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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 KyP@ hhj  
w~pe?j_F$  
第一篇MOS 逻辑集成电路 MYz!zI  
U#PgkP[4  
MOS晶体管工作原理 b KDD29  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 QK#qW-49O  
%Q.M& U  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 d|~'#:y@  
x{So  
1.3 MOS晶体管的电流方程 \'('HFr,  
>Lo'H}[pF  
1.4 MOS瞬态特性 CO@ kLI  
(6[/7e)  
MOS器件按比例缩小 =eDC{/K  
2.1 按比例缩小理论 IeA/<'U s  
};Df ><  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 \S?-[v*{  
w_~ tY*IwB  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 H ]](xYy.  
<1x u&Z7  
2.4 VLSI发展的实际限制 .>_%12>  
L/GV Qjb  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 T0b/txS  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 sE{5&aCSR  
5*90t{#  
3.2 CMOS IC 工艺流程 .+u r+" i  
Zk|PQfi+  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 v9f%IE4fX  
DM\pi9<m  
CMOS反相器和CMOS传输门 YETGq-  
4.1 CMOS反相器的直流特性 dEX67rUj;  
c0X1})q$  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 )lUocm  
K>\v<!%a  
4.3 CMOS 反相器的功能 FS!vnl8`  
l6MBnvi   
4.4 CMOS反相器设计 #a]\3X  
ir|L@Jj,  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 =*6H!bzX  
8`I,KkWg   
4.6 CMOS传输门 &,,:pL[  
U:PtRSdn!b  
CMOS静态逻辑电路设计 -&%! 4(Je  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 9%MgAik(  
nVP|{M  
5.2 CMOS与非门的分析 Fd%JF#Hk  
a'>n'Y~E  
5.3 CMOS或非门的分析 8ddBQfCY  
"412w^5[T  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 yio8BcXH54  
85A7YraL  
5.5 组合逻辑电路的设计 o Gt2n:  
tq*6]q8c>  
5.6 类NMOS电路 [l~G7u.d  
X&M04  
5.7 传输们逻辑电路 p@@* F+  
g/w <T+v  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 IfP?+yPa  
%w/vKB"nO  
动态和时序逻辑电路设计 sM9utR  
6.1 动态逻辑电路的特点 ' Yy+^iCus  
fUq #mkq}  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 fM(~>(q&  
A5s;<d0  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 >YcaFnY  
OgzKX>N`A  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) "z*?#&?,  
!&{"tL@.  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 /.t1Ow  
$OzVo&P;  
6.6 CMOS触发器 +u`4 @~D#  
=9:gW5F69  
6.7 时序逻辑电路 {WTy/$ Qk  
/1xBZf rN  
输入、输出缓冲器 fY|[YPGO^  
7.1 输入缓冲器 \9R=fA18  
CsjrQ-#9yn  
7.2 输入保护电路 +$#h6V  
nPjK=o`KR  
7.3 输出缓冲器 |z0% q2(  
8zho\'  
7.4 脱片输出驱动级的设计 MieO1l  
@yF >=5z:  
7.5 三态输出和双向缓冲器 )OK"H^}f  
_SMi`ie#  
MOS存储器 fk\]wFj  
8.1 DRAM  *qFl&*h}  
yqP=6   
8.2 SRAM vTC{  
('o} E oXS  
8.3 ROM和PLD &%u m#XE  
  Xi w  
MOS IC的版图设计 `$ vf9'\+  
9.1 VLSI的设计方法 A f}o/g  
qI<c47d;q  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 R^"mGe\LL  
;Nd'GA+1;(  
9.3 版图设计 2#s8Dxt  
>'jk L5l  
SOICMOS简介 LZQG.  
10.1 SOI CMOS工艺 N:%Nq8I}:  
 HYv-5:B  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 CZ =]0zB  
^oNcZK>  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 *w/N>:V0p  
!/X>k{  
BiCMOS电路 ubc k{\.  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ({D>(xN   
b;NVvc(  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 MPF({Pnx7  
nGur2}>n  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 j,z)x[3}  
6o*'Q8h  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 D[4%CQ1m  
_Ih"*~ r/&  
11.5   BiCMOS电路实例  '{cFr  
`G=+qti  
MOS 逻辑集成电路(续) L=P8;Gj)  
nMOS逻辑集成电路 fJe5 i6`(  
6-1 电阻负载MOS倒相器 C'jCIL  
2EO9IxIf  
6-2 E/E MOS 倒相器 E,ooD3$h  
/;xrd\du  
6-3 自举负载MOS 倒相器 >t.PU.OM  
=` Ky N/  
6-4 E/D MOS 倒相器 3_T'0x\FP  
8cRc5X  
6-5 静态MOS电路 $U(D*0+o/  
m}2hIhD9  
CMOS集成电路 >y!O_@>z  
7-1 CMOS 倒相器 ' -aLBAxy  
XjYMp3  
7-2 CMOS传输门 ^PMA"!n8  
C;9P6^Oz  
7-3 静态CMOS 电路 K)h<#F  
% {me<\(  
7-4 CMOS 门电路的设计 M3dUGM  
$0]5b{i]  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 e`5:46k|  
}Fu2%L>  
动态和准静态MOS电路 472 'P  
8-1 栅电容的电荷存储效应 .&K?@T4l  
5Iv"  
8-2 动态MOS倒相器 6O@Lx ]t  
U1kW1L}B  
8-3 动态MOS电路 !'>#!S~h3  
TJ,?C$3  
8-4 准静态MOS触发器 h@s i)5"  
9s*UJIL  
8-5 动态和准静态CMOS电路 y cWY.HD  
vTp ,j-^  
MOS集成电路的版图设计 t V7{j'If  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 3V]psZS  
{|e7^_ke  
9-2 MOS集成电路版图设计 #;"lBqxY`  
gOaK7A  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 FwQGxGZ  
AUl[h&s  
MOS大规模集成电路 8JO(P0aT  
10-1 LSI电路中的CAD技术 9|9/8a6A  
(. ,{x)H  
10-2 HMOS技术 <H1e+l{8$  
>lugHF$G  
10-3 MOS存储器 S @)P#  
mQtOx  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 B{1yMJA  
cP0(Q+i7  
10-5 半定制逻辑电路 1_LGlu~&  
_%aT3C}k  
模拟集成电路 /IC]}0kkp  
模拟集成电路中的特殊元件 "+BuFhSLf  
11-1 横向pnp管 "04:1J`  
` h1>rP  
11-2 纵向pnp管 4WQ 96|F  
]T>YYz  
11-3 超增益晶体管 A@w9_qo  
By0Zz  
11-4 隐埋齐纳二极管 J5\2`U_F Z  
=5h ,ZB2A  
11-5 集成电路中的电容器 [xPO'@Y  
<*$IZl6I  
11-6 薄膜电阻器 8#a2 kR<b  
Dn;$4Dak(  
模拟集成电路中的基本单元电路 |JCn=v@  
12-1 差分放大器 T- lHlm  
UC"_#!3  
12-2 恒流源电路和有源负载 Hp3T2|uL  
+/8KN  
12-3 基准源电路 OlYCw.Zu  
P.]O8r  
12-4 模拟开关 \H .1I=<  
eX{Tyd{  
集成运算放大器 +~M`rR*  
13-1 运算放大器的基本概念 <ApzcyC  
,"4  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 BO-=X 78f@  
y Ide]  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 jX{t/8v/s4  
JUC62s#_z  
13-4 µA741通用型运算放大器 #5W-*?H  
Kl k[ h  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 8{ J{)gF  
Ptv=Bwg  
模拟集成电 +"2IQme5  
14-1 集成电压 twJ)h :!_y  
'-m )fWf  
14-2 D/A转换器 bZ*J]1y(.  
uE{nnNZy  
14-3 A/D转换器 B* j AD2  
/I3>u  
14-4 MOS模拟集成电路 YDr/Cw>J  
fo30f =^Gi  
模拟集成电路的版图设计 Upkw.`D`  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 , H_Cn1l  
uyITUvPg[  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 VXtW{*{"  
4RV5:&ALLS  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 DU/WB  
@ \(*pa  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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