加入VIP 上传考博资料 您的流量 增加流量 考博报班 每日签到
   
主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
级别: 总版主
显示用户信息 
楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 [ANuBNF  
wy1X\PJjH  
第一篇MOS 逻辑集成电路 dHnR_.  
C@y8.#l  
MOS晶体管工作原理 &YP#M |  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 l kIn%=Z  
Ths_CKwgWY  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 < O*6 T%;  
FwKj+f"  
1.3 MOS晶体管的电流方程 {X]R-1>  
0x2!<z  
1.4 MOS瞬态特性 :S@1  
S&C1TC  
MOS器件按比例缩小 FUK3)lT  
2.1 按比例缩小理论 gCd`pi 8  
stl 1Q O(h  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Wm'QP4`  
a\uie$"cr]  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 {MAQ/5  
pb60R|k  
2.4 VLSI发展的实际限制 h<l1]h+x  
@(``:)Z<b  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 RIM`omM  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 d &cU*  
QlFZO4 P3|  
3.2 CMOS IC 工艺流程 qJ!Z~-hS  
!2CL1j0(  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 k?BJdg)xJ  
OkAK  
CMOS反相器和CMOS传输门 q+SD6qM  
4.1 CMOS反相器的直流特性 b/$km?R  
IJOvnZ("A  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 {C`GW}s{4  
ukgAI<O%  
4.3 CMOS 反相器的功能 v4Zb? Yb  
:qhpL-ER  
4.4 CMOS反相器设计 ] U@o0  
@YvOoTyb  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 hjZ}C+=O  
rsn.4P=  
4.6 CMOS传输门 -b&{+= ^c  
I-D^>\k +  
CMOS静态逻辑电路设计 vg Ipj3u  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 M`,~ mU  
.%BT,$1K  
5.2 CMOS与非门的分析 x}/,yaWZ  
t9 \x%=  
5.3 CMOS或非门的分析 GY3 Wj  
%t=kdc0=_  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 >% p{38  
x_=n-lAF  
5.5 组合逻辑电路的设计 4EI7W ,y  
+:=(#Y  
5.6 类NMOS电路 *,C(\!b !?  
(z7vl~D  
5.7 传输们逻辑电路 +h^jC9,m~{  
 j1?j6s  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ~"pKe~h   
Xdi:1wW@p  
动态和时序逻辑电路设计 ~ * :F{  
6.1 动态逻辑电路的特点 ' K@|3R  
eAUcv`[#p  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 mS>xGtD&K  
:.(;<b<\  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 7*j ( *  
ERwHLA  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 1}hIW":3Sr  
Qjx?ri//  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 ,h|qi[7  
Vc^HVyAx@n  
6.6 CMOS触发器 r|4t aV&  
Nu8Sr]p  
6.7 时序逻辑电路 h%WE=\,Qp  
f >BWG`  
输入、输出缓冲器 fQrhsuCrC  
7.1 输入缓冲器 Va Z!.#(P  
f= >O J!:  
7.2 输入保护电路 N@B9 @8h  
j4=(H:c~E  
7.3 输出缓冲器 dEBcfya  
|t$Ma'P  
7.4 脱片输出驱动级的设计 v}WR+)uFQ  
\OlmF<~  
7.5 三态输出和双向缓冲器 F~ Lx|)0M  
$d?.2Kg  
MOS存储器 9@Cv5L?p\  
8.1 DRAM E2)h ?cs  
fdONP>K[E  
8.2 SRAM \. M*lqI  
8Lw B B  
8.3 ROM和PLD NnVnUgx  
`y+tf?QN  
MOS IC的版图设计 }i!J/tJ)b  
9.1 VLSI的设计方法 9mZ  
Cu6%h>@K$  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 A$6$,h  
@JdZ5Q  
9.3 版图设计 `({T]@]V  
YuB+k^  
SOICMOS简介 V59(Z  
10.1 SOI CMOS工艺 ,@5I:X!rR  
F2X0%te  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 I!^O)4QRx  
nT2)E&U6%  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 Hc`A3SMR  
2;w*oop,O  
BiCMOS电路 v$^Z6>vVI  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 rx}r~0i  
8_N]e'WUh  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 L@fY$Rw  
av~5l4YL  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 1)Zf 3Y8  
K$d$m <  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 0]4(:(B  
6^DR0sO  
11.5   BiCMOS电路实例 )vxUT{;sH  
mx=BD'  
MOS 逻辑集成电路(续) %Rsp;1Z  
nMOS逻辑集成电路 H*r>Y  
6-1 电阻负载MOS倒相器 bcupo:N  
$kQ~d8 O  
6-2 E/E MOS 倒相器 Fgh]KQ/5  
KZeQ47|  
6-3 自举负载MOS 倒相器 fj&i63?e  
4 uQT5  
6-4 E/D MOS 倒相器 L31|\x]  
x|vqNZ\ F  
6-5 静态MOS电路 \7*`}&  
Mec5h}^  
CMOS集成电路 Q1z;/A$Al  
7-1 CMOS 倒相器 m?&1yU9  
h*<P$t  
7-2 CMOS传输门 vEn4L0D  
y  TDNNK  
7-3 静态CMOS 电路 3@]SKfoo1  
ZGd!IghL  
7-4 CMOS 门电路的设计 &/Q0  
4f;HQ-Iv  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 SZXY/~ =h  
NrJKbk^4u/  
动态和准静态MOS电路 =3v]gOcO  
8-1 栅电容的电荷存储效应 tq|hPd<C  
,#kIr  
8-2 动态MOS倒相器 VzKW:St  
zO MA  
8-3 动态MOS电路 $-*!pRaVU  
@#-q^}3  
8-4 准静态MOS触发器 /n8B,-Z5s5  
yiA<,!;4P  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ,xxR\}  
q')R4=0 K  
MOS集成电路的版图设计 ^R@j=_8}  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 |x-S&-  
QhK#Y{xY  
9-2 MOS集成电路版图设计 '^"6+k  
oTuOw|[  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 =Yt R`  
L~NbdaO  
MOS大规模集成电路 n;T7=1_"  
10-1 LSI电路中的CAD技术 ut I"\1hQ  
*NClfkZ  
10-2 HMOS技术 jYhB +|  
TTTPxO,  
10-3 MOS存储器 N D2L_!g:(  
*=*AAF  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 D'Y-6W3  
9AJ7h9L  
10-5 半定制逻辑电路 3^6 d]f  
:FTMmW,>'  
模拟集成电路 G8Y<1%`<  
模拟集成电路中的特殊元件 2P@sn!*{1  
11-1 横向pnp管 rMhB9zB1  
 VQS~\:1  
11-2 纵向pnp管 z3;*Em8Ir  
n$ou- Q  
11-3 超增益晶体管 u;/ Vyu  
k+ty>bP=  
11-4 隐埋齐纳二极管 Y/ .Z .FD`  
Z Z:}AQ  
11-5 集成电路中的电容器 n74V|b6W  
U5.LDv;  
11-6 薄膜电阻器 `6]%P(#a  
S9~ +c  
模拟集成电路中的基本单元电路 U_n9]Z  
12-1 差分放大器 9#MBaO8_"  
9|gr0&#~j  
12-2 恒流源电路和有源负载 t_$2CRG#  
h_+dT  
12-3 基准源电路 Xy$3VU*  
?-dX`n  
12-4 模拟开关 = 's(|  
3 +G$-ru  
集成运算放大器 YH\OFg@7  
13-1 运算放大器的基本概念 V`X NDNJ:  
?7.7`1m !v  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 yl7&5)b#9  
3@M|m<_R$  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Tk:h@F|B.|  
pu 7{a  
13-4 µA741通用型运算放大器 ?&63#B,iZ  
LXC9I/j/  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 ~,oMz<iMV  
gT0BkwIV  
模拟集成电 I+[>I=ewa  
14-1 集成电压 ymx>i~>7J  
_/6!yyl  
14-2 D/A转换器 gy 3i+J  
\KQ71yqY  
14-3 A/D转换器 w35J.zn  
Z{ X|6.  
14-4 MOS模拟集成电路 d4>Z8FF|1B  
QxVq^H  
模拟集成电路的版图设计 GVYBa_gx  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 \Zqng  
>0p h9$  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 j3{I /m  
pb ~u E  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 ES.fOdx  
 -QM: q  
2004.7.7
评价一下你浏览此帖子的感受

精彩

感动

搞笑

开心

愤怒

无聊

灌水

  
级别: 初级博友
显示用户信息 
沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
描述
快速回复

验证问题:
freekaobo官方微信订阅号 正确答案:考博
按"Ctrl+Enter"直接提交