华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 &+G; R
rGQ5l1</
第一篇MOS 逻辑集成电路 lVoik *,B
ddoFaQ8
MOS晶体管工作原理 > w s!5q
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 [Tp% "f1
+I@cO&CY|
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 t.)AggXj#
=!CU $g
1.3 MOS晶体管的电流方程 s"coQ!e1.
r|fO7 PD
1.4 MOS瞬态特性 6G}c1nWU
. :a<2sp6
MOS器件按比例缩小 2m" _ z
2.1 按比例缩小理论 7Cy<m S
5g >wV
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响
jct./arK
xA #H0?a]
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 'zxoRc-b@N
.S7:;%qL6
2.4 VLSI发展的实际限制 "hPCQp`Tj
3=-
})X ;
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 g5Td("& n
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 wf9z"B
j?-R]^-5
3.2 CMOS IC 工艺流程 B+"g2 Y
p 3yU:q#A
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 K9|7dvzC:
P^i .La,
CMOS反相器和CMOS传输门 0^
&!6R
4.1 CMOS反相器的直流特性 iM5vrz`n
Hg+
F^2<y
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 %Q~CB7ILK
/;oqf4MF
4.3 CMOS 反相器的功能 k g >>D
2"&)
W dm
4.4 CMOS反相器设计 -^SA8y
&tE.6^F
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 A -uB\ L
33a uho
4.6 CMOS传输门 >EP(~G3u
Tlodn7%",
CMOS静态逻辑电路设计 YRcps0Dx9
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 s>%Pd7:
W?z #pV+jt
5.2 CMOS与非门的分析 FWY2s(5p
/:[2'_Xl
5.3 CMOS或非门的分析 NlF}{
UVEz;<5@\
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 2]WE({P
z`U Ukl}T
5.5 组合逻辑电路的设计 '2nqHX
D
=Ho"N ` Qy
5.6 类NMOS电路 Ws Oi,oG@
A6"Hk0Hf
5.7 传输们逻辑电路 P Q U]l"A
]axh*J3
`i
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 %f ju G
.$rC0<G[K
动态和时序逻辑电路设计 >e& :`2%.
6.1 动态逻辑电路的特点 6}dR$*=
|qN'P}L
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 [aqu }Su
vO @s$qi
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ^T Fs;|..
1np^([' ih
6.4 时钟CMOS(C2MOS) }1H=wg>\
A( d5G^
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 NgZUnh3{
E~hzh /,34
6.6 CMOS触发器 q6q1\YB
6][1 <}8
6.7 时序逻辑电路 % _M2N.n
2>PH 8
输入、输出缓冲器 k|E]YvnfG
7.1 输入缓冲器 !~iGu\y
tj1JB %
7.2 输入保护电路 ,L YFEq_
wz
/GB8P
7.3 输出缓冲器 eC`pnE
GA3sRFZdQ
7.4 脱片输出驱动级的设计 TH1B#Y#<J
,"?A2n-qO
7.5 三态输出和双向缓冲器 JBX[bx52<r
WE!v
S Z3R
MOS存储器 3:CO{=`\7B
8.1 DRAM {
1lO
0~gO '*2P
8.2 SRAM .p6+l!"
]]iPEm"@
8.3 ROM和PLD mxG ]kqi
+C {p%`<
MOS IC的版图设计 )ZR+lX }
9.1 VLSI的设计方法 iU2 KEqCm
`iG,H [t+j
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Sfjje4R
U bz"rCjq
9.3 版图设计 }=}>9DS M
Sr.; GS5i
SOICMOS简介 RuR t0Sd3
10.1 SOI CMOS工艺
wsfd8T4
QBJ3i Qs1
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 e]>or i
8
(Y e>Cp+]
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 Ss ?CfRM
YE+$H%Jl!
BiCMOS电路 vwGeD|Fb5
11.1 MOS和双极型器件性能比较 )h$NS2B`
s4= "kT]
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 F
phDF
'Pltn{iq[
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 u b?K,
t2{~bzq1X
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较
|FR3w0o
& ~sfYW
11.5 BiCMOS电路实例 k)(Biz398E
w5C*L)l
MOS 逻辑集成电路（续） w=b (X
q+:
nMOS逻辑集成电路 E">T* ao
6-1 电阻负载MOS倒相器 *gsAn<
b
B
6-2 E/E MOS 倒相器 r8M Zvm2
jk~:\8M(A
6-3 自举负载MOS 倒相器 }qPhx6 nP
}k$4/7ri
6-4 E/D MOS 倒相器 o,Z{ w"
B\`Aojw"E?
6-5 静态MOS电路 XFZ~ #DT&
ak: v3cQR
CMOS集成电路 :Waox"#=g
7-1 CMOS 倒相器 7()?C}Ni-
,8Iv9M}2
7-2 CMOS传输门 JHV)ZOO
CX/ (o]
7-3 静态CMOS 电路 0`#(Toe{B
KlxN~/gyik
7-4 CMOS 门电路的设计 PK6iY7Qp)
$+=
<(*
7-5 CMOS电路中的锁定效应 K\! #4>yd
4 2) mM#
动态和准静态MOS电路 q ojXrSb"y
8-1 栅电容的电荷存储效应 Va<H U:<
O mMX$YID
8-2 动态MOS倒相器 _ *(bmJM
5fjd{Y[k
8-3 动态MOS电路 mNmUUj9z
eBr4O i
8-4 准静态MOS触发器 -$8.3\6h
G$WOzY (
8-5 动态和准静态CMOS电路 y2Bh?>pg
C*~aSl 7
MOS集成电路的版图设计 eQN .sl5
9-1 MOS集成电路的工艺设计 pK_?} ~
Q4'C;<\@(Q
9-2 MOS集成电路版图设计 |H)cu Z
/Bv#) -5
9-3 MOS集成电路版图设计举例 5N/Lk>p1u
C".1
+ Um
MOS大规模集成电路 kT oOIx
10-1 LSI电路中的CAD技术
P_4 DGW
cnN OZ$)
10-2 HMOS技术 j'rS&BI G
u=K2
Q4
10-3 MOS存储器 d "<F!?8
S3 \jcgrS
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ? Nj)6_&
|m>}%{
10-5 半定制逻辑电路 r|Zi 3+
8e:vWgQpL
模拟集成电路 ?[1SiJT
模拟集成电路中的特殊元件 2W$lQ;iO
11-1 横向pnp管
M[P^]J@
G2Qjoe`U c
11-2 纵向pnp管 %v=!' ?V T
*@M3p}', M
11-3 超增益晶体管 S!dHNA:iU
/ tKGwX]y
11-4 隐埋齐纳二极管 :t$A8+A+0
&=w|vB)(p
11-5 集成电路中的电容器 W<'<'z5
rK=6]j(K
11-6 薄膜电阻器 fP Q|e"?
%$n02"@
模拟集成电路中的基本单元电路 $WaZ_kt
12-1 差分放大器 lX;mhJj!
#+G`!<7/@f
12-2 恒流源电路和有源负载 $ KQ,}I
3M*Y= ?pI
12-3 基准源电路 qi\n] I
'lQYJ0
12-4 模拟开关 otq,R6 ^
mw+j|{[
集成运算放大器 ua#K>su r.
13-1 运算放大器的基本概念 VO -784I
,cQA * ;6
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 1n3$V:00
w2Kq(^?
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 .mt^m
7A0dl }
:
13-4 µA741通用型运算放大器 Czh8zB+r
{PmzkT}LF
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 &;U|7l~vl
?*o;o?5s^
模拟集成电 Zd XKI{b
14-1 集成电压 uu@<&.r\C
p">WK<N
14-2 D/A转换器 lk o3]A3
D;C5,rN t
14-3 A/D转换器 3N3*`?5c<
Zh? V,39
14-4 MOS模拟集成电路 k(9s+0qe
B[7 A
模拟集成电路的版图设计 J ~' ~[ ,K
15-1 模拟集成电路版图设计特点 !ABLd|tP
2<m
Q,,j
15-2 模拟集成电路中的相容技术 tnJ`D 4
(xQI($Wq*M
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 |i s 9
M;PlSb
2004.7.7
