华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ;B{oGy.
nPjK=o`KR
第一篇MOS 逻辑集成电路 *bzqH 2h8
#[Rs &$vQm
MOS晶体管工作原理 jcRe),
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Us%g&MWdpb
'oUT
Y *
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 !Yz
CK*av1
*qFl&*h}
1.3 MOS晶体管的电流方程 E
*782>
|*l^<= =
1.4 MOS瞬态特性 #JN4K>_4
;/)$Cm &e
MOS器件按比例缩小 3jHE,5m
2.1 按比例缩小理论 xxld. j6
7JBr{3;eS
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 d?V/V'T[
(B03f$8}*_
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 &}\{qFD;
B;2#Sa.
2.4 VLSI发展的实际限制 Q% ^_<u
7\gu; [n
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 &kT!GU^n
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 +{#Z^y6&
N0N% ~3
3.2 CMOS IC 工艺流程 dV-6 l6
qggRS)a
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ,k(B>O ~o
c{ qTVi5e
CMOS反相器和CMOS传输门 9#kk5
)J
4.1 CMOS反相器的直流特性 P ,rLyx
@q
{
.
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 .')^4\
6X$nZM|g,
4.3 CMOS 反相器的功能 a>+m_]*JZ
;alt% :$n
4.4 CMOS反相器设计 I*/: rb
<vu~EY0.
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 7Q,<h8N\5
e)3 Mg^
4.6 CMOS传输门 4w]<1V
. k#O[^~]
CMOS静态逻辑电路设计 ZVit] 3hd
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ]/AU_&
$U(D*0+o/
5.2 CMOS与非门的分析 $#wi2Ve=6b
|:u5R%
5.3 CMOS或非门的分析 `V.tqZF
>4HB~
9dKU
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 ^ }:0\;|N
H)y_[:[
5.5 组合逻辑电路的设计 i?)bF!J
%f(4
jQ0I
5.6 类NMOS电路 @9k3}x K
`}8) P#
5.7 传输们逻辑电路 R1.Y
x?
P I8ag
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 P8tCzjrV
' |M} 3sL
动态和时序逻辑电路设计 8zwH^q[`r
6.1 动态逻辑电路的特点 NVDIuh
-ilhC Y@M
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 QEmktc1 7
D^{jXNDNO
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 37V$Qb_
=E~_F >SD
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ?w)A`G _
%,d+ jBM
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 UG6\OgkL+
eE{
2{C
6.6 CMOS触发器 9 Lqz:4}
!Z; Nv
6.7 时序逻辑电路 ^SwU]e
~"h V-3U
输入、输出缓冲器 zK*i:(>B
7.1 输入缓冲器 X,K`]hb*0_
e"2x!(&n(
7.2 输入保护电路 vLCm,Bb2L
*#'&a(h B!
7.3 输出缓冲器 'RR,b*Ql
W'Qy4bl7C
7.4 脱片输出驱动级的设计 ck8Qs08
h0VeXUM;.
7.5 三态输出和双向缓冲器 _ ^^5
k:1|Z+CJ
MOS存储器 ?gXdi<2Qn
8.1 DRAM 4o@^. _-R
6 x8lnXtA
8.2 SRAM '_xa>T}
FFf
~Vmw
8.3 ROM和PLD T{ /\q 5
B 5va4@
MOS IC的版图设计 ;B"S*wYMN
9.1 VLSI的设计方法 0O?!fd n
p2 m`p T
9.2 门阵列和标准单元设计方法 &>hln<a>
<U""CAE
9.3 版图设计
NW?h~2
e&=T`
SOICMOS简介 >zv}59M
10.1 SOI CMOS工艺 kL% o9=R1
b#_ u.vP
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ~g;lVj,N'
s|C4Jy_
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 M Y>o8A
2aW"t.[j
BiCMOS电路 5> =Ia@I
11.1 MOS和双极型器件性能比较 #pp6 ycy
K #'{Ko
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 l":Z. J
e/ V8lo
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 E X,)MU
:jljM(\
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 WiclG8l
pL)o@-k#%
11.5 BiCMOS电路实例 !l1ycQM
` Ui|T
MOS 逻辑集成电路（续） M\ {W &o1!
nMOS逻辑集成电路 ?W4IAbT\G
6-1 电阻负载MOS倒相器 vOYG&)Jm
9DP6g<>B
6-2 E/E MOS 倒相器 a).b k!G
O(oGRK<xM
6-3 自举负载MOS 倒相器 6@@J>S>
'X(G><R9
6-4 E/D MOS 倒相器 K\]ey;Bd
4RV5:&ALLS
6-5 静态MOS电路 -Am ~CM
hE"a ( i
CMOS集成电路 P I0[
7-1 CMOS 倒相器 L0H kmaH
lIj2 w;$v
7-2 CMOS传输门 A12 #v,
/HmD/
E\
7-3 静态CMOS 电路 RRGCO+ )*
h)qapC5z,
7-4 CMOS 门电路的设计 _pv<_
Sm
{$ghf"
7-5 CMOS电路中的锁定效应 76rNs|z~
> ^b6\
动态和准静态MOS电路 x\
m !3
8-1 栅电容的电荷存储效应 Nn],sEs
vq~btc.p{&
8-2 动态MOS倒相器 \)?[1b&[_
G:e 9}
8-3 动态MOS电路 8uR4ZE*
}l/ !thzC
8-4 准静态MOS触发器 n
4:Yc@,
(dxkDS-G
8-5 动态和准静态CMOS电路
=Zcbfo_&
~7tG
%{t%
MOS集成电路的版图设计
p2;-*D
9-1 MOS集成电路的工艺设计 rkdwGqG
I |?zSFa
9-2 MOS集成电路版图设计 XAV|xlfm
jj,Y:
9-3 MOS集成电路版图设计举例 R <+K&_
y5L%_
{n
MOS大规模集成电路 t'bzhPQO)f
10-1 LSI电路中的CAD技术 *%^Vq
51Yq>'8
10-2 HMOS技术 v*+.;60_
8'Eu6H&$G
10-3 MOS存储器 Y4Hi<JWo
o 7N3:)
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 {c|=L@/
&[*F!=%8
10-5 半定制逻辑电路 Aen)r@Y:
H@$\
SUc{
模拟集成电路 ~U+SK4SK:o
模拟集成电路中的特殊元件 VY)!
b jW.
11-1 横向pnp管
SqL8MKN)
y jUSM}$
11-2 纵向pnp管
yDBS :
\
jX5lwP
Q|F
11-3 超增益晶体管 UxZT&x3=)}
ob=GB71j55
11-4 隐埋齐纳二极管 e;:~@cB,c
Fj<#*2{]B
11-5 集成电路中的电容器 LJ K<Xen
h$)},% e
11-6 薄膜电阻器 TY[{)aH{S
8YJ8_$Z
模拟集成电路中的基本单元电路 S siKuoxk
12-1 差分放大器 ,>X
+tEgR
gR)T(%W
12-2 恒流源电路和有源负载 au'Zjj/Ai5
<$)F_R~T3
12-3 基准源电路 }ie\-V
J1kG'cH05
12-4 模拟开关 J%c4-'l
sF aboI
集成运算放大器 5}FPqyK"
13-1 运算放大器的基本概念 $OK}jSH*v)
, TY&N-
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 j}NGyS" =
< igsO
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Yoy}Zdu}h
- gZI^EII
13-4 µA741通用型运算放大器 Jybx'vZj
kWs "v6B
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 ^i}*$ZC72
>, 22@4
模拟集成电 / 0Z_$Q&e
14-1 集成电压 c%,~ 1l
sr(f 9Vl
14-2 D/A转换器 }lzUl mRTe
FL -yt
14-3 A/D转换器 k
i `7S
1RC(T{\x
14-4 MOS模拟集成电路 595P04
S0+nQM%
模拟集成电路的版图设计 RM2<%$
15-1 模拟集成电路版图设计特点 qF!oP
r@;n \
15-2 模拟集成电路中的相容技术 'yG9Rt
Ys |n9p W
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 5x";}Vp>P
~4YU
2004.7.7
