华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 f' '{.L
O*rmD<L$
第一篇MOS 逻辑集成电路 1O9p YW5J
!)%>AH'
MOS晶体管工作原理 ~y)bYG!G
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Xn/ n|[
whY~=lizn
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 "br RME3
jJUGZVM6)
1.3 MOS晶体管的电流方程 skI(]BDf
v_z..-7Dq+
1.4 MOS瞬态特性 G'O/JM
TX23D) CX
MOS器件按比例缩小 ~{4n}*
2.1 按比例缩小理论 P{S\pWZkk
VT %
KN`l
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 5iQmZ [
ufw3H9F(O
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 D0 /DI
bo@,4xw
2.4 VLSI发展的实际限制 yB,{#nM>8
sdJ%S*)5G$
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 D XV@DQ
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 {~bIA!kAFI
M18qa,fK{
3.2 CMOS IC 工艺流程 /gz:zThf{
u 8YB)kG
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 A8pj~I/*-
mC i[ Ps
CMOS反相器和CMOS传输门 _eJX i,
4.1 CMOS反相器的直流特性 AGOx@;w
d2rL 8jW
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 0 "EoC
6HoqEku/Q
4.3 CMOS 反相器的功能 ;%' b;+
' .B.V?7
4.4 CMOS反相器设计 X rF3kz!44
*AZ?~ i^o
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 =/FF1jQ
q-3]jHChh
4.6 CMOS传输门 k$h [8l( <
g
Q37>
CMOS静态逻辑电路设计 X C DSmZ
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 8j%'9vPi
Bv $UFTz
5.2 CMOS与非门的分析 ?Gd sOg^
aD9rp
V
5.3 CMOS或非门的分析 %Rp8{.t7
\m4T3fy
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 .WvlaPK
.NJ|p=fy
5.5 组合逻辑电路的设计 +\0T\;-Xe
hSB?@I4s<\
5.6 类NMOS电路 brh=NA zt
I"@p aLZ
5.7 传输们逻辑电路 M;+IZr Wkl
zB*e uHIqZ
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 !Xj #@e
o}8I_o&]U
动态和时序逻辑电路设计 a(;!O}3_)(
6.1 动态逻辑电路的特点 ACg;CTB b
}7eh F6
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 {$d <1y^
k$N0lR4:p
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 .2W"w)$nuq
VfSj E.|
6.4 时钟CMOS(C2MOS) rh!;|xB |+
eQUe
>*
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 Y - )x Tn
:ofBzTNwZ
6.6 CMOS触发器
OcmRZ
[Wi 1|]X"G
6.7 时序逻辑电路 F]EBD 8/b
f>2MI4nMG
输入、输出缓冲器 Ag9?C*
7.1 输入缓冲器 Dnw| %6Y
(UL4+ta
7.2 输入保护电路 `J B?c
PL X>-7@
7.3 输出缓冲器 GbI-
SbE
)
;FS7R
7.4 脱片输出驱动级的设计 cl@g
7fHc[,
7.5 三态输出和双向缓冲器
HCWNo
Qm4o7x{q
MOS存储器 i/H+xrCK
8.1 DRAM K2{aNv R)t
bq >_qpr
8.2 SRAM gw36Ec<M
H
c^W %t~
8.3 ROM和PLD TX=yPq
83%)/_&
MOS IC的版图设计 c(#;_Ve2P
9.1 VLSI的设计方法 ;&V s4
}%7 NF*
9.2 门阵列和标准单元设计方法 nKa$1RMO
`d7n?|p D
9.3 版图设计 d?wc*N3
Lk \P7w{
SOICMOS简介 _g%TSumvq<
10.1 SOI CMOS工艺 fGhn+8V
fX
s\!>"J bAQ
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 H0m|1
7
g0R~& AN!g
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 MZ+^-@ X
.*m>\>Gsgw
BiCMOS电路 )nL`H^
11.1 MOS和双极型器件性能比较 .<@8 gNm3
PB;eHy
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ;r c`OZyE
Cj~'Lhmv'T
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 F~ h7{@\
T5a*z}L5
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 :VTTh
|E%#
hzk cP
11.5 BiCMOS电路实例 yKO`rtP
"[y-+)WTG
MOS 逻辑集成电路（续） BD(Z5+EU1
nMOS逻辑集成电路 w!fE;H8w6
6-1 电阻负载MOS倒相器 X5 j1`t
,
Y "/]|'p
6-2 E/E MOS 倒相器 (1# J%
7(pF[LCF
6-3 自举负载MOS 倒相器 J+`VujWT
N; \' N
ne
6-4 E/D MOS 倒相器 Ytl4kaYS
=weSyZ1~
6-5 静态MOS电路 _ H5o'>=
r-Pkfy(
CMOS集成电路 >r !|sC
7-1 CMOS 倒相器 ))"6er n
zx)z/1
7-2 CMOS传输门 (L/_ ^!ZX
U
H*r5o3
7-3 静态CMOS 电路 mWsI}2
G|!on<l&
7-4 CMOS 门电路的设计 ee^{hQi
;IZwTXu !S
7-5 CMOS电路中的锁定效应 fTK3,s1=
Zcx`SC-0
动态和准静态MOS电路 C$XU%5qi
8-1 栅电容的电荷存储效应 ;EP
:o%r
(2$p{U f
8-2 动态MOS倒相器 !WQ-=0cm
YwjKAyLU
8-3 动态MOS电路 9, :l8
` T5W}p[6
8-4 准静态MOS触发器 ?
i Wi
j}.\]$J
8-5 动态和准静态CMOS电路 jK& h~)
2{H@(Vgpbr
MOS集成电路的版图设计 r{L>
F]Tw
9-1 MOS集成电路的工艺设计 *Doa* w Q
a%/9v"}
9-2 MOS集成电路版图设计 3u*4o=4e
pZqq]mHK
9-3 MOS集成电路版图设计举例 1 28EPK
M_/7D|xl/T
MOS大规模集成电路 F Q<Ju.
10-1 LSI电路中的CAD技术 \fz< .l]
e D?tLj
10-2 HMOS技术 FKDk +ojw
l rlgz[
10-3 MOS存储器 ,Z&x NBX
1 ySk;;3
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 xr4 *{v
g+vva "
10-5 半定制逻辑电路 cQCSe,$ W
. qO @Q =
模拟集成电路 6-N?mSQU
模拟集成电路中的特殊元件 AG`L64B
11-1 横向pnp管 K X ,S
Rr&h!YMb
11-2 纵向pnp管
h7G"G"
#L=x%8B
11-3 超增益晶体管 LG{,c.Qj*
w'Y7Il C
11-4 隐埋齐纳二极管 4VJ-,Z
Gw/Pk4R
11-5 集成电路中的电容器 <'y?KiphL
lA|
5E?
11-6 薄膜电阻器 a!6{:8Zi0
eVjBGJ=2e
模拟集成电路中的基本单元电路 {f/~1G[M
12-1 差分放大器 PCHu #5j_a
K
-nF lPm\
12-2 恒流源电路和有源负载 Z3"%`*Tmq-
fiK6 @,
12-3 基准源电路 !,wIQy_e4
lHN5Dr
12-4 模拟开关 t6bV?nc
b6 c Bg
集成运算放大器 I&D5;8
13-1 运算放大器的基本概念 "@e3EX7h
$ t$ShT)
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 [<lHCQXJ/
TH%Qhv\]
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ~8q)^vm>f?
,;EI h}
13-4 µA741通用型运算放大器 m~iXl,r
LdYB7T,
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 FvaUsOy "
lp.ldajN
模拟集成电 m( r,A cy6
14-1 集成电压 L7n D|
@:oXN]+
_
14-2 D/A转换器 F~,Mw 8
A=$04<nP8!
14-3 A/D转换器 -R|,9o^
AFq~QXmr)
14-4 MOS模拟集成电路
+5w))9@
7o7)0l9!
模拟集成电路的版图设计 )1]ZtU
15-1 模拟集成电路版图设计特点 OSRp0G20k\
!8TlD-ZT/
15-2 模拟集成电路中的相容技术 X2#2C/6#u
]Z>}6!
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 6/f7<
S 8 kCp ;
2004.7.7
