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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ) [+82~F  
:m]H?vq] \  
第一篇MOS 逻辑集成电路 z{`K_s%5  
9kHVWDf  
MOS晶体管工作原理 "ngULpb{R  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 \2)D  
SO4?3wg7  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 `i`+yh>pc#  
KW-GVe%8f  
1.3 MOS晶体管的电流方程 sPX&XqWx  
UE8j8U'L  
1.4 MOS瞬态特性 t. y-b`v  
mC2K &'[  
MOS器件按比例缩小 3{$vN).  
2.1 按比例缩小理论 @,Z0u2WLl6  
B6=?Qp/f  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ;/:Sx/#s  
E75/EQ5p]p  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 vAp<Muj(a  
 J3`0i@  
2.4 VLSI发展的实际限制 *Nm$b+  
#u}%r{T  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 U% q-#^A  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 j$K*R."  
C];P yQS  
3.2 CMOS IC 工艺流程 !_vxbfZO  
P q$0ih  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 nl qn:[BU  
AHRJ7l;a  
CMOS反相器和CMOS传输门 !$A/.;0$  
4.1 CMOS反相器的直流特性 s3HVX'   
w9{C"K?u=  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 "$XX4w M  
zw[' hqW  
4.3 CMOS 反相器的功能 ;I&VpAPx  
L8 L1_  
4.4 CMOS反相器设计 HcgvlFb  
8 q@Z  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 yEq7ueJ'  
)P$|9<_q7x  
4.6 CMOS传输门 L.Qz29\  
7~ PL8  
CMOS静态逻辑电路设计 1~*1W4};F8  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 H+4j.eVzZU  
J#zr50@@  
5.2 CMOS与非门的分析 O2?C *  
9@lWI  
5.3 CMOS或非门的分析 gv''A"  
TIWR[r1!  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 _!n sEG VV  
/8FmPCp}r  
5.5 组合逻辑电路的设计 TmsIyDcD~  
y0%1YY  
5.6 类NMOS电路 ?, S/>SP  
l3>S{  
5.7 传输们逻辑电路  Y{p$%  
DxJ;C09xNa  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 G0E5Y;YIN$  
|eqBCZn  
动态和时序逻辑电路设计 qqrj I.  
6.1 动态逻辑电路的特点 *doNPp)m  
n HseA  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 D 2X_Yv  
P {TJ$  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 , NSf  
:D D<0  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) Wg']a/m  
CMa6':~  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 mdj%zJ8/  
kZ40a\9 Ye  
6.6 CMOS触发器 RkF#NCnL;  
z3o i(  
6.7 时序逻辑电路 v}G^+ -?  
w;z 7vN~/O  
输入、输出缓冲器 3S^0%"fY  
7.1 输入缓冲器 D|]BFu)F  
oQ$yr^M  
7.2 输入保护电路 RB5SK#z  
au rs~  
7.3 输出缓冲器 2jsbg{QS#_  
"6B7EH  
7.4 脱片输出驱动级的设计 ,eXtY}E  
K\Ea\b[  
7.5 三态输出和双向缓冲器 ~>2uRjvkwB  
Z_d"<k}I  
MOS存储器 PRKZg]?  
8.1 DRAM |Splbs k  
q7R]!zk  
8.2 SRAM ]%Q!%uTh  
I \ :WD"  
8.3 ROM和PLD QV;o9j  
,_[x |8m  
MOS IC的版图设计 WK ~H]w  
9.1 VLSI的设计方法 x 7j#@C  
hHs/Qtq  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 1W^hPY  
j8Z,:op  
9.3 版图设计 Q$jEmmm%V[  
pLMt 2 G  
SOICMOS简介 G7Nw}cVJ)  
10.1 SOI CMOS工艺 Z8$}Rpo  
#c"eff  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 @"@a70WHk  
IqOg{# sm  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 D3pz69W  
6Q.S  
BiCMOS电路 X{9^$/XsJ  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 a#oROb-*~  
i"{O~[  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 d2\ !tJm  
B#sCB&(  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 7"(!]+BW!O  
k,h602(  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 BK$y>= `  
XLh)$rZ  
11.5   BiCMOS电路实例 C]^ Ep  
3%WB?k c  
MOS 逻辑集成电路(续) 6BE,L  
nMOS逻辑集成电路 ^FCXcn9  
6-1 电阻负载MOS倒相器 =SDex.ZK]  
qF)J#$4;6  
6-2 E/E MOS 倒相器 oFk2y^>u  
z]7 WC  
6-3 自举负载MOS 倒相器 Q*M#e  
"be\%W+<  
6-4 E/D MOS 倒相器 \!KE_7HRu  
];bRRBEU  
6-5 静态MOS电路 0KA*6]h t  
7?lz$.*Avp  
CMOS集成电路 *,u3Wm|7  
7-1 CMOS 倒相器 ,0'G HQWz$  
5(;Y&?k  
7-2 CMOS传输门 lg^'/8^f  
VZ]iep  
7-3 静态CMOS 电路 %0\@\fC41  
bW yimr&B  
7-4 CMOS 门电路的设计 >`QBN1 Y  
=4TQ*;V:  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 EKc<|e,F  
Y1r$;;sH  
动态和准静态MOS电路 ?;~!C2Zs  
8-1 栅电容的电荷存储效应 C T~6T&'  
/R&`]9].s  
8-2 动态MOS倒相器 j26i+Z  
74^v('-2  
8-3 动态MOS电路 FDo PW~+[  
0 kJ8H!~u  
8-4 准静态MOS触发器 .Ys e/oEo  
-TD\?Q  
8-5 动态和准静态CMOS电路 FNG a4  
^y,h0?Z9  
MOS集成电路的版图设计 :'h$]p%  
9-1 MOS集成电路的工艺设计  O_ _s~  
$(}rTm  
9-2 MOS集成电路版图设计 #-|fdcb  
%oBP6|e  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 =r]l"T  
0 u*a=f=  
MOS大规模集成电路 Q{~g<G  
10-1 LSI电路中的CAD技术 %??v? M*  
2: QT`e&  
10-2 HMOS技术 *+v*VH  
/? %V% n  
10-3 MOS存储器 xLed];2G  
U\%r33L )  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 97 Dq;  
,X!)zAmm  
10-5 半定制逻辑电路 20I`F>-*  
1$RJzHS  
模拟集成电路 eipg,EI  
模拟集成电路中的特殊元件 Cl '$*h  
11-1 横向pnp管 *I :c@iCNJ  
qu^g~"s  
11-2 纵向pnp管 ZtZ3I?%U3  
OUWK  
11-3 超增益晶体管 =r+K2]z,L  
LZ wCe$1  
11-4 隐埋齐纳二极管 mr7Oi `dE  
XQ~Xls%]   
11-5 集成电路中的电容器 OPN\{<`*d  
U!uPf:p2  
11-6 薄膜电阻器 y pEMx'p   
^g4Gw6q 6  
模拟集成电路中的基本单元电路 ' pgP QM<  
12-1 差分放大器 W,EIBgR(R5  
?j8!3NCl}  
12-2 恒流源电路和有源负载 *%/O (ohs@  
D\G.p |9=  
12-3 基准源电路 S3M!"l  
6=n|Ha  
12-4 模拟开关 f I=G>[  
]y.V#,6 e  
集成运算放大器 O*v&C Hd3  
13-1 运算放大器的基本概念 ^'[QCwY~  
E"9(CjbQ[  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 |kK5:\H  
e_e\Ie/pDc  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 q{`1 [R  
y5F+~z }{  
13-4 µA741通用型运算放大器 hlL$3.]  
u `/V1  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 FB wG3x  
L9O;K$[s  
模拟集成电 ;U>nj],uv  
14-1 集成电压 7)QZ<fme  
8OZasf  
14-2 D/A转换器 ewd eC  
i#>t<g`l  
14-3 A/D转换器 {Z k^J  
@=l6zd@  
14-4 MOS模拟集成电路 S>I` y]qlR  
R/x3+_.f  
模拟集成电路的版图设计 Q k}RcP  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 D& pn@6bB  
n[0u&m8  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ( jU $   
ld ]*J}cw  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 i<F7/p "-  
OC*28)  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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