华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 | k}e&Q_/G
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第一篇MOS 逻辑集成电路 ayeCi8
I=odMw7Hj
MOS晶体管工作原理 zR/IqW.`9
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 gwq`_/d}
Z'ao[CG
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 ,5.
<oDH
](nH{aY!
1.3 MOS晶体管的电流方程 F|*tNJU>
-=sf}4A
1.4 MOS瞬态特性 y@aKNWy}$
0Az/fzJlz
MOS器件按比例缩小 }<&d]N
2.1 按比例缩小理论 Kr]W
o8dWy
D:)~%wu Lt
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 \OA
L Or
O:,=xIXR
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 +N8aq<l
P=Puaz5&{
2.4 VLSI发展的实际限制 (7L/eDMT
Z)5klg$c
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 -$9
~xX
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 iJ4<f->t
*l{4lu
3.2 CMOS IC 工艺流程 #@E(<Pu4`
0mVuD\#=!
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 t2U$m'(A&
m#;.yR
CMOS反相器和CMOS传输门 ,H@TY
w
4.1 CMOS反相器的直流特性 eVrNYa1>H
$bFgsy*N2
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 j3LNnZY
F@
EZ
;[
4.3 CMOS 反相器的功能 r_q~'r35 _
XHZLWh"gS
4.4 CMOS反相器设计 sSV^5
M&OsRrq
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Cc*
|Zw
[?|5oaK
4.6 CMOS传输门 =O,e97
$6Z[|9W^A
CMOS静态逻辑电路设计 LPMb0F}"5
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 7F~xq#Wi#
+yvBSpY
5.2 CMOS与非门的分析 ;=#qHo9k1%
*6'_5~G
5.3 CMOS或非门的分析 H&9wS
G`
^,>}%1\
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 _4O[[~
fq{I$syY
5.5 组合逻辑电路的设计 f&f[La
=g1 D;
5.6 类NMOS电路 ?fm2qrV@fp
%sYk0~
E
5.7 传输们逻辑电路 V.+
DP
H9/XW6W,"w
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ?! !;XW
=xl7vHn7
动态和时序逻辑电路设计 bl6':m+
6.1 动态逻辑电路的特点 S`iM.;|`O
P"U>tsHK:
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 A5`#Ot*3
VNr!|bp5
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 Hd
Do
*vEU}SxRuv
6.4 时钟CMOS(C2MOS) !x+MVJ]
(8+.#1!*
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 \3,$YlG
,%&
LG],6
6.6 CMOS触发器 "0p +SZ~D
iG?w;
6.7 时序逻辑电路 BHIZHp
2y&_Z^kI?
输入、输出缓冲器 rerUM*0
7.1 输入缓冲器 3uB=L7.
~7F EY0 /
7.2 输入保护电路 iPR!JX
_
11^ {WF
7.3 输出缓冲器 `Pz!SJ|
eP-R""uPw
7.4 脱片输出驱动级的设计 A=\'r<:
p0%6@_FT~
7.5 三态输出和双向缓冲器 U~JG1#z6
w>1l@%Uo
MOS存储器 >vNk kxWyQ
8.1 DRAM qkZ5+2
m
+3~Gc<OO
8.2 SRAM x
0TnS#
Huug_E+
8.3 ROM和PLD [
5}cU{M
.$}Z:,aB
MOS IC的版图设计 N`L'
4v)
9.1 VLSI的设计方法 VLwJ6?.f'
ps{&WT3a
9.2 门阵列和标准单元设计方法 eX]9mQ]E
c=jTs+h'
9.3 版图设计 KY(l<pm
Npg5Z%+y
SOICMOS简介 ;{F;e)${M
10.1 SOI CMOS工艺 l yLK$B?/
eL]w' }\
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 =c5 /cpZ^
iA{chQBr
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应
!]jNVg
!A ydhe
BiCMOS电路 bW 79<T'+
11.1 MOS和双极型器件性能比较 /i]=ndAk
a_#eGe>
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ,a?\i
JNb
fB ,!|u
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 H f mMf^c
/n 3&e
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 5<GRi"7A@
>~bj7M6t
11.5 BiCMOS电路实例 Q9'p3"yoE
';L^mxh
MOS 逻辑集成电路(续) fyoB]{$p8
nMOS逻辑集成电路 Cot\i\]jv
6-1 电阻负载MOS倒相器 ZCF-*nm
7|eSvC
6-2 E/E MOS 倒相器 DO,&Foh\
FoXQ]X7"
6-3 自举负载MOS 倒相器 xwp?2,<
qN,FX#DP
6-4 E/D MOS 倒相器 8}E(UsTa
D\&y(=fzf
6-5 静态MOS电路 X|B;>q
Gbm_xEPC
CMOS集成电路 pPoC61F
7-1 CMOS 倒相器 Q>c6ouuJ
g~D6.OZU
7-2 CMOS传输门 xi^e =:;`
g-gBg\y{v
7-3 静态CMOS 电路 9F1stT0G%
?v~3zHK
7-4 CMOS 门电路的设计 7Cp_41._
s3!LR2qiF
7-5 CMOS电路中的锁定效应 \k-juF80
% x;!s=U
动态和准静态MOS电路 8mddI
8-1 栅电容的电荷存储效应 la 7QN QW
&nw~gSe
8-2 动态MOS倒相器 9yAu<a
r@UY$z
8-3 动态MOS电路 -)+DVG.t
,w>?N\w!}
8-4 准静态MOS触发器 F;@&uXYgc
P;/wb
/
8-5 动态和准静态CMOS电路 K8c#/o
<t@*[Aw
MOS集成电路的版图设计 +Z]%@"S?
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Khd ,|pM
Wy )g449
9-2 MOS集成电路版图设计 l);8y5
r0bPaAKw
9-3 MOS集成电路版图设计举例 a[ l5k
U#
B
MOS大规模集成电路 U8z"{
10-1 LSI电路中的CAD技术 ibw;BU
1zW6Pb
10-2 HMOS技术 _3[BS9
rM |RGe
10-3 MOS存储器 axOy~%%
c
4gENV{L
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 v}D!
eO G%6C%a
10-5 半定制逻辑电路 $g;xw?~#
jXZNr
模拟集成电路 KZNyp%q
模拟集成电路中的特殊元件 `I$A;OPK7
11-1 横向pnp管 P s
;:g0
ic#drpl,
11-2 纵向pnp管 :g";p.
~=
rOT8!"
11-3 超增益晶体管 $ 1ZY
Vw
bHnQLJ
11-4 隐埋齐纳二极管 P0=F9`3wb
(C%'I
11-5 集成电路中的电容器
i|mA/
e3b
Ui&$/%Z|
11-6 薄膜电阻器 b.;W|$ .
e hq6.+l
模拟集成电路中的基本单元电路 qfU3Cwy
12-1 差分放大器 4KnDXQ%
E.9F~&DPJ<
12-2 恒流源电路和有源负载 X'm2
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Y<v55m-
12-3 基准源电路 A-FwNo2"%
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!LRmp?
12-4 模拟开关 Up&q#vqIj
U?QO'H5
集成运算放大器 ./d ( @@
13-1 运算放大器的基本概念 G.}yNjL8
O
u^dI
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 D }\`5L<
_,^sI%
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 y^Lw7
Y"@k vd
13-4 µA741通用型运算放大器 ^4"_I
_OY ;SJ(
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 N+\*:$>zt6
W5
p}oN
模拟集成电 #d~"bn q;c
14-1 集成电压 }/VHeHd
2Y+*vN s3
14-2 D/A转换器 $sJn:
8z
HIF]c
14-3 A/D转换器 eZ
cm3=WV|
NQG"}=KA
14-4 MOS模拟集成电路 2B4c:jJ
)nY/ RO
模拟集成电路的版图设计 t]x HM
15-1 模拟集成电路版图设计特点 4M_83WL
n'ro5D
15-2 模拟集成电路中的相容技术 /a
q%l]hQ@
*%O1d.,
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Lg^m?~{
2C-u2;X2
2004.7.7