华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 | j=Pj)5J
vj9'5]!~q
第一篇MOS 逻辑集成电路 9[R+m3V/`
zX ]l$Q+
MOS晶体管工作原理 _ r
g*K
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 w=FU:q/
WO6R04+WV
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Mm;[f'{M)
86);0E BX
1.3 MOS晶体管的电流方程 "RTv[n!
>qBJK)LHOv
1.4 MOS瞬态特性 Hb/8X
!=
1 @i/N
MOS器件按比例缩小 51tZ:-1 !
2.1 按比例缩小理论 OZA^L;#>
N<b~,[yCd>
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Ahc9HA2
F]fXS-@ c
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 xz, o Mlw
[b_qC' K[
2.4 VLSI发展的实际限制 0
vYG#S
b
0 qA
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 jz]}%O
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 @|5B}%!
/='Q-`?9
3.2 CMOS IC 工艺流程 '1(6@5tyWk
UNK .39
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ^tjw }sE
{9X mFa
CMOS反相器和CMOS传输门 ;xiw yfqgE
4.1 CMOS反相器的直流特性 v~yw-}fk%
{bR2S&=OmK
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性
`6lOq H
D.Cn`O}
4.3 CMOS 反相器的功能 F"
M
N {~P}Sw
4.4 CMOS反相器设计 tW94\3)1
EpQy;#=;
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Aj=GekX {
ivn2
4.6 CMOS传输门 KO~KaN
SD V#p];u
CMOS静态逻辑电路设计 3;VH'hh_
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 _p5#`
-%mM
6wj o:I
5.2 CMOS与非门的分析 cm_
5,wB(w
F[SZwMf29
5.3 CMOS或非门的分析 ZI;*X~h
`2LmLFkb
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 5>+@
.hPX
/3G q&[R{
5.5 组合逻辑电路的设计 U5TkgHN{y
nW"O+ s3
5.6 类NMOS电路 D_0sXIbg
=0] K(p,
5.7 传输们逻辑电路 |;xEK nF
v%AepK&
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 Gf3-%s xA
a>W++8t1 ;
动态和时序逻辑电路设计 3@\/5I xn
6.1 动态逻辑电路的特点 8 yi#] 5`Q
cZ| NGkZ
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 =v?P7; T
MGMJeq vr
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 xWXLk )A
\V!{z;.fA
6.4 时钟CMOS(C2MOS) .=Oww
L~{(9J'(
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 PNo:[9`S;m
^*`#+*C
6.6 CMOS触发器 >I5Wf /
$
wU!-sf;]y
6.7 时序逻辑电路 G^nG^HTo5
g$#A'Du
输入、输出缓冲器 Vf~-v$YI
7.1 输入缓冲器 0j4n1 1#
>'q]ypA 1
7.2 输入保护电路 _[z)%`kay
syg{qtBz^
7.3 输出缓冲器 !y~nsy:&7x
D=z="p\
7.4 脱片输出驱动级的设计 k6z
] -XG
qzv ht4
7.5 三态输出和双向缓冲器 4Ol1
T(J#
*rw6?u9I
MOS存储器
w =!xTA
8.1 DRAM [^
}bc-9?i
Q
~ Ad{yC
8.2 SRAM n(# yGzq
=to.Oa RR
8.3 ROM和PLD +924_,zF
l x5 .50mI
MOS IC的版图设计 "AXgT[ O
9.1 VLSI的设计方法 4zhh **]B
Hp ;$fQ
9.2 门阵列和标准单元设计方法 iuXXFuh
i9qIaG/
9.3 版图设计 N<4 nb
ADOA&r[
SOICMOS简介 ~&<vAgy,
10.1 SOI CMOS工艺 ~;]zEq-hG
V'dw=W17V
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 fyT|xI`iD
$.w$x1
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ` s+kYWg'Z
f<rn't{
BiCMOS电路 ':tdb$h
11.1 MOS和双极型器件性能比较 #U
w X~
O/#uQn}
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 +`1~zcu
q=`n3+N_H~
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 S#y GqN0i
\ %MsG
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 [iO8R-N8d
;P;c!}:\b
11.5 BiCMOS电路实例 yw7(!1j=
:Ru8Nm
MOS 逻辑集成电路（续） =)g}$r
&<
nMOS逻辑集成电路 /5L\:eX%
6-1 电阻负载MOS倒相器 Qmo}esb'(
jgPUR#)
6-2 E/E MOS 倒相器 5cU: w c
~QPTs1Vk8
6-3 自举负载MOS 倒相器 ]yqE6Lf9
,~1k:>njY~
6-4 E/D MOS 倒相器 0 } &/n>F
"sDs[Lcq
6-5 静态MOS电路 OQ
w O7Z
fXl2i]L(^B
CMOS集成电路 [ @"6:tTU
7-1 CMOS 倒相器 nIfAG^?|*
Qf ~$9?z
7-2 CMOS传输门 h qjjd-S0
uG6.(A1LM
7-3 静态CMOS 电路 a L+>XN
<Y1 Plc
7-4 CMOS 门电路的设计 MOCcp s*
/w5*R5B{
7-5 CMOS电路中的锁定效应 T=M##`jP%
9609
动态和准静态MOS电路 GQ@mQ=i
8-1 栅电容的电荷存储效应 5.&)hmpg
Jkbeh
.
8-2 动态MOS倒相器 ?H@<8Ra=3
K#X/j'$^
8-3 动态MOS电路 N A Y3.e
'xkl|P>=],
8-4 准静态MOS触发器 BYM6cp+S
d *gv.mE
8-5 动态和准静态CMOS电路 vMEN14;yH_
@$%GszyQ'
MOS集成电路的版图设计 ]2)A/fOW
9-1 MOS集成电路的工艺设计 $;q
}j vo
;2 &"
9-2 MOS集成电路版图设计
O=}Rp 1
&*+ $38XE^
9-3 MOS集成电路版图设计举例 -2J37
^-k"gLg
MOS大规模集成电路 o68i0aFW
10-1 LSI电路中的CAD技术 *1
`X}
G)}[!'<rR
10-2 HMOS技术 |3,WiK='
s)qrlv5H
10-3 MOS存储器 >iOf3I-ATt
V2T% tn;rp
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 70 R6:
0!dNW,NfJ
10-5 半定制逻辑电路 ZJBb% d1;
Io3-\Ff
模拟集成电路 a#r{FoU{M8
模拟集成电路中的特殊元件 )f:i4. M
11-1 横向pnp管 Zc~
7R`v7}
(y>N\xS9
11-2 纵向pnp管 Gr2}N"X=
'D5J5+.z
11-3 超增益晶体管 T"Y#u
+S( # 7
11-4 隐埋齐纳二极管 wz:e\ !
[y`G p#
11-5 集成电路中的电容器
%;:![?M
ESV./~K
11-6 薄膜电阻器 /r~2 KZE
C<^i`[&P$
模拟集成电路中的基本单元电路 j? BL8E'
12-1 差分放大器 $EFS_ *<X
2: gh q
12-2 恒流源电路和有源负载 RG45S0Ygj
7/<~s]D[%
12-3 基准源电路 /K li C\
-r cEG!
12-4 模拟开关 Lf%3-P
y p{Dl
集成运算放大器 Z]b ;%:>=
13-1 运算放大器的基本概念 =a,qRO
`"CA$Se 8
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 t j ThQ
K9xvog
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 pl
r@
Z OPK
13-4 µA741通用型运算放大器 -b!Z (}JK
vE(]!CB
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 k
?KJ8
Y({
R\W|
模拟集成电 )I*(yUj
14-1 集成电压 \12G,tBH
}d; 2[f R)
14-2 D/A转换器 BJ5MCb.w
!a UYidd
14-3 A/D转换器 E'4Psx9: =
2R,}
j@
14-4 MOS模拟集成电路 Zfk]Z9YO
QBGm)h?=
模拟集成电路的版图设计 py\:u5QS
15-1 模拟集成电路版图设计特点 zB0*KgAn{
MuMq%uDA"
15-2 模拟集成电路中的相容技术 LTS{[(%
P6kD tUXF
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 BAXu\a-C_
z4_
B/Q
2004.7.7
