华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 :1(UC}v  
7J$ 5dFV2  
第一篇MOS 逻辑集成电路 S&w(H'4N  
K-f\nr  
MOS晶体管工作原理 j"Vb8}  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ~hxo_&  
2`]_c=  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 W;9Jah.  
kn1+lF@  
1.3 MOS晶体管的电流方程 8G0DuMI5  
va_TC!{;  
1.4 MOS瞬态特性 O&c~7tM%  
QW_QizR>|  
MOS器件按比例缩小 xFcRp2W9R  
2.1 按比例缩小理论 NA`E
G,2  
c6
NCy s  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 9&t!U+  
_U@;Z*(%vh  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 0Q_@2  
LpJ_HU7@lk  
2.4 VLSI发展的实际限制 !Ci\Zg  
6$JRV  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 BkTGH.4G%  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 4gNF;  
uPtHC
P6  
3.2 CMOS IC 工艺流程 B?xu
!B,  
1jhGshhp  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 zFtwAa=r  
y&.[Nt '+  
CMOS反相器和CMOS传输门 Bi+a)_K  
4.1 CMOS反相器的直流特性 =lf&mD _/  
mmV
x',k  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 
Yz?1]<X  
s)e; c<(/  
4.3 CMOS 反相器的功能 f]BG`rJX  
@lau?@$ja  
4.4 CMOS反相器设计 xwH+Q7O&l  
G
e|& H]W  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 \kpk-[W*x{  
2wWL]`(E  
4.6 CMOS传输门 COw]1R  
`ecuquX'  
CMOS静态逻辑电路设计 C/Ig.KmXF{  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 j${:Y$V
mE  
#lax0IYY=  
5.2 CMOS与非门的分析 eo4<RDe<  
`F>1xMm  
5.3 CMOS或非门的分析 &Z+a (  
V 'Gi2gNaP  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 N,w;s-*  
%8kbX  
5.5 组合逻辑电路的设计 ,>%AEN6N2  
<?P UF,  
5.6 类NMOS电路 /h0<0b?i  
3MC| O5R4  
5.7 传输们逻辑电路 0>-l {4srs  
YtNoYOB  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 VG'oy  
I0O)MR<  
动态和时序逻辑电路设计 )\uy 0+b  
6.1 动态逻辑电路的特点 P_t8=d  
cW),Y|8  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 4i[3|hv'  
pi5Al)0  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 g?(Z+w4A 3  
doXd6q4H  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) x#|P-^  
ap\2={u^|  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 x}1(okc  
ZzI^*Nyg  
6.6 CMOS触发器 P-No;/!B#  
bqf=;Nvog  
6.7 时序逻辑电路 '[5tc fG#z  
v(<~:]  
输入、输出缓冲器 8&ZUkDGkJ  
7.1 输入缓冲器 ms ;RJT2O'  
hS +;HB,  
7.2 输入保护电路 #>~$`Sg  
_J   
7.3 输出缓冲器 *kL1r w6  
oL X6w  
7.4 脱片输出驱动级的设计 QsDab4  
H:9( XW  
7.5 三态输出和双向缓冲器 IwFg1\>  
\s<iM2]Kl  
MOS存储器 N~M:+\  
8.1 DRAM ;=)CjC8)  
pPh_p@3I  
8.2 SRAM [Bpgb57En  
s/sH",  
8.3 ROM和PLD wqE ]o= k  
C)#:zv m  
MOS IC的版图设计 qg.[M*  
9.1 VLSI的设计方法 P$]Vb'Fz  
,fET.s^|U  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 ~Zaxn~u:  
 T X6Ydd  
9.3 版图设计 fhfdNmtR)I  
X dB#+"[  
SOICMOS简介 m>NRIEA6  
10.1 SOI CMOS工艺 %$]u6GKabi  
c}v:X Slh7  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Z"!C  
G =< KAJ  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 yuI5# VUS  
YuPgsJ [m  
BiCMOS电路 8<.KWr  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 $yCj80m\  
-BoN}xE4  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 dc?Yk3(Y  
?;{A@icr  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 a-QHm;_S  
l0Pg`wH,  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 (V=lK6WQm  
,#WXAAmm  
11.5   BiCMOS电路实例 %eT/
:I  
Vn8Qsf1f  
MOS 逻辑集成电路（续） 1km=9[;w'  
nMOS逻辑集成电路 -OkKLub  
6-1 电阻负载MOS倒相器 P_ZguNH  
/VJ@`]jhDf  
6-2 E/E MOS 倒相器 BAKfs/N  
eq4<   
6-3 自举负载MOS 倒相器 {H>iL  
>eRbasshEI  
6-4 E/D MOS 倒相器 )m)>k` 0  
3(PU=  
6-5 静态MOS电路 ^ul`b  
|Xu7cCh$me  
CMOS集成电路 =_,OucKkYG  
7-1 CMOS 倒相器 <N`rcKE%~P  
z$YOV"N  
7-2 CMOS传输门 c2F`S1Nu<  
$@#nn5^IX  
7-3 静态CMOS 电路 qBwqxxTc  
5?I]\Tb  
7-4 CMOS 门电路的设计 QR8F'7S  
h|-r t15  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 5VPuHY2  
GdP9Uj)n-  
动态和准静态MOS电路 |6;.C1\,  
8-1 栅电容的电荷存储效应 c9ZoO;  
v~xG*e  
8-2 动态MOS倒相器 f~U|flL^  
+5HOT{wj  
8-3 动态MOS电路 My1E@<  
>l7 o/*4  
8-4 准静态MOS触发器 T-x`ut7c  
P$oa6`% l  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ?IWLl  
"vJADQ4F  
MOS集成电路的版图设计 ilHj%h*z  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Gs9jX/#  
!eO?75/  
9-2 MOS集成电路版图设计 '1{~y3  
t+#
Ss v8  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 )a6i8b3  
'-~86Q  
MOS大规模集成电路 1|]- F;b  
10-1 LSI电路中的CAD技术 QJTC@o  
ht-6_]+ME  
10-2 HMOS技术 ]#qdA(Kl  
un\ ^Wmbw  
10-3 MOS存储器 {P3,jY^  
yQW\0&a$  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 p 2i5/Ly  
T]my
hNk  
10-5 半定制逻辑电路 i a|F
  
m$ JQ[vgh  
模拟集成电路 Vz,WPm$I  
模拟集成电路中的特殊元件 6SmSu\lgV  
11-1 横向pnp管 C$hsR&  
qzLRA.#f^  
11-2 纵向pnp管 1TVTP2&Rd  
[DE8s[i-  
11-3 超增益晶体管 q@\D5F% >  
a[u8x mH  
11-4 隐埋齐纳二极管 (PNvv/A  
yJrPb"  
11-5 集成电路中的电容器 n-\B z.  
Gq{v)iN  
11-6 薄膜电阻器 *= D$  
dV5$L e#y  
模拟集成电路中的基本单元电路 Soa.thP
 
12-1 差分放大器 KW09qar  
mkWIJH  
12-2 恒流源电路和有源负载 U/ZbE ?it>  
[W2p}4(  
12-3 基准源电路 0>'1|8+`(z  
*=I#VN*_<.  
12-4 模拟开关 V^0*S=N
 
6^zv:C%  
集成运算放大器 D( _aXy  
13-1 运算放大器的基本概念 X23TS`  
p5bH-km6  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 )sL:iGU  
\nJrjH A  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 fLys$*^)^  
c_".+Fa  
13-4 µA741通用型运算放大器 +(<CE#bb[  
U{;i864:}  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 Y,0O&'>  
~MXPiZG?  
模拟集成电 3v{GP>  
14-1 集成电压 fg,~[%1  
MTF:mL
J  
14-2 D/A转换器 J>+Dv?Ni$  
a-YK*  
14-3 A/D转换器 yx-{}Yj^  
^+P]
_< 43  
14-4 MOS模拟集成电路 N ZD X93  
J%}}(G~  
模拟集成电路的版图设计 W9u(  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 }R J2\CP  
OixQlAb{  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 N),Zb^~nw  
7?kvrIuY&  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 MBa/-fD  
LN7;Yr  
2004.7.7

真不如有真题呀，