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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 8{&["?  
US?Rr  
第一篇MOS 逻辑集成电路 ;~zNqdlH  
h:qHR] 8dZ  
MOS晶体管工作原理 &hZwZgV +3  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理   &LQ%  
G`]w? Di4  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 |ek ak{js  
*07sK1wW  
1.3 MOS晶体管的电流方程 ~a+NJ6e1  
" 3y}F  
1.4 MOS瞬态特性 GXeAe}T  
w~-X>~}  
MOS器件按比例缩小 yh!B!v'  
2.1 按比例缩小理论 ~I$}#  
~gt3Omh  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 IK?]PmN4}  
Mo|yv[(K ,  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 4K,''7N3  
,>S+-L8  
2.4 VLSI发展的实际限制 "^"'uO$  
!aeNq82  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 kH2oK :lN  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 hho%~^bn(  
G+C} <S}  
3.2 CMOS IC 工艺流程 DPeVKyjU  
F(0Z ]#+  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 T9y768%  
@ RX`>r{_  
CMOS反相器和CMOS传输门 LaT8l?q q  
4.1 CMOS反相器的直流特性 tQf!|]#J  
4tnjXP8  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 {g@A>  
bQV("~#  
4.3 CMOS 反相器的功能 V^vLN[8_ \  
3FY_A(+  
4.4 CMOS反相器设计 H9:%6sds  
OaNc9c"  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 xfes_v""  
6d};|#}  
4.6 CMOS传输门  :@; 6  
Z !Z,M' "  
CMOS静态逻辑电路设计 pMDH   
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ~K%k 0kT  
Seg#s .  
5.2 CMOS与非门的分析 _r[r8M B  
hw|t8 ShW  
5.3 CMOS或非门的分析 &p )@8HY  
^+URv  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 {sl~2#,}b1  
pqOA/^ar  
5.5 组合逻辑电路的设计 D|[/>x  
 I}rGx  
5.6 类NMOS电路 +*: }p  
A3<^ U  
5.7 传输们逻辑电路 yr%yy+(.k  
p8$\uo9YQ  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 y~x#pC*w  
0c`sb+?  
动态和时序逻辑电路设计 I7A7X*  
6.1 动态逻辑电路的特点 avmcGyL  
3Hy%SN(  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 4+-5,t7  
5Ws5X_?d  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 )\RzE[Cb  
gHp'3SnS  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) q|R+x7x  
~ wa %fM  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 l#tS.+B7  
8y-e+  
6.6 CMOS触发器 PG\\V$}A(  
,\BfmC_i  
6.7 时序逻辑电路 f&=K]:WDe  
bta0? O #  
输入、输出缓冲器 X@i+&Nv"<  
7.1 输入缓冲器 q2[+-B)m  
zC<'fT/rG  
7.2 输入保护电路 C<zx'lw!  
5Xp$ yX =  
7.3 输出缓冲器 m]bL)]Z  
'~ jy  
7.4 脱片输出驱动级的设计 Vww@eK%5Q  
sZ0g99eX  
7.5 三态输出和双向缓冲器 ; :v]NZtc  
+J\L4ri k  
MOS存储器 e}{8a9J<%_  
8.1 DRAM p=:7 atE  
"r 5'lQI  
8.2 SRAM gubb .EY  
'e+-,CGdY\  
8.3 ROM和PLD 0S)"Q^6n y  
nEjo,   
MOS IC的版图设计 $#6 Fnhh}  
9.1 VLSI的设计方法 6Y0/i,d*  
O[i2A (  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 KUl Zk^a  
{|8:U}<#h  
9.3 版图设计 X=S}WKu  
}w|=c >'_}  
SOICMOS简介 Y/?DSo4G  
10.1 SOI CMOS工艺 _*OaiEL+:  
b;&Yw-\nZ;  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 rRF+\cP?.  
LbtlcpF*~5  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 I(iGs I  
&;uGIk>s  
BiCMOS电路 !VJT"Ds_  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 S[\cT:{OE  
K4K3< Pg  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 AOvH&9**  
g*"J10hyP  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 3V8j>&  
{4 V:[*3  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 <9MQ  
7@e[:>e  
11.5   BiCMOS电路实例 Q xj|lr  
%Pt[3>  
MOS 逻辑集成电路(续) Ay[9k=q]  
nMOS逻辑集成电路 ;r2b@x:<_  
6-1 电阻负载MOS倒相器 SbQ{ >  
u+, jAkr  
6-2 E/E MOS 倒相器 pqNoL* H  
H~1? MAX  
6-3 自举负载MOS 倒相器 sB*h`vs0T  
`zvT5=*-#  
6-4 E/D MOS 倒相器 _oyL*Cb  
`b,g2XA  
6-5 静态MOS电路 8mQd*GGu1  
$(<*pU  
CMOS集成电路 )I0g&e^Tzy  
7-1 CMOS 倒相器 ROI$;B(  
"MVN /Gl  
7-2 CMOS传输门 GQc%OQc\  
4QN6BZJ5  
7-3 静态CMOS 电路 s t3]Yy  
wE=8jl*  
7-4 CMOS 门电路的设计 # xE>]U  
%>QSeX  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 @%okaj#IO  
Z{>Y':\?<  
动态和准静态MOS电路 -ZMl[;OM  
8-1 栅电容的电荷存储效应 Uu<sntyv  
z@40 g)R2A  
8-2 动态MOS倒相器 sRI=TE]s  
ckkM)|kK  
8-3 动态MOS电路 Wn)A/Z ^r  
n ;fTx  
8-4 准静态MOS触发器 Ymh2qGcj]8  
2LK*Cv[  
8-5 动态和准静态CMOS电路 r4qV}-E  
B=qRZA!DQ?  
MOS集成电路的版图设计 LHGK!zI  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 +vY`?k`  
I2!&="7@  
9-2 MOS集成电路版图设计 hB1iSm  
j-\^ }K.&  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 :=fHPT  
^.aEKr  
MOS大规模集成电路 * v-xC5L1\  
10-1 LSI电路中的CAD技术 4zvU"np  
z[I/ AORl  
10-2 HMOS技术 5Ddyb%  
I.0Usa"z  
10-3 MOS存储器 .ceU @^  
LGue=Hkp  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 D+nj[8y  
04LVa|Y@U  
10-5 半定制逻辑电路 IOsDVIXL\  
."g5+xX  
模拟集成电路 iV$75Atk  
模拟集成电路中的特殊元件 Yl3PZ*#@ Q  
11-1 横向pnp管 mLdyt-1  
1T^L) %&p_  
11-2 纵向pnp管 H s 3*OhK\  
6>^k9cJp  
11-3 超增益晶体管 H%jIjf  
x@l~*6!K  
11-4 隐埋齐纳二极管 +m},c-,=$w  
HBYpjxh  
11-5 集成电路中的电容器 {N`<e>A]{  
s:.XF|e{  
11-6 薄膜电阻器 {; ~i q  
{Z;GNMO:  
模拟集成电路中的基本单元电路 a#j^gu$m  
12-1 差分放大器 "C|l3X'  
J<O_N~$$*  
12-2 恒流源电路和有源负载 SuuS!U+i>  
.OUE'5e p  
12-3 基准源电路 f@g  
cC]1D*Bn  
12-4 模拟开关 pZn%g]nRD  
,_-*/- 7;8  
集成运算放大器 ]jrxrUl  
13-1 运算放大器的基本概念 i)DXb  
X"GQ^]$O  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ?V)6`St#C  
(`xnA~BN  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 K>6p5*&  
a06q-3zw  
13-4 µA741通用型运算放大器 Jp0.h8i  
R:p,Hav<q  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 % q^]./3p  
SsZzYj.d  
模拟集成电 ';F][x5j  
14-1 集成电压 2N]s}/l  
dG+xr!  
14-2 D/A转换器 z`SkKn0f Y  
:Yqa[._AF  
14-3 A/D转换器 .IU+4ENSy4  
y L-L2   
14-4 MOS模拟集成电路 i/z7a%$   
AJ u.  
模拟集成电路的版图设计 \9^@,kfP  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 tAUMSr| ?  
K%;yFEZ  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 6np wu5!  
%b9M\  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 aT#|mk=\  
3OlY Ml  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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