华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ow/57P  
QJW`}`R
 
第一篇MOS 逻辑集成电路 =1oNZKBP  
>qo~d?+  
MOS晶体管工作原理 S)A'Y]2X  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 6<5Jq\-h  
-@IL"U6  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 pGIe=Um0W  
np WEop>  
1.3 MOS晶体管的电流方程 df=zF.5  
m_!U}!  
1.4 MOS瞬态特性 l#@&~f[  
}~o ikN:  
MOS器件按比例缩小 K`nJVc  
2.1 按比例缩小理论 qd!#t]  
rwpgBl
 
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ^GYq#q9Q  
cCxi{a1uo  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 vN{-?  
agd)ag4"[u  
2.4 VLSI发展的实际限制 qSQ @p\O~  
hteOh#0{   
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 y67uH4&Vm  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Zj-BuE&@f  
B50 [O!  
3.2 CMOS IC 工艺流程 XKq@]=\F  
#@Ujx_F  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 p\U*;'hv  
D{AFL.r{  
CMOS反相器和CMOS传输门 {r
Pk3  
4.1 CMOS反相器的直流特性 =ef1XQ{i*  
m{&w{3pQk  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 p(7QAd4  
Z5>V{o  
4.3 CMOS 反相器的功能 S?,_<GD)w  
797X71>   
4.4 CMOS反相器设计 S\|^ULrH  
;i9>}]6  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较  5T /J%  
d_iY&-gq/  
4.6 CMOS传输门 Qcgu`]7}  
/Ri,>}n  
CMOS静态逻辑电路设计 ih!~G5Xi9i  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 (b|#n|~?YL  
!~d'{sy6  
5.2 CMOS与非门的分析 MOyT< $  
DVzssPg  
5.3 CMOS或非门的分析 966<I56+  
WFj*nS^~l  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 .M+v?Ad  
 0dh#/  
5.5 组合逻辑电路的设计 fM{1Os  
(+x]#
#Q  
5.6 类NMOS电路 "<*nZ~nE)  
wDZ
  
5.7 传输们逻辑电路 L1F###c  
NGj"ByVjx  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 d|3o
/@k  
T\cR2ZT~  
动态和时序逻辑电路设计 O8 $~*NFJf  
6.1 动态逻辑电路的特点 bHJoEYY^  
dQ`:8SK  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 3!bK d2"  
W'V@  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 f^u^-l  

Db,= 2e  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) v}&#f&q!  
&!6DC5  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 <g*.p@o  
Ny B&uf  
6.6 CMOS触发器 .P8-~?&M  
2@4x"F]U;  
6.7 时序逻辑电路 +!Q!m 3/I  
2k+=kt  
输入、输出缓冲器 v8>!Gft  
7.1 输入缓冲器 2q/nAQ+  
Et)920  
7.2 输入保护电路 "NJ,0A  
pK<%<dIc  
7.3 输出缓冲器 ;FcExg|k  
db<q-u  
7.4 脱片输出驱动级的设计 O1|B3M[P  
jT{f<P0  
7.5 三态输出和双向缓冲器 Q6eN+i2 ;  
>6XDX=JVI  
MOS存储器 U) +?$ Tbm  
8.1 DRAM ]c5DOv&  
mMV2h|W   
8.2 SRAM k
{?!O\yY  
vlAO z  
8.3 ROM和PLD fE
'-.nA+  
=d}gv6v2S  
MOS IC的版图设计 *1\z^4=a]  
9.1 VLSI的设计方法 <V7SSm  
#-}kG"  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 x(rd$oZO  
1d/ NZJ9  
9.3 版图设计 hU 9\y  
lr-12-D%-  
SOICMOS简介 C usV
W  
10.1 SOI CMOS工艺 UCe,2v%  
rny@n^F  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 @YEw^J~  
.Ln;m8  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 w9G_>+?E  
|P^]
@om  
BiCMOS电路 E}
]I%fi  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 BO?mQu~  
NE$VeW+@  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构  QpdujtH`  
{z.[tvE8h  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 `%FIgE^  
u^}7Vs .  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 .tZjdNE(h  
70'}f  
11.5   BiCMOS电路实例 ^t\kLU  
(! xg$Kz@  
MOS 逻辑集成电路（续） Py|H? ,6=  
nMOS逻辑集成电路 >v^2^$^u  
6-1 电阻负载MOS倒相器 %MfGVx}nG  
s,1pZT <E  
6-2 E/E MOS 倒相器 ]NaMZ  
g0^~J2sDd  
6-3 自举负载MOS 倒相器 /W"Bf  
UI|v/(_^F  
6-4 E/D MOS 倒相器 DePV,.  
w o-O_uZB  
6-5 静态MOS电路 el <<D  
%k/ k]:s  
CMOS集成电路 t] n(5!L(  
7-1 CMOS 倒相器 (P E# Y(  
K$MJ#Zx^  
7-2 CMOS传输门 +zFV~]b  
3e!3.$4M  
7-3 静态CMOS 电路 5]4<!m  
6. +[ z  
7-4 CMOS 门电路的设计 eh({K;>  
;4-pupK~%  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 W (=Wg|cr  
$I}Hk^X  
动态和准静态MOS电路 % +kT  
8-1 栅电容的电荷存储效应 !wLH&X$XT  
|d/x~t=  
8-2 动态MOS倒相器 O?C-nw6kP  
a@5xz
)  
8-3 动态MOS电路 c XLV"d  
lRF_ k  
8-4 准静态MOS触发器 e'/  
b
2/N H1A  
8-5 动态和准静态CMOS电路 9Sx<tj_4P{  
AhbT/  
MOS集成电路的版图设计 c:?#zX  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 1^x2WlUm4  
w+).pcG(*  
9-2 MOS集成电路版图设计 jM3Y|}+  
-CU7u=*b  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 I 9:G9  
9z|>roNe  
MOS大规模集成电路 &{%S0\K Y  
10-1 LSI电路中的CAD技术 -~<q,p"e  
RKoP6LGw  
10-2 HMOS技术 [/+dHW|  
uJIRk$  
10-3 MOS存储器 |L.~Amd  
D)O6|DiO  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 _M"$5 T  
k[r./xEv+t  
10-5 半定制逻辑电路 +QXYU8bYZ  
K)h"G#NZM  
模拟集成电路 m mJ)m  
模拟集成电路中的特殊元件 k@t,[  
11-1 横向pnp管 !0. 5  
5QL9w3L  
11-2 纵向pnp管 i"sYf9,  
S,`S q8H  
11-3 超增益晶体管 d,oOn.n&  
Ltic_cjYd?  
11-4 隐埋齐纳二极管 cP#]n)<  
;G SFQ:m[  
11-5 集成电路中的电容器 :`>+f.)  
, R.+-X  
11-6 薄膜电阻器 uu@'02G8  
B1d%#  
模拟集成电路中的基本单元电路 l6`d48U
 
12-1 差分放大器 Cj4b]*Q,  
e}Af"LI  
12-2 恒流源电路和有源负载 0m+5Zn  
tls6rto  
12-3 基准源电路  P{i8  
R 6yvpH  
12-4 模拟开关 [-Dgo1}Qr  
3R=3\;  
集成运算放大器 cdtzf:#q  
13-1 运算放大器的基本概念 ZnhuIAAG  
7Yw\%}UL
 
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 v/TlXxfil  
}rMpp[  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ,md7.z]U~  
sO4}kxZ  
13-4 µA741通用型运算放大器 8apKp?~yW  
p4t!T=o/  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 mKFHT  
.Mco
W7|Y  
模拟集成电 /glnJ3  
14-1 集成电压 &CeF^  
iJKm27 ">  
14-2 D/A转换器 #2vG_B<M)  
+uiH0iGS  
14-3 A/D转换器 teS0F  
>RqT7n8h  
14-4 MOS模拟集成电路 rNzhP*F
w  
KjfKo;T  
模拟集成电路的版图设计 #z^1)7  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 _BLSI8!N@  
Ty4%du6?d  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 j!_^5d#d  
<QW1fE  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 a~eLkWnh<k  
t5 v)6|  
2004.7.7

真不如有真题呀，