602(
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 BK$y>=
`
XLh)$rZ
11.5 BiCMOS电路实例 C]^
Ep
3%WB?kc
MOS 逻辑集成电路(续) 6BE,L
nMOS逻辑集成电路 ^FCXcn9
6-1 电阻负载MOS倒相器 =SDex.ZK]
qF)J#$4;6
6-2 E/E MOS 倒相器 oFk2y ^>u
z]7 WC
6-3 自举负载MOS 倒相器 Q*M# e
"be\%W+<
6-4 E/D MOS 倒相器 \!KE_7HRu
];bRRBEU
6-5 静态MOS电路 0KA*6]h t
7?lz$.*Avp
CMOS集成电路 *,u3Wm|7
7-1 CMOS 倒相器 ,0'GHQWz$
5(;Y&?k
7-2 CMOS传输门 lg^'/8^f
VZ]iep
7-3 静态CMOS 电路 %0\@\fC41
bWyimr&B
7-4 CMOS 门电路的设计 >`QBN1 Y
=4TQ*;V:
7-5 CMOS电路中的锁定效应 EKc<|e,F
Y1r$;;sH
动态和准静态MOS电路 ?;~!C2Zs
8-1 栅电容的电荷存储效应 C T~6T&'
/R&`]9].s
8-2 动态MOS倒相器 j26i+Z
74^v('-2
8-3 动态MOS电路 FDoPW~+[
0kJ8H!~u
8-4 准静态MOS触发器 .Ys
e/oEo
-TD\?Q
8-5 动态和准静态CMOS电路 FNG
a4
^y,h0?Z9
MOS集成电路的版图设计 :'h$]p%
9-1 MOS集成电路的工艺设计
O_ _s~
$ (}rTm
9-2 MOS集成电路版图设计 #-|fdcb
%oBP6|e
9-3 MOS集成电路版图设计举例 =r]l"T
0 u*a=f=
MOS大规模集成电路 Q{~g<G
10-1 LSI电路中的CAD技术 %??v?
M*
2:
QT`e&
10-2 HMOS技术 *+v*VH
/? %V%
n
10-3 MOS存储器 xLed];2G
U\%r33L )
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 97
Dq;
,X!) z Amm
10-5 半定制逻辑电路 20I`F>-*
1$RJzHS
模拟集成电路 eipg,EI
模拟集成电路中的特殊元件 Cl'$*h
11-1 横向pnp管 *I :c@iCNJ
qu^g~"s
11-2 纵向pnp管 ZtZ3I?%U3
OUWK
11-3 超增益晶体管 =r+K2]z,L
LZ wCe$1
11-4 隐埋齐纳二极管 mr7Oi `dE
XQ~Xls%]
11-5 集成电路中的电容器 OPN\{<`*d
U!uPf:p2
11-6 薄膜电阻器 ypEMx'p
^g4Gw6q6
模拟集成电路中的基本单元电路 ' pgPQM<
12-1 差分放大器 W,EIBgR(R5
?j8!3NCl}
12-2 恒流源电路和有源负载 *%/O (ohs@
D\G.p |9=
12-3 基准源电路 S3M!"l
6=n|Ha
12-4 模拟开关 f I=G>[
]y.V#,6
e
集成运算放大器 O*v&CHd3
13-1 运算放大器的基本概念 ^'[QCwY~
E"9(CjbQ[
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 |kK5:\H
e_e\Ie/pDc
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 q{`1[R
y5F+~z}{
13-4 µA741通用型运算放大器 hlL$3.]
u
`/V1
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 FBwG3x
L9O;K$[s
模拟集成电 ;U>nj],uv
14-1 集成电压 7)QZ<fme
8OZasf
14-2 D/A转换器 ewd
eC
i#>t<g`l
14-3 A/D转换器 { Z
k^J
@=l6zd@
14-4 MOS模拟集成电路 S>I` y]qlR
R/x3+_.f
模拟集成电路的版图设计 Q k}RcP
15-1 模拟集成电路版图设计特点 D&pn@6bB
n[0u&m8
15-2 模拟集成电路中的相容技术 (
jU $
ld]*J}cw
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 i<F7/p "-
OC*28)
2004.7.7