华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 t!qwxX* $T
^P$7A ]!
第一篇MOS 逻辑集成电路 !\x?R6K
~ffwLgu!
MOS晶体管工作原理
{7X~!e|w
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 doLN z4W
%l|\of7P2}
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 ,LUTHWEo"I
(0C &z/
1.3 MOS晶体管的电流方程 x~+-VF3/
sE9Ckc5
1.4 MOS瞬态特性 8x{Hg9
CDCC1B G"
MOS器件按比例缩小 {Hk/1KG>
2.1 按比例缩小理论 sfI N)jh
!^v\^Fc
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 XTo8,'UaP
T4GW1NP
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 vGN3 YcH
R| Y~u* D
2.4 VLSI发展的实际限制
MZ ~.(&
TB#N k5
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 #{,h@g}W
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 o0`q#>7!_b
%h/! Y<%
3.2 CMOS IC 工艺流程 6mHhC?
HcO5?{2
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ' ^a!`"Bc
*P xf#X
CMOS反相器和CMOS传输门 QJSr:dP4dG
4.1 CMOS反相器的直流特性 @T7PZB&xnl
J"&y |; G
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 f3 &/r
X9~p4ys9{
4.3 CMOS 反相器的功能 7\%$>< K
%nQmFIt
4.4 CMOS反相器设计 P) 1 EA;
b:Dg}
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 >{XScxaB`
)!, @m>0v{
4.6 CMOS传输门 _FsB6
G]mc
j^ I!6j=ZX
CMOS静态逻辑电路设计 z!Hx @){|
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 c F=P!2 @
KN, 4@4
5.2 CMOS与非门的分析 vgAFuQi(
#(dhBEXPW;
5.3 CMOS或非门的分析 f{_)rsqf
}) 7K S?
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 0WXV c
hBy*09Sv
5.5 组合逻辑电路的设计 s41adw >
{(0Id !
5.6 类NMOS电路 }4KW@L[g
Pz1G<eh#{g
5.7 传输们逻辑电路 d?}hCo=/Xq
xVTo 4-[p
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 W5X7FE W
+f]u5p[
动态和时序逻辑电路设计 L!vWRwZwC
6.1 动态逻辑电路的特点 SwJH g
Z&
#[(gIOrNn8
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 2-7Z(7G{ F
WL/5 oj
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 i'iO H|s
y9ip[Xn-$:
6.4 时钟CMOS(C2MOS) <(?'
s9
q|Fjm]AF
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 `GS cRhbh
Rv,Mu3\~#c
6.6 CMOS触发器 xy vND
,z oB0([
6.7 时序逻辑电路 /} a_8iM\
OOfy Gvs
输入、输出缓冲器 L9$&-A9ix
7.1 输入缓冲器 n fa_8
zF?31\GOX
7.2 输入保护电路 ~;!BDL MC6
Yfe'#MKfL
7.3 输出缓冲器 dB@FI
]d^ k4 d
7.4 脱片输出驱动级的设计 3Qk/ Ll
a^(2q{*
7.5 三态输出和双向缓冲器 6N&| 2: U
Y}S.37|+^
MOS存储器 NtqFnxm/
8.1 DRAM x
~wNO/
H<$pH
yxU
8.2 SRAM o>.AdZby
> n1h ^AW
8.3 ROM和PLD \zBd<H4S:
z
}iSq$
MOS IC的版图设计 b$dBV}0 L
9.1 VLSI的设计方法 xC'm PcU8
) sRN!~
9.2 门阵列和标准单元设计方法 l},dQ4R
CcBQo8!G
9.3 版图设计 )4 @M`8
Y$>+U
SOICMOS简介 *3 !(*F@M,
10.1 SOI CMOS工艺 NWw<B3aL
vz- 9<w;>a
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 h] <GTWj
I; ^xAd3G
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 @ <|6{N<
BQ).`f";d
BiCMOS电路 d:A\<F
11.1 MOS和双极型器件性能比较 _MGNKA6JI
D% oueW
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 [SK2 x4
TViBCed40
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 X";TZk
joxS+P5#
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 MKV=m8G=
C q-hPa}2
11.5 BiCMOS电路实例 Lc58l V=
&/ \O2Aw8
MOS 逻辑集成电路（续） &\JK%X.Jlt
nMOS逻辑集成电路 mfj4`3:N V
6-1 电阻负载MOS倒相器
s.|!Ti!]
-k WO2
6-2 E/E MOS 倒相器
kTr6{9L
@<hF .4,]
6-3 自举负载MOS 倒相器 !y.ei1diw
K4
i I :
6-4 E/D MOS 倒相器 3 C q6h;!#
`Af{H/qiI
6-5 静态MOS电路 b{ Z^)u2X
l\q*%'Pe
CMOS集成电路 f 1sy9nQs
7-1 CMOS 倒相器 w%> aR_G
p>2||
7-2 CMOS传输门 <9Lv4`]GU5
?| D$#{^
7-3 静态CMOS 电路 l t@
LXBbz;vYl
7-4 CMOS 门电路的设计 ;k9
?
v_y!Oh?EG
7-5 CMOS电路中的锁定效应 v p"%IW
Fpy6"Z?z
动态和准静态MOS电路 $sU5=,
8-1 栅电容的电荷存储效应 BP )q 6?Mz
BSx j~pun
8-2 动态MOS倒相器 xi
'72
! !?+M @
8-3 动态MOS电路 C><<0VhU
W&fW5af9
8-4 准静态MOS触发器 I-RdAVB/Ep
pFpQ\x c9$
8-5 动态和准静态CMOS电路 k #1`
@- )<|orU4
MOS集成电路的版图设计 ?a
K'OIo
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Y9
IJ
ltCwns
9-2 MOS集成电路版图设计 ]`#xR *a
U^E
9-3 MOS集成电路版图设计举例 K;@RUy~
JcvHJ0X~a
MOS大规模集成电路 u)q2YLK8
10-1 LSI电路中的CAD技术 5PPPd-'Z_
9IS1.3
10-2 HMOS技术 u4b3bH9U
H(5S K v5
10-3 MOS存储器 _~X8/p/Qh
Q{J"`d2
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 TTA{#[=7
ImUQ*0
10-5 半定制逻辑电路 ?/`C~e<J
<;$Sa's,LE
模拟集成电路 u%+6Mp[E
模拟集成电路中的特殊元件 !uj
!
11-1 横向pnp管 Vze! /E D
"k\Ff50
11-2 纵向pnp管 boC>N
Gx(K N57D
11-3 超增益晶体管 :,h=2a_ 8
dK0}% ]i3#
11-4 隐埋齐纳二极管 ])Q9=?Sd}
Xhq? 7P$3
11-5 集成电路中的电容器 X <ba| (
^G 'yaaLXR
11-6 薄膜电阻器 z{D$~ ob
Y5h)l<P>B
模拟集成电路中的基本单元电路 )M&Azbu
12-1 差分放大器 IEIxjek
W G3mQ\k
12-2 恒流源电路和有源负载 }6uV]V{
n3HCd- z
12-3 基准源电路 YWcui+4p}
+h g aBJy
12-4 模拟开关 bOd sMlJkN
^huBqEs
集成运算放大器 n7`.<*:
13-1 运算放大器的基本概念 xvdnEaWe$
A3
Rm 0
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 .=b
+O~
Q8DQ .C
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 [kp7LA"`
AT8B! m
13-4 µA741通用型运算放大器 Vne. HFXA
8,H#t@+MT
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 nI|Lx`*v
QAOk
模拟集成电 @0/@p"j
14-1 集成电压
e $/Zb`k
x%:> Ol
14-2 D/A转换器 tI!R5q
;k
soQv?4
14-3 A/D转换器 h>L6{d1
:hl}Z n~jt
14-4 MOS模拟集成电路 HZr/0I ?
1+i
模拟集成电路的版图设计 ]uj.uWD
15-1 模拟集成电路版图设计特点 U*qK *"k
0R %uVJG
15-2 模拟集成电路中的相容技术 2Z I pzH/8
)H37 a
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 `aWwF}
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f Y\tvo%
2004.7.7
