华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 8{&["?
US? Rr
第一篇MOS 逻辑集成电路 ;~zNqdlH
h:qHR]
8dZ
MOS晶体管工作原理 &hZwZgV+3
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理
&LQ%
G`]w?
Di4
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 |ek
ak{js
*07sK1wW
1.3 MOS晶体管的电流方程 ~a+NJ6e1
"
3y} F
1.4 MOS瞬态特性
GXeAe}T
w~-X>~ }
MOS器件按比例缩小 yh!B!v'
2.1 按比例缩小理论 ~I$}#
~gt3Omh
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 IK?]PmN4}
Mo|yv[(K,
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 4K,''7N3
,>S+-L8
2.4 VLSI发展的实际限制 "^"'uO$
!aeNq82
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 kH2oK
:lN
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 hho%~^bn(
G+C}<S}
3.2 CMOS IC 工艺流程 DPeVKyjU
F(0Z ]#+
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 T9y768%
@ RX`> r{_
CMOS反相器和CMOS传输门 LaT8l?q q
4.1 CMOS反相器的直流特性 tQf!|]#J
4tnjXP8
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 {g@A>
bQV("~#
4.3 CMOS 反相器的功能 V^vLN[8_
\
3FY_A(+
4.4 CMOS反相器设计 H9:%6sds
OaNc9c"
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 xfes_v""
6d};|#}
4.6 CMOS传输门
:@;
6
Z !Z,M' "
CMOS静态逻辑电路设计
pMDH
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ~K%k
0kT
Seg#s
.
5.2 CMOS与非门的分析 _r[r8MB
hw|t8 ShW
5.3 CMOS或非门的分析 &p)@8HY
^+URv
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 {sl~2#,}b1
pqOA/^ar
5.5 组合逻辑电路的设计 D| [/>x
I}rGx
5.6 类NMOS电路 +*: }p
A3<^ U
5.7 传输们逻辑电路 yr%yy+(.k
p8$\uo 9YQ
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 y~x#pC*w
0c`sb+?
动态和时序逻辑电路设计 I7A7X*
6.1 动态逻辑电路的特点 avmcGyL
3Hy%SN(
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 4+-5,t7
5Ws5X_?d
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 )\RzE[Cb
gHp'3SnS
6.4 时钟CMOS(C2MOS) q|R+x7x
~
wa
%fM
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 l#tS.+B7
8y-e+
6.6 CMOS触发器 PG\\V$}A(
,\BfmC_i
6.7 时序逻辑电路 f&=K]:WDe
bta0?O
#
输入、输出缓冲器 X@i+&Nv"<
7.1 输入缓冲器 q2[+-B)m
zC<'fT/rG
7.2 输入保护电路 C<zx'lw!
5Xp$yX =
7.3 输出缓冲器 m]bL)]Z
'~ jy
7.4 脱片输出驱动级的设计 Vww@eK%5Q
sZ0g99eX
7.5 三态输出和双向缓冲器 ;:v]NZtc
+J\L4ri k
MOS存储器 e}{8a9J<%_
8.1 DRAM p=:7 atE
"r
5'lQI
8.2 SRAM gubb .EY
'e+-,CGdY\
8.3 ROM和PLD 0S)"Q^6ny
nEjo,
MOS IC的版图设计 $#6Fnhh}
9.1 VLSI的设计方法 6Y0/i,d*
O[i2A(
9.2 门阵列和标准单元设计方法 KUl
Zk^a
{|8:U}<#h
9.3 版图设计 X=S}WKu
}w|=c>'_}
SOICMOS简介 Y/?DSo4G
10.1 SOI CMOS工艺 _*OaiEL+:
b;&Yw-\nZ;
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 rRF+\cP?.
LbtlcpF*~5
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 I(iGs I
&;uGIk>s
BiCMOS电路 !VJT"Ds_
11.1 MOS和双极型器件性能比较 S[\cT:{OE
K4K3<Pg
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 AOvH&9**
g*"J10hyP
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 3V8j>&
{4
V:[*3
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 <9MQ
7@e[:>e
11.5 BiCMOS电路实例 Q
xj|lr
%Pt[3>
MOS 逻辑集成电路(续) Ay[9k=q]
nMOS逻辑集成电路 ;r2b@x:<_
6-1 电阻负载MOS倒相器 SbQ{ >
u+, jAkr
6-2 E/E MOS 倒相器 pqNoL*
H
H~1?MAX
6-3 自举负载MOS 倒相器 sB*h`vs0T
`zvT5=*-#
6-4 E/D MOS 倒相器 _oyL*Cb
`b,g2XA
6-5 静态MOS电路 8mQd*GGu1
$(<*pU
CMOS集成电路 )I0g&e^Tzy
7-1 CMOS 倒相器 ROI$;B(
"MVN/Gl
7-2 CMOS传输门 GQc%OQc\
4QN6BZJ5
7-3 静态CMOS 电路 s t 3]Yy
wE=8jl*
7-4 CMOS 门电路的设计 #xE>]U
%>QSeX
7-5 CMOS电路中的锁定效应 @%okaj#IO
Z{>Y':\?<
动态和准静态MOS电路 -ZMl[;OM
8-1 栅电容的电荷存储效应 Uu<sntyv
z@40g)R2A
8-2 动态MOS倒相器 sRI=TE]s
ckkM)|kK
8-3 动态MOS电路 Wn)A/Z ^r
n ;fTx
8-4 准静态MOS触发器 Ymh2qGcj]8
2LK*Cv[
8-5 动态和准静态CMOS电路 r4qV}-E
B=qRZA!DQ?
MOS集成电路的版图设计 LHGK!zI
9-1 MOS集成电路的工艺设计 +vY`?k`
I2!&=" 7@
9-2 MOS集成电路版图设计 hB1 iSm
j-\^
}K.&
9-3 MOS集成电路版图设计举例 :=fHPT
^.aEKr
MOS大规模集成电路 *
v-xC5L1\
10-1 LSI电路中的CAD技术 4zvU"np
z[I/ AORl
10-2 HMOS技术 5Ddyb%
I.0Usa"z
10-3 MOS存储器 .ceU @^
LGue=Hkp
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 D+nj[8y
04LVa|Y@U
10-5 半定制逻辑电路 IOsDVIXL\
."g5+ xX
模拟集成电路 iV$75Atk
模拟集成电路中的特殊元件 Yl3PZ*#@ Q
11-1 横向pnp管 mLdyt-1
1T^L) %&p_
11-2 纵向pnp管 H s 3*OhK\
6>^k9cJp
11-3 超增益晶体管 H%jIjf
x@l~*6!K
11-4 隐埋齐纳二极管 +m},c-,=$w
HBYpjxh
11-5 集成电路中的电容器 {N`<e>A]{
s: .XF|e{
11-6 薄膜电阻器 {; ~i
q
{Z;GNMO:
模拟集成电路中的基本单元电路 a#j^gu$m
12-1 差分放大器 "C|l3X'
J<O_N~$$*
12-2 恒流源电路和有源负载 SuuS!U+i>
.OUE'5e p
12-3 基准源电路 f@g
cC]1D*Bn
12-4 模拟开关 pZn%g]nRD
,_-*/- 7;8
集成运算放大器 ]jrxrUl
13-1 运算放大器的基本概念 i)DXb
X"GQ^]$O
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ?V)6`St#C
(`xnA~BN
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 K>6p5*&
a06q-3zw
13-4 µA741通用型运算放大器 Jp0.h8i
R:p,Hav<q
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 %
q^]./3p
SsZzYj.d
模拟集成电 ';F][x 5j
14-1 集成电压 2N]s}/l
dG+xr!
14-2 D/A转换器 z`SkKn0f
Y
:Yqa[._AF
14-3 A/D转换器 .IU+4ENSy4
y
L-L2
14-4 MOS模拟集成电路 i/z7a%$
AJu.
模拟集成电路的版图设计 \9^@,kfP
15-1 模拟集成电路版图设计特点 tAUMSr|
?
K%;yFEZ
15-2 模拟集成电路中的相容技术 6npwu5!
%b9M\
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 aT #|mk=\
3OlY Ml
2004.7.7