华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 |fhYf t  
h}SP`  
第一篇MOS 逻辑集成电路 >3&Oe  
2=V~n)'a  
MOS晶体管工作原理 6Ud6F t6  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 yZcnky  
 A4  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 OuuN~yC  
Iq["(!7E5  
1.3 MOS晶体管的电流方程 5g\>x;cc  
N&jHU+{OU  
1.4 MOS瞬态特性 Cyu= c1D;  
` 5lW  
MOS器件按比例缩小 Y~"5HP|  
2.1 按比例缩小理论 >^N{  
3<R8_p  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 v-ZTl4j$  
poU1Q#+4p*  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 x*7Q   
A-*y[/  
2.4 VLSI发展的实际限制 #_?m.~`g[  
\h48]ZjC`  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 +L U.QI'  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 KJ#S E|  
@t{`KB+ ^  
3.2 CMOS IC 工艺流程 tB{HH%cV  
)&vuT q'7'  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 M7gb3gw6  
{baG2Fe1`b  
CMOS反相器和CMOS传输门 j{&$_  
4.1 CMOS反相器的直流特性 me  ,lE-  
)j\9IdkU;y  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 u8r<B4k  
E]dc4US  
4.3 CMOS 反相器的功能 iBh.&K{j  
<i~=-Z(  
4.4 CMOS反相器设计 ~i UG24v  
vww>]Z}  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 zGaqYbQD  
MREB  
4.6 CMOS传输门 u9u'!hAGH  
p1!-|Sqq  
CMOS静态逻辑电路设计 g#l
MT%  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 @~&1 !  
"@YtxYTW-  
5.2 CMOS与非门的分析 !QlCt>{  
'OI(MuSn  
5.3 CMOS或非门的分析 Vy7 )_D  
]ONBr(M\  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 6%Pvh- ~_  
~A_1he~  
5.5 组合逻辑电路的设计 s1bb2R  
sL)7MtNwy  
5.6 类NMOS电路 KG
rYF  
N{H#j6QW  
5.7 传输们逻辑电路 2$Um
qt  
%?Q<  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 K"cV7U rE  
cq~~a(IS  
动态和时序逻辑电路设计 C6A!JegU  
6.1 动态逻辑电路的特点 MIY`"h0*  
',!>9Dj  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 _wUg+Xs]  
=klfCFwP  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 nh? JiH {  
Q%W>m0%  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) w\a6ga!xt"  
ujf7r`;u.  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 w
W7#M  
jB,VlL  
6.6 CMOS触发器 1[!7xA0j  
;Kh?iqn^  
6.7 时序逻辑电路 xy4P_  
Y8c,+D,Ww  
输入、输出缓冲器 cNMD I  
7.1 输入缓冲器 @U:PXCv h  
vlFq-W !  
7.2 输入保护电路 xT-`dS0u  
uSv]1m_-]  
7.3 输出缓冲器 S R s  
N~ P1^x~  
7.4 脱片输出驱动级的设计 VAA ="
y
N  
^%0^DN  
7.5 三态输出和双向缓冲器 4I#@xm8)  
@|{8/sOq  
MOS存储器 i(kx'ua?  
8.1 DRAM Vi>P =i  
Awr(}){  
8.2 SRAM g
_rk_4]  
bXA%|7*  
8.3 ROM和PLD  FL b  
G @EEh .s9  
MOS IC的版图设计 d[Zx [=h  
9.1 VLSI的设计方法 6}~k4;'}A  
^^< C9  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 B>c2 *+Bk  
N`4XlD  
9.3 版图设计 ,L4zhhl!_  
wPq9`9 #  
SOICMOS简介 Jp|e KZ  
10.1 SOI CMOS工艺 8l'W[6  
U.h2 (-p  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 8|Ob7+  
nM *}VI  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 %V#MUi1  
CHq5KB98+  
BiCMOS电路 YT,yRV9#  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 A~X\ dcn  
Af r*'  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 ia-ht>F*;  
$zF%F.rln  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 !b&+2y2i[W  
5z2("[8L&  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 j\zlp  
Lf%=vd  
11.5   BiCMOS电路实例 %I{>H%CjE  
y4$$*oai&  
MOS 逻辑集成电路（续） ,In%r`{i  
nMOS逻辑集成电路 k_uI&,  
6-1 电阻负载MOS倒相器 \m+=|  
=qpGAv_#  
6-2 E/E MOS 倒相器 fE
_%,DJE(  
g^x=y   
6-3 自举负载MOS 倒相器 qkz|r?R)  
bfm+!9=9S  
6-4 E/D MOS 倒相器 !Q5,Zhgr  
<&2<>*/.y  
6-5 静态MOS电路 {`e-%<  
U OGj
il{.  
CMOS集成电路 }0Uh<v@  
7-1 CMOS 倒相器 pzoh9}b
ue  
,zr,>^v  
7-2 CMOS传输门 K=E+QvSG  
xx|D#Z}G  
7-3 静态CMOS 电路 t& F:C  
*uf)t,%  
7-4 CMOS 门电路的设计 :zq Un&k&  
z^jmf_  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 Bha("kG  
HFTeG4R  
动态和准静态MOS电路 ARt{ 2|  
8-1 栅电容的电荷存储效应 B|yz~wuS  
]z8/S!?  
8-2 动态MOS倒相器 J~4mp\4b  
'DNxc  
8-3 动态MOS电路 <DPRQhNW]  
F$jy~W_  
8-4 准静态MOS触发器 - 0q263z  
at {p4Sl  
8-5 动态和准静态CMOS电路 q }>3NCh  
m@+QC$6S  
MOS集成电路的版图设计 q_` j-!  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 RticGQy&5  
kksff zG  
9-2 MOS集成电路版图设计 S)wP];]`K  
W)J5
[p?  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ='w 2"4  
LAnC8O  
MOS大规模集成电路 4)k-gKS*  
10-1 LSI电路中的CAD技术 +9|0\Q  
zv0sz])  
10-2 HMOS技术 [7HBn  
D29Lu(f  
10-3 MOS存储器  <82&F  
qm_m8  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 vqQ)Pu?T  
iu*&Jz)D>  
10-5 半定制逻辑电路 _[rQt 8zn  
SiaW; ks  
模拟集成电路 Qk>U=]U  
模拟集成电路中的特殊元件 + jeOZ  
11-1 横向pnp管 .I_<\h7  
|4 \2,M
#  
11-2 纵向pnp管 p%sizn  
ok:L]8UN3  
11-3 超增益晶体管 f.^|2T I1g  
Sew*0S(  
11-4 隐埋齐纳二极管 chUYLX}45  
U*\K<fw   
11-5 集成电路中的电容器 7=u Gf$/  
-ZSN0Xk  
11-6 薄膜电阻器 @#N7M2/  
#|(>UM
\  
模拟集成电路中的基本单元电路 {'h&[f>zcQ  
12-1 差分放大器 Q4LPi;{\  
/@1YlxK F  
12-2 恒流源电路和有源负载 cUG^^3 !  
R-NM ~gp  
12-3 基准源电路 uQx/o^  
||wi4TP  
12-4 模拟开关 Il*!iX|23<  
Op]*wwI*h  
集成运算放大器 V,Nu!$)J  
13-1 运算放大器的基本概念 N*&T)
a  
*'A*!=5(  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 i \/'w]  
p o)lN[v  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 XL aD#J  
fi*b]a\'  
13-4 µA741通用型运算放大器 ~!PWJ~U  
EZI#CLT[  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 B&rNgG7~  
d ([~o  
模拟集成电 u1y>7,Z6W  
14-1 集成电压 |T/OOIA=sI  
@M<qz\ [  
14-2 D/A转换器 ~>9G\/u j  
O9By5j 4  
14-3 A/D转换器 rYdNn0mhk  
JmR2skoV,  
14-4 MOS模拟集成电路 =Jw*T[E  
P,)D0i  
模拟集成电路的版图设计 H3R{+7  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 ibQ xL3  
yeta)@nH  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ^ /G ;  
0<@['W}G  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 ;DnUeE8  
?3
2~%?m  
2004.7.7

真不如有真题呀，