华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 gI/
SA  
uHuL9Q^  
第一篇MOS 逻辑集成电路 Y,m=&U  
~ zoZ{YqP  
MOS晶体管工作原理 `j4OKZ  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Q sPZ dC  
L*6>S_l[  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 8w ]'U  
U9XOs)^  
1.3 MOS晶体管的电流方程 ;?{OX  
m'eM&1Ba  
1.4 MOS瞬态特性 # <5i/5&  
'Uo| @tK  
MOS器件按比例缩小 dW %;Z  
2.1 按比例缩小理论 '/fueku  
A< -3u  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ~"cqFdnO  
qdZo cTf'  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 5ZjM:wrF|  
.WS7gTw  
2.4 VLSI发展的实际限制 (kJ"M4*<F'  
-V52?Hq
  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 e9eBD   
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 ]U.YbWe^  
mk +BeK  
3.2 CMOS IC 工艺流程 AAK}t6  
}#E~XlX^  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 !qJ|`o Y  
BoXGoFn  
CMOS反相器和CMOS传输门 bdr!|WZ  
4.1 CMOS反相器的直流特性 -;t]e6[  
!Baq4V?KN  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 G `JXi/#`  
a\v@^4   
4.3 CMOS 反相器的功能 1ogh8%  
H3jb{S b  
4.4 CMOS反相器设计 AME6Zu3Y  
\S"YLRn"  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 `xd{0EvF  
IQCIc@5  
4.6 CMOS传输门 @@Vf"o+S  
C6( WnO{6  
CMOS静态逻辑电路设计 _J`q\N K  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 LVp*YOq7  
b<mxf\b  
5.2 CMOS与非门的分析 hh>mX6A  
J|2OmbJe  
5.3 CMOS或非门的分析 y #Xq@  
Qs.g%  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 ~wsDg[  
 R)?zL;,x  
5.5 组合逻辑电路的设计 D#n^U `\if  
aj<=]=hr  
5.6 类NMOS电路 ;/8oP ;X2  
HrZ\=1RB  
5.7 传输们逻辑电路 BI,j/SRK  
G.} 3hd0  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 1wpeYn7>W  
<([1(SY2e  
动态和时序逻辑电路设计 RqIic\a D  
6.1 动态逻辑电路的特点 6/Coi,om  
FN&.PdRT  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 /f9jLY+  
=_`4HDr  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 J['paHSF  
%jK-}0Tu  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) MEQ:[;1  
mACj>0Z'  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 J>P{8Aw  
"$ ?f&*  
6.6 CMOS触发器 k=<,A'y-/  
"qRE1j@%a  
6.7 时序逻辑电路 dlC)&Ai
 
t)LD-
%F  
输入、输出缓冲器 H'E>QT  
7.1 输入缓冲器 8YAUy\  
hbh
h m  
7.2 输入保护电路 K+D`U6&  
8oG0tX3i  
7.3 输出缓冲器 , e{
kC  
BF2,E<^A  
7.4 脱片输出驱动级的设计 iK6L\'k  
lvIKL!;H  
7.5 三态输出和双向缓冲器 bR@ e6.<i  
zg&<HJO  
MOS存储器 +?n81|7`  
8.1 DRAM R:98'`X=  
>&tPIrz  
8.2 SRAM OWFLw  
"W;GvI  
8.3 ROM和PLD /c ~z(wv  
S1&mY'c  
MOS IC的版图设计 m(E-?VMHo  
9.1 VLSI的设计方法 Ln0rm9FV-  
yazC2Enes8  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 u?Jw)
`  
VS<E?JnbFV  
9.3 版图设计 O^48c$Apv  
yTwv2l;U  
SOICMOS简介 * F%Wf  
10.1 SOI CMOS工艺 Mib(J+Il  
U7O~ch[,  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 z=B*s!G  
{A]"/AC  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ya3A^&:  
nS)U+q-x&o  
BiCMOS电路 -jdS8n4  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 _Q,`Qn@|BD  
;rYL\`6L  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 V @8+  
mH2XwA|  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 G vMhgG=D  
"s[wLclfG  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 _SdO}AiG  
b{J
cV  
11.5   BiCMOS电路实例 tIfA]pE  
QG {KEj2V  
MOS 逻辑集成电路（续） NQ~keN  
nMOS逻辑集成电路 7 pf]h$2  
6-1 电阻负载MOS倒相器 }-QFMPXhG  
E{x<P0 ;  
6-2 E/E MOS 倒相器 
$P'Y  
art L  
6-3 自举负载MOS 倒相器 }2c)UQD8  
F6XrJ?JM  
6-4 E/D MOS 倒相器 W;%$7&+0  
xVYy`_|  
6-5 静态MOS电路 -;]m4R)z  
A#NJ8_  
CMOS集成电路 VPOzt7:  
7-1 CMOS 倒相器 0QJ :  
aE aU_f/  
7-2 CMOS传输门 %vF,wQC  
Oly"ll*K  
7-3 静态CMOS 电路 `G/%U~  
Q]h.{nN#PK  
7-4 CMOS 门电路的设计 8D y5g  
K Eda6zZH  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 h @kq>no  
}xx"  
动态和准静态MOS电路 a7Mn/ i.  
8-1 栅电容的电荷存储效应 =Ff _)k  
{UeS_O>(  
8-2 动态MOS倒相器 I3I1<}>]Z  
8_ W=
)w6  
8-3 动态MOS电路 @5RbMf{  
?d!*[K
e8  
8-4 准静态MOS触发器 )k^y<lC2a  
<(Rbu2_  
8-5 动态和准静态CMOS电路  Y+d+  
$,.XPK5Qu  
MOS集成电路的版图设计 H*H~~yQ  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 9 _oAs"w  
5
r1u_8)'  
9-2 MOS集成电路版图设计 ;x|7"lE  
,+4*\yI3l  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 |1pDn7  
F$j?}  
MOS大规模集成电路 $L4h'(s  
10-1 LSI电路中的CAD技术 im3BQIPR  

p:; `X!  
10-2 HMOS技术 8|{d1dy  
Z8ds`KZM  
10-3 MOS存储器 msVi3`q~  
R $@$  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 S}P rgw/  
+a"f)4\
 
10-5 半定制逻辑电路 LP'wL6#  
\4KV9wm  
模拟集成电路 9$L 2a  
模拟集成电路中的特殊元件 #}HdylI\}  
11-1 横向pnp管 sp&gw XPG  
F_Gc_eT  
11-2 纵向pnp管 OtbPrF5  
_3 IRj=Cs  
11-3 超增益晶体管 X"sJiFS  
q8!]x-5$6j  
11-4 隐埋齐纳二极管 h'+F'1=  
<.2jQ#So  
11-5 集成电路中的电容器 L&d.&,CNs'  
Iw^Q>MrT  
11-6 薄膜电阻器
R9
Y@I  
{.?pl]Zl6  
模拟集成电路中的基本单元电路 k?rJGc G  
12-1 差分放大器 &;sW4j nt  
Dr76+9'i  
12-2 恒流源电路和有源负载 l" 7#(a  
NTEN
 
12-3 基准源电路 NwxDxIIH/)  
#hP>IU  
12-4 模拟开关 <k0/O  
J7qTE8W=  
集成运算放大器 <s7cCpUFP  
13-1 运算放大器的基本概念 &YcOmI/MM  
c-v-UO%  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 u :f.;?  
rL&Mq}7QK  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ~A1!!rJX  
o(H.1ESk  
13-4 µA741通用型运算放大器 2wDDVUwyB  
0AdxV?6z  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 Q
Q_7Q^  
8]exsnZ  
模拟集成电 5&h">_j  
14-1 集成电压 fm`
V2'Rm  
qv}ECQ  
14-2 D/A转换器 U4^c{KWS  
H17I"5N  
14-3 A/D转换器 l)dE7$H  
UAT\ .  
14-4 MOS模拟集成电路 L<0_e^8  
'"\'<>Be  
模拟集成电路的版图设计 E5@=LS  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 -egnMc67  
'j<u0'K@  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 4xr^4\lk  
}8#Ed;%K  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 w5{l-Z  
i9XpP(mf  
2004.7.7

真不如有真题呀，