华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 `rM-b'D  
%iX+"  
第一篇MOS 逻辑集成电路 5ax/jd~}  
T0G u(c`1d  
MOS晶体管工作原理 j0OxR.S  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ;=E3f^'s  
M9iu#6P  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 >=B8PK+<  
<4VUzgX2  
1.3 MOS晶体管的电流方程 19lx;^b  
}5%!:=  
1.4 MOS瞬态特性 {Ji[d.cY  
iveWau292  
MOS器件按比例缩小 T}zOM%]]  
2.1 按比例缩小理论 'g$|:bw/  
e0aeiG$/0  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 T}g;kppC  
BG=h1ybz  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 bhFzu[B  
Iunt!L  
2.4 VLSI发展的实际限制 fv}h;?C  
p6>3 p  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 !d^5mati)T  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 r`mfLA]d  
#N7@p}P  
3.2 CMOS IC 工艺流程 U@i+XZc"S  
I>fEwMk ~  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 |r6<DEg
 
5a_1x|Fhi  
CMOS反相器和CMOS传输门 mKn:EqA  
4.1 CMOS反相器的直流特性 @VVBl I  
#_|6yo}  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 cgml^k\k^  
>u~ l_?  
4.3 CMOS 反相器的功能 s [@II]  
B`9'COw  
4.4 CMOS反相器设计 qVE6ROSh  
T =_Hd  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ?%#3p[  
wxN'Lv=R  
4.6 CMOS传输门 c?>@ P  
x^xlH!Sc  
CMOS静态逻辑电路设计 @tR:}J*9s  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点
)jm}h7,  
"NMX>a,(  
5.2 CMOS与非门的分析 Fzt{^%\`  
 *FmY4w  
5.3 CMOS或非门的分析 qwoF4_VN  
9jBP|I{xI  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 D!^&*Ia?2  
ViKN| W>T  
5.5 组合逻辑电路的设计 E g$ I  
"**Tw'  
5.6 类NMOS电路  At3>  
U9[QdC  
5.7 传输们逻辑电路 vz[oy|{F  
Bi:%}8STH  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ae_Y?g+3  
NGIt~"e7R4  
动态和时序逻辑电路设计 |KY6IGcqV  
6.1 动态逻辑电路的特点 _c$l@8KS^  
|zd+ \o  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 UNY O P{  
5e1;m6  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 C%&A9(jG  
z{$2bV  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) UZvF5Hoe+O  
/;E{(%U)t  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 ~/C9VR&  
_?~EWT   
6.6 CMOS触发器 ` ES-LLhVf  
c6-~PKJ L  
6.7 时序逻辑电路 Y.yi
Uf/Q  
 KEPNe(H  
输入、输出缓冲器 W?TvdeBx  
7.1 输入缓冲器 uSQlE=  
|
!m8JV|x  
7.2 输入保护电路 yjE$o?A  
\gCh'3  
7.3 输出缓冲器 -sqd?L.p  
2^w8J w9  
7.4 脱片输出驱动级的设计 u!CcTE*  
(
4f]<Qt  
7.5 三态输出和双向缓冲器 k^@dDLr"  
3-Bz5sj9  
MOS存储器 >q&X#E<w  
8.1 DRAM 0<FT=tKm  
nPW=m`jG
 
8.2 SRAM _s18^7  
J.(mg D  
8.3 ROM和PLD <sTY<iVR  
Pi IP%$72O  
MOS IC的版图设计 s|vx2-Cu]  
9.1 VLSI的设计方法 sa?s[  
0e +Qn&$#4  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 U<|*
V5   
~K@p`CRbV  
9.3 版图设计 =d BK,/  
9fy[%M  
SOICMOS简介 9\Md.>  
10.1 SOI CMOS工艺 K BlJJH`z{  
h$]nfHi_Q  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 eRm*+l|?  
0nPg`@e.  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 6!@p$ pm)a  
Tmk'rOg5  
BiCMOS电路 q*<FfO=eQ  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 |JiN; O+K  
siOyp]  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 +3J5j+  
qN'%q+n  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 z s\N)LyM  
79uAsI2-Y  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 z(#CO<C.t  
[5PQrf~M
o  
11.5   BiCMOS电路实例 PKZMuEEy,  
8CUl |I ~  
MOS 逻辑集成电路（续） je74As[  
nMOS逻辑集成电路 UW Px|]RC  
6-1 电阻负载MOS倒相器 /&em%/  
LYuMR,7E  
6-2 E/E MOS 倒相器 Cy5M0{  
C_ W%]8u  
6-3 自举负载MOS 倒相器 n{!=gR.v.  
^V"
08  
6-4 E/D MOS 倒相器 z>HM$n`YD  
v807)JwS  
6-5 静态MOS电路 ;It 1i` !R  
p[%B#(]9,  
CMOS集成电路 #;\tgUQ  
7-1 CMOS 倒相器 Np?/r}  
^= '+#|:  
7-2 CMOS传输门 ~,{nBp9*  
Aj+0R?9tG  
7-3 静态CMOS 电路 W3xObt3w\  
5r^u7k  
7-4 CMOS 门电路的设计 :&m0eZZ%  
`o%Ua0x2  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 ~./M5P!\  
b|U3\Fmc  
动态和准静态MOS电路 5xc-MkIRL  
8-1 栅电容的电荷存储效应 b@[\+P] "  
H?j}!JzAC  
8-2 动态MOS倒相器 ^%x7:  
Cce{aY  
8-3 动态MOS电路 Gl5W4gW; &  
_UUp+
Hz  
8-4 准静态MOS触发器 w]Ci%W(  
MU~nvs;:  
8-5 动态和准静态CMOS电路 zqb3<WP"  
^4tz*i  
MOS集成电路的版图设计 !Baq4V?KN  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 zbP#y~[  
lISu[{b?  
9-2 MOS集成电路版图设计 m>-(c=3  
O\zGN/!  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 !e:HE/&>i  
-W XZOdUjs  
MOS大规模集成电路 T\o!^|8
 
10-1 LSI电路中的CAD技术 W\<p`xHk  
fm'Qifq^  
10-2 HMOS技术 !_=3Dz  
Q2ky|  
10-3 MOS存储器 | .[4$C  
S t0AV.N1  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 e025m}%SU  
:1\QM'O  
10-5 半定制逻辑电路 gDjs:]/YR  
0YVkq?1x9  
模拟集成电路 3re|=_ Hy  
模拟集成电路中的特殊元件 kQMALS@R  
11-1 横向pnp管 l/w<R  
V
C@{cVT  
11-2 纵向pnp管 R2$;f?;:  
9K5[a^q|My  
11-3 超增益晶体管 =~
~Y@eX  
1V37% D  
11-4 隐埋齐纳二极管 53cW`F  
G(XI TL u*  
11-5 集成电路中的电容器 Ii9@ j1-g  
ZNvnVW<  
11-6 薄膜电阻器 `+/xA\X]  
}$Zc C_  
模拟集成电路中的基本单元电路 .<C}/Cl  
12-1 差分放大器 h[0,/`qb{  
S@a#,,\[  
12-2 恒流源电路和有源负载 Zom7y I  
JS<4%@  
12-3 基准源电路 3./4] _p  
OyG$ ]C  
12-4 模拟开关 [fU2$(mT+  
:+SpZ>  
集成运算放大器 %:eepG|  
13-1 运算放大器的基本概念 e'c~;Z\A
 
U>z8gdzu  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 Et=N`k_gO  
.`OdnLGy  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 q=5#t~?  
Gv!* Qk4  
13-4 µA741通用型运算放大器 b0CtQe  
#qk A*WP  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径  @ t  
qF{u+Ms  
模拟集成电 !Q`GA<ikv  
14-1 集成电压 #L{QnV.3  
aZYa<28?L%  
14-2 D/A转换器 ;wfzlUBC  
L[d7@  
14-3 A/D转换器 Z~tOR{q  

[e )j,Q1  
14-4 MOS模拟集成电路 ;/W;M> ^  
A-O@e e  
模拟集成电路的版图设计 +k'5W1e  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 xn&G `  
*]fBd<(8  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 =Uta5$\a)  
s% "MaDz  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 edqekj h  
[Z484dS`_  
2004.7.7

真不如有真题呀，