华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 1=>b\"P#E
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c YC)
第一篇MOS 逻辑集成电路 *<{hLf
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?nGAn
MOS晶体管工作原理 X H
!n{Of
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 .}!.:
|
+ Swl$ab
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 6 PWw^ Cd
D}ZPgt#
1.3 MOS晶体管的电流方程 Bdvp G
Q0 ezeo
1.4 MOS瞬态特性 C^] UK
) P+<=8@a
MOS器件按比例缩小 F2n4#b
2.1 按比例缩小理论 .[:WMCc\
XTb .cqOC
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 4eaH.&&
`'(@"-L:7
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 $`C$|9S
:q2RgZE
2.4 VLSI发展的实际限制 -
ikq#L){
axXR-5c
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 I[ 06R
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Dn>C
:YS`
+).=}.k
3.2 CMOS IC 工艺流程 & )-fC
b!EqYT
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ^zG!Z: E
VdL }$CX$
CMOS反相器和CMOS传输门 :`@W`V?6-
4.1 CMOS反相器的直流特性 @Js@\)P
79
7Z81+I|&8
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 |;C;d"JC2
PXDJ[Oj7(0
4.3 CMOS 反相器的功能 b h5 C
AX{yfL
4.4 CMOS反相器设计 iA
"H*0
U}-hV@y
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 * ^\u%Ir"
1!ijRr
4.6 CMOS传输门 Tf Nm0=|
Aacj?
CMOS静态逻辑电路设计 v) !^%D
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ixF
?=M g "QU
5.2 CMOS与非门的分析 %bTXu1
73E[O5?b
5.3 CMOS或非门的分析 zhACNz4tJ
S
ciEHI#
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 VZU@G)rd
_8?r!D#P;s
5.5 组合逻辑电路的设计 1uc;:N G=
S#Pni}JD
5.6 类NMOS电路 ^Pc&`1Ap
M7AUY#)
5.7 传输们逻辑电路 sHMZ'9b
:YN,cI d*
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列
yLCJSN$7
=MMSmu5!
动态和时序逻辑电路设计 JwmH_nJ(
6.1 动态逻辑电路的特点 \&X*-T[]j
f!##R-A
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ^$F1U,o i
#j${R ={
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 d} ]jw4
Q2 !vO4!<N
6.4 时钟CMOS(C2MOS) Q|:qs\6q5
Fop'm))C8
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 U_C 1GT-|
RE75TqYW
6.6 CMOS触发器 7
a_99? J
#R3|nL
6.7 时序逻辑电路 nJ~5ICyd
\#)w$ O
输入、输出缓冲器 XfH[: XG3
7.1 输入缓冲器 JQ]A"xTIa*
)Fh5*UC
7.2 输入保护电路 q <Zza
O;?Nz:/q
7.3 输出缓冲器 *.F4?i2D
ptEChoZ6
7.4 脱片输出驱动级的设计 #=\ nuT'oy
uiIS4S_
7.5 三态输出和双向缓冲器 _iZ_.3 Ip
d
w]jF= u
MOS存储器 hTVA^j(w
8.1 DRAM 79O'S du@
`5C uH
8.2 SRAM |#?:KvU97E
!U8n=A#,-
8.3 ROM和PLD FA3YiX(-e
7@uhw">mX
MOS IC的版图设计 's_[ #a;Vp
9.1 VLSI的设计方法 Ek%mX"
`4kVe= {
9.2 门阵列和标准单元设计方法 oK#UEn
%UokR"
9.3 版图设计 * faG0le
-h8@B+
SOICMOS简介 r!e:s JAB.
10.1 SOI CMOS工艺 Sahz*f
r: -,qy
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 BH\!
yxK
] CxD m
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 U~1 )a(Yu;
r"xs?P&/$
BiCMOS电路 hYB3t T
11.1 MOS和双极型器件性能比较 vMYL( ]e
5D xNHEuS
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ^n~bx *f
{u)>W@Lr
11.3 BiCMOS逻辑门的设计
Ci(c`1a v
v@ifB I
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 hAU@}"=G
/ ?H q
11.5 BiCMOS电路实例 r&3EM[*Iw
-]<<}@N F
MOS 逻辑集成电路（续） 8@,8j!$8G
nMOS逻辑集成电路 IN 7Cpg~9%
6-1 电阻负载MOS倒相器 #Oi{7~
_qa9wK/
6-2 E/E MOS 倒相器 S\L^ZH?[2
*aW:Z6N
6-3 自举负载MOS 倒相器 )|wC 1J!L
i F \H
6-4 E/D MOS 倒相器 i5cK5MaD
;a 6Z=LB
6-5 静态MOS电路 H5Bh?mw2
nxMZd=Y
CMOS集成电路 . ZP$,
7-1 CMOS 倒相器 S S fNI>
KAg-M#
7-2 CMOS传输门 K57u87=*X?
J,:Wv`N:9~
7-3 静态CMOS 电路 4JRQ=T|P7I
aC94g7)`
7-4 CMOS 门电路的设计 '| p"HbJ
jo'
V.]\
7-5 CMOS电路中的锁定效应 t:"%d9]
MM6PaD{
动态和准静态MOS电路 {r%T_BfY
8-1 栅电容的电荷存储效应 j'`-3<k
g x8i| ]
8-2 动态MOS倒相器 }W0 _eQ
YC(X=
D
8-3 动态MOS电路 kB.CeG]tk
PD~vq ^@Q
8-4 准静态MOS触发器 L+~XW'P?
jq%}=-%KE
8-5 动态和准静态CMOS电路 g C(@]%
p-xG& CU
MOS集成电路的版图设计 7A lL,&+
9-1 MOS集成电路的工艺设计 EQ.K+d*K][
my0iE:
9-2 MOS集成电路版图设计 (3 ~^zwA
gJ~CD1`O
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ^7a@?|,q8
Ri\\Yb
MOS大规模集成电路 ~~=]_lwyK%
10-1 LSI电路中的CAD技术 (\'$$
o/ 7[
G
10-2 HMOS技术 J=
&}$
*s<cgPKJ @
10-3 MOS存储器 DIfQ~O+u
=sAU5Ag68
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 r`\@Fv,&#
e ^ ,
IZ{
10-5 半定制逻辑电路 ; +.cD
bDm7$
(
模拟集成电路 *tv\5KW G
模拟集成电路中的特殊元件 hiE YIx
11-1 横向pnp管 #SG.`J<%
M6bM`wHH>
11-2 纵向pnp管 Eg8b|!-')8
{> <1 K6t
11-3 超增益晶体管 rxqSi0p
y/:%S2za>
11-4 隐埋齐纳二极管 (z8 ;J> 7
Xk/i yp/
11-5 集成电路中的电容器 $VB
dd~f
CyS %1 1L
11-6 薄膜电阻器 K&zW+C b
1up p E|
模拟集成电路中的基本单元电路 _RbM'_y+E
12-1 差分放大器 J@"UFL' ^
S;jD@j\t&
12-2 恒流源电路和有源负载 l($ 8H AJ
5IOGH*'U8
12-3 基准源电路 }+bo?~2E&
wy
.96
12-4 模拟开关 Tl'wA^~H
^y q Ra&
集成运算放大器 8 aIqc
13-1 运算放大器的基本概念 9 #m3<oSJ
W$2 \GPJt
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 _x1W\#
F'sX ^/;
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Yh!=mW!OY
MG~Z)+g=y
13-4 µA741通用型运算放大器 EI7n|X
a1q
^_g%c&H
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 M.
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模拟集成电 `GW&*[.7
14-1 集成电压 |JF,n~n
F8dr-"G
14-2 D/A转换器 le b/ D>y
@TD=or .&
14-3 A/D转换器 3)ox8,{%}
-gk2$P-
14-4 MOS模拟集成电路 J]XLWAM
WeaT42*Q{
模拟集成电路的版图设计 ,zr9* t
15-1 模拟集成电路版图设计特点 1 :$#a
\8!CKnfs
15-2 模拟集成电路中的相容技术 R ] e&JoY
J`)/\9'&&
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 s>I]_W)Pt
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2004.7.7
