华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 [ANuBNF
wy1X\PJjH
第一篇MOS 逻辑集成电路 dHnR_.
C@y8.#l
MOS晶体管工作原理 &Y P#M|
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 lkIn%=Z
Ths_CKwgWY
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 < O*6T%;
FwKj+f"
1.3 MOS晶体管的电流方程 {X]R-1>
0x2!<z
1.4 MOS瞬态特性
:S@1
S&C1 TC
MOS器件按比例缩小 FUK3)lT
2.1 按比例缩小理论 gCd`pi
8
stl 1QO(h
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Wm'QP4`
a\uie$"cr]
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 {MAQ/5
pb60R|k
2.4 VLSI发展的实际限制 h<l1]h+x
@(``:)Z<b
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 RIM`omM
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 d
&cU*
QlFZO4 P3|
3.2 CMOS IC 工艺流程 qJ!Z~-hS
!2CL1j0(
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 k?BJdg)xJ
OkAK
CMOS反相器和CMOS传输门 q+SD6qM
4.1 CMOS反相器的直流特性 b/$km?R
IJOvnZ("A
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 {C`GW}s{4
ukgAI<O%
4.3 CMOS 反相器的功能 v4Zb?
Yb
:qhpL-ER
4.4 CMOS反相器设计 ] U@o0
@YvOoTyb
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较
hjZ}C+=O
rsn.4P=
4.6 CMOS传输门 -b&{+= ^c
I-D^>\k
+
CMOS静态逻辑电路设计 vgIpj3u
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 M`,~ mU
.%BT,$1K
5.2 CMOS与非门的分析 x} /,yaWZ
t9
\x%=
5.3 CMOS或非门的分析 GY3 Wj
%t=kdc0=_
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 >%p{38
x_=n-lAF
5.5 组合逻辑电路的设计 4EI7W
,y
+:=(#Y
5.6 类NMOS电路 *,C(\!b
!?
(z7vl~D
5.7 传输们逻辑电路 +h^jC9,m~{
j1?j6s
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ~"pKe~h
Xdi:1wW@p
动态和时序逻辑电路设计 ~ *:F{
6.1 动态逻辑电路的特点 'K@|3R
eAUcv`[#p
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 mS>xGtD&K
:.(;<b<\
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 7*j
(
*
ERwHLA
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 1}hIW":3Sr
Qjx?ri//
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 ,h|q i[7
Vc^HVyAx@n
6.6 CMOS触发器 r|4t aV&
Nu8Sr]p
6.7 时序逻辑电路 h%WE=\,Qp
f>BWG`
输入、输出缓冲器 fQrhsuCrC
7.1 输入缓冲器 Va Z!.#(P
f= >OJ!:
7.2 输入保护电路 N@B9
@8h
j4=(H:c~E
7.3 输出缓冲器 dEBcfya
|t$Ma'P
7.4 脱片输出驱动级的设计 v}WR+)uFQ
\OlmF<~
7.5 三态输出和双向缓冲器 F~ Lx|)0M
$ d?.2Kg
MOS存储器 9@Cv5L?p\
8.1 DRAM E2)h?cs
fdONP>K[E
8.2 SRAM \.
M*lqI
8Lw B
B
8.3 ROM和PLD NnVnUgx
`y+tf?QN
MOS IC的版图设计 }i!J/tJ)b
9.1 VLSI的设计方法 9mZ
Cu6%h>@K$
9.2 门阵列和标准单元设计方法 A$6$,h
@JdZ5Q
9.3 版图设计 `({T]@]V
YuB+k^
SOICMOS简介 V59(Z
10.1 SOI CMOS工艺 ,@5I:X!rR
F2X0%te
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 I!^O)4QRx
nT2)E&U6%
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 Hc`A3SMR
2;w*oop,O
BiCMOS电路 v$^Z6>vVI
11.1 MOS和双极型器件性能比较 rx}r~0i
8_N]e'WUh
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 L@fY$Rw
av~5l4YL
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 1) Zf
3Y8
K$d$m <
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 0]4(:(B
6^DR0sO
11.5 BiCMOS电路实例 )vxUT{;sH
mx=BD'
MOS 逻辑集成电路(续) %Rsp;1Z
nMOS逻辑集成电路 H*r>Y
6-1 电阻负载MOS倒相器 bcupo:N
$kQ~d8 O
6-2 E/E MOS 倒相器 Fgh]KQ/5
KZeQ47|
6-3 自举负载MOS 倒相器 fj&i63?e
4
uQT5
6-4 E/D MOS 倒相器 L31|\x]
x|vqNZ\
F
6-5 静态MOS电路 \7*`}&
Mec5h}^
CMOS集成电路 Q1z;/A$Al
7-1 CMOS 倒相器 m?&1yU9
h*<P$t
7-2 CMOS传输门 vEn4L0D
y
TDNNK
7-3 静态CMOS 电路 3@]SKfoo1
ZGd!IghL
7-4 CMOS 门电路的设计 &/Q0
4f;HQ-Iv
7-5 CMOS电路中的锁定效应 SZXY/~
=h
NrJKbk^4u/
动态和准静态MOS电路 =3v]gOcO
8-1 栅电容的电荷存储效应
tq|hPd<C
,#kIr
8-2 动态MOS倒相器 VzKW:St
zO
MA
8-3 动态MOS电路 $-*!pRaVU
@#-q^}3
8-4 准静态MOS触发器 /n8B,-Z5s5
yiA<,!;4P
8-5 动态和准静态CMOS电路 ,xx R\}
q')R4=0
K
MOS集成电路的版图设计 ^R@j=_8}
9-1 MOS集成电路的工艺设计 |x-S&-
QhK#Y{xY
9-2 MOS集成电路版图设计 '^"6+ k
oTuOw|[
9-3 MOS集成电路版图设计举例 =Yt
R`
L~NbdaO
MOS大规模集成电路 n;T7= 1_"
10-1 LSI电路中的CAD技术 ut I"\1hQ
*NCl fkZ
10-2 HMOS技术 jYhB
+|
TTTPxO,
10-3 MOS存储器 N
D2L_!g:(
*=*AAF
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 D'Y-6W3
9AJ7h9L
10-5 半定制逻辑电路 3^6
d]f
:FTMmW,>'
模拟集成电路 G8Y<1%`<
模拟集成电路中的特殊元件 2P@sn!*{1
11-1 横向pnp管 rMhB9zB1
VQS~\:1
11-2 纵向pnp管 z3;*Em8Ir
n$ou- Q
11-3 超增益晶体管 u;/ Vyu
k+ty>bP=
11-4 隐埋齐纳二极管 Y/ .Z.FD`
Z
Z:}AQ
11-5 集成电路中的电容器 n74V|b6W
U5.LDv;
11-6 薄膜电阻器 `6]%P(#a
S9~+c
模拟集成电路中的基本单元电路 U_n9]Z
12-1 差分放大器 9#MBaO8_"
9|gr0~j
12-2 恒流源电路和有源负载 t_$2CRG#
h _+dT
12-3 基准源电路 Xy$3VU*
? -dX`n
12-4 模拟开关 ='s(|
3 +G$-ru
集成运算放大器 YH\OFg@7
13-1 运算放大器的基本概念 V`X
NDNJ:
?7.7`1m!v
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 yl7&5)b#9
3@M|m<_R$
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Tk:h@F|B.|
pu
7{a
13-4 µA741通用型运算放大器 ?&63#B,iZ
LXC9I/j/
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 ~,oMz<iMV
gT0BkwIV
模拟集成电 I+[>I=ewa
14-1 集成电压 ymx>i~>7J
_/6!yyl
14-2 D/A转换器 gy 3i+J
\KQ71yqY
14-3 A/D转换器 w35J.zn
Z{ X|6.
14-4 MOS模拟集成电路 d4>Z8FF|1B
QxVq^H
模拟集成电路的版图设计 GVYBa_gx
15-1 模拟集成电路版图设计特点 \Zqng
>0ph9$
15-2 模拟集成电路中的相容技术 j3{I /m
pb
~uE
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 ES.fOdx
-QM:
q
2004.7.7