华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 +]zP $5_e  
}<S2W\,G  
第一篇MOS 逻辑集成电路 H}~^,B2;  
&Os Ritj  
MOS晶体管工作原理 Dw[Q,SE  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 q<8HG_  
:F\f}G3  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 f*~fslY,o  
f5-={lUlIS  
1.3 MOS晶体管的电流方程 (Vv]:Y]  
jYF3u0 )
  
1.4 MOS瞬态特性 .gJKr  
jFv<]D%A[  
MOS器件按比例缩小 hdL2`5RFF  
2.1 按比例缩小理论 7A6sSfPUy  
H%N+Vr3O,  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 -`UlntEdZ:  
3lN+fQ>)S  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 xn8B|axB  
/f<(K-o]  
2.4 VLSI发展的实际限制 ]Dg0@Y  
a)Ek~{9  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 KOx#LGz  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 qS|VUy4  
auW]rwY  
3.2 CMOS IC 工艺流程 T} [vfIJD  
Wp3l>:  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应  % cdP*  
-RQQ|:O$  
CMOS反相器和CMOS传输门 `h!&->  
4.1 CMOS反相器的直流特性 YO0x68  
)`7+o9&  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 nk 9 K\I  
>L`mF_WG  
4.3 CMOS 反相器的功能 ~HRWKPb  
SVh4)}.x  
4.4 CMOS反相器设计 ZMg9Qt  
0\nhg5]?  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Sr 4 7u{n  
ldvxYq<:  
4.6 CMOS传输门 Bjj^!T/#  
'TsZuZW]  
CMOS静态逻辑电路设计 @zF:{=+]+  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 72vGfT2HtZ  
x>"JWD  
5.2 CMOS与非门的分析 HCkqh4  
6_K#,_oZ  
5.3 CMOS或非门的分析 S_VncTIO  
B2qq C-hw?  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 :gaeb8`t  
DB'KIw  
5.5 组合逻辑电路的设计 Y6?mY!  
:42;c:85  
5.6 类NMOS电路 SH$cn,3F8  
-U;LiO;N  
5.7 传输们逻辑电路 L8xprHgL  
)r,R !8  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 JK]tcP  
'Qq_Xn 8  
动态和时序逻辑电路设计 gIM'bA<~  
6.1 动态逻辑电路的特点 a:^Gr%  
*[~o~e/YCb  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 \ jXN*A  
1 u_2 4  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ~TFYlV  
c^bk:=uj  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) UK_aqB  
HGQ?(2]8$  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 3?Eoj95w!  
#!u51P1  
6.6 CMOS触发器 z>p`!-'ID  
zvb}p  
6.7 时序逻辑电路 ;,vL  
b'oGt,  
输入、输出缓冲器 m":SE?{{&  
7.1 输入缓冲器 V>jhGf  
D Mcxa.Sd!  
7.2 输入保护电路 YyJ{   
e
BC%2TF  
7.3 输出缓冲器 ,WB_C\.#XN  
+5t
 bK  
7.4 脱片输出驱动级的设计 9ze| s^  
oAZF3h]po  
7.5 三态输出和双向缓冲器 \aVY>1`  
){  
MOS存储器 ?cs]#6^  
8.1 DRAM K%(XgXb(</  

ZG@M%|>  
8.2 SRAM S2 "=B&,}  
o`\.I &Ij  
8.3 ROM和PLD (\T0n
[  
G=Hf&l  
MOS IC的版图设计 5`E`Kb+@  
9.1 VLSI的设计方法 4j@i%  
Wyq~:vU.S  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 sCF40AoY&  
 gmRT1T  
9.3 版图设计 )XP#W|;  
wMz-U- z  
SOICMOS简介 8wII{FHX  
10.1 SOI CMOS工艺 JvfQib  
79SqYe=&uy  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Z6Nj<2u2  
pd4cg?K  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 _\dt?(m|  
20UqJM8Ot  
BiCMOS电路 x" 'KW (  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 v<;: 0  
 c6Lif)4  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 e=t<H"&  
.3VK;au\\  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 G HD^%)T5^  
yjEI/9_  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 Ue(r}*  
+w"_$Tj@;  
11.5   BiCMOS电路实例 07x=` 7hs}  
6*ZU}xT  
MOS 逻辑集成电路（续） 2B7h9P.NB  
nMOS逻辑集成电路 k$C"xg2  
6-1 电阻负载MOS倒相器 K7IyCcdB  
* R%.a^R  
6-2 E/E MOS 倒相器 AD^X(rW  
: *E RRSL)  
6-3 自举负载MOS 倒相器 *^'wFbaBO  
!#q{Z>H`  
6-4 E/D MOS 倒相器 L 5+J ^  
KiQ(XNx  
6-5 静态MOS电路 9"~9hOEct  
O -G1})$  
CMOS集成电路 lLH$`Wnv  
7-1 CMOS 倒相器 ITONpg[f  
huz86CO  
7-2 CMOS传输门 PdT83vOCE  
q69H^E=  
7-3 静态CMOS 电路 N[pZIH5ho=  
Y)|~:& tZ  
7-4 CMOS 门电路的设计 2B^~/T<\  
G*B$%?n  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 O}QFq14<+  
q/$GE,"  
动态和准静态MOS电路 r@iASITX  
8-1 栅电容的电荷存储效应 4.8nY\_WF  
>8|+%pK8<  
8-2 动态MOS倒相器 LP9)zi  
[EgW/\35  
8-3 动态MOS电路 GB>aT-G7q  
lyyX <=E{)  
8-4 准静态MOS触发器 }p=g*Zo*C;  
X8b|]Nr  
8-5 动态和准静态CMOS电路 qgx?"$ Z  
%hc'dZ  
MOS集成电路的版图设计 @u/H8\.l  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 /Wu|)tx  
`XW*kxpm  
9-2 MOS集成电路版图设计 ^/dS>_gtHv  
R"3 M[^  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 "~
/9F  
=1Z;Ma<;  
MOS大规模集成电路 rA1
qSG~c  
10-1 LSI电路中的CAD技术 T6Ctf#  
s]H^wrg&  
10-2 HMOS技术 G 4qy*.  
/syVGmS'M  
10-3 MOS存储器 :$g8Zm,y  
__I/F6{ 9V  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 nWJ:=JQ i"  
U>
P|X=)  
10-5 半定制逻辑电路 qaVy.  
9JshMo  
模拟集成电路 ~e">_;k6  
模拟集成电路中的特殊元件 bA@P}M)X  
11-1 横向pnp管 [ohBPQO  
A&,,9G<  
11-2 纵向pnp管 iev>9j  
hoQ7).>  
11-3 超增益晶体管 ?2#(jZ# 2  
XiQkrZ  
11-4 隐埋齐纳二极管 {6G?[ `&ca  
o''wCr%  
11-5 集成电路中的电容器 ~AZWds(,N  
XK ApLz  
11-6 薄膜电阻器 VDGCWg6z  
@5VV|Wt=  
模拟集成电路中的基本单元电路 /6+NU^  
12-1 差分放大器 Q_p[kKH  
hhI)' $  
12-2 恒流源电路和有源负载 :+rUBY
Wx  
~1kXUWq3  
12-3 基准源电路 cvd\/pG)  
LUX*P7*B  
12-4 模拟开关 ao_4mSB  
pCh2SQ(Q>  
集成运算放大器 .iMN,+qP  
13-1 运算放大器的基本概念 ?S$i?\Qh  
wr(*?p]R  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 5irwz 4.4  
s~I6SA&i  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 G7!W{;@I  
S"Lx%  
13-4 µA741通用型运算放大器 ZF7IL  
RlT3Iz;  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径  qy)_wM  
WrPUd{QM  
模拟集成电 zDhB{3-Q1{  
14-1 集成电压 eW5SFY.  
m,C1J%{^  
14-2 D/A转换器 )-*5v D  
(Yo>Oh4
  
14-3 A/D转换器 1I@8A>2^OX  
Hbv6_H  
14-4 MOS模拟集成电路 kmzH'wktt  
gs!(;N\j|  
模拟集成电路的版图设计 !*- >;:9B  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 "-@[R  
`u>4\sv  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 c'/l,k  
U9b?i$  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 @gY)8xMbA  
7{& |;U  
2004.7.7

真不如有真题呀，