华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 KyP@ hhj
w~pe?j_F$
第一篇MOS 逻辑集成电路 MY z!zI
U#PgkP[4
MOS晶体管工作原理 b
KDD29
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 QK #qW-49O
%Q.M& U
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 d|~'#:y@
x{So
1.3 MOS晶体管的电流方程 \'('HFr,
>Lo'H}[pF
1.4 MOS瞬态特性 CO@
kLI
(6[/7e)
MOS器件按比例缩小 =eDC{/K
2.1 按比例缩小理论 IeA/<'Us
};Df ><
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 \S?-[v*{
w_~
tY*IwB
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 H
]](xYy.
<1x u&Z7
2.4 VLSI发展的实际限制 .>_%12>
L/GVQjb
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 T0b/txS
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 sE{5&aCSR
5*90t{#
3.2 CMOS IC 工艺流程 .+u r+"i
Zk|PQfi+
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 v9f%IE4fX
DM\pi9<m
CMOS反相器和CMOS传输门 YETGq-
4.1 CMOS反相器的直流特性 dEX67rUj;
c0X1})q$
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 )lU ocm
K>\v<!%a
4.3 CMOS 反相器的功能 FS!vnl8`
l6MBnvi
4.4 CMOS反相器设计 #a]\3X
ir|L@Jj,
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 =*6H!bzX
8`I,KkWg
4.6 CMOS传输门 &,,:pL[
U:PtRSdn!b
CMOS静态逻辑电路设计 -&%!
4(Je
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 9%MgA ik(
nVP|{M
5.2 CMOS与非门的分析 Fd%JF#Hk
a'>n'Y~E
5.3 CMOS或非门的分析 8ddBQfCY
"412w^5[T
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 yio8BcXH54
85A7YraL
5.5 组合逻辑电路的设计 o
Gt2n:
tq*6]q8c>
5.6 类NMOS电路 [l~G7u.d
X&M04
5.7 传输们逻辑电路 p@@*
F+
g/w<T+v
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 IfP?+yPa
%w/vKB"nO
动态和时序逻辑电路设计 sM9utR
6.1 动态逻辑电路的特点 ' Yy+^iCus
fUq
#mkq}
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 fM(~>(q&
A5s;<d0
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 >YcaFnY
OgzKX>N`A
6.4 时钟CMOS(C2MOS) "z*?#&?,
!&{"tL@.
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 /.t1Ow
$OzVo&P;
6.6 CMOS触发器 +u`4
@~D#
=9:gW5F69
6.7 时序逻辑电路 {WTy/$ Qk
/1xBZfrN
输入、输出缓冲器 fY|[YPGO^
7.1 输入缓冲器 \9R=fA1 8
CsjrQ-#9yn
7.2 输入保护电路 +$#h6V
nPjK=o`KR
7.3 输出缓冲器
|z0% q2(
8zh o\'
7.4 脱片输出驱动级的设计 MieO1l
@yF>=5z:
7.5 三态输出和双向缓冲器 )OK"H^}f
_SMi`ie#
MOS存储器 fk\]wFj
8.1 DRAM *qFl&*h}
yqP=6
8.2 SRAM vTC{
('o}E
oXS
8.3 ROM和PLD &%u m#XE
Xi w
MOS IC的版图设计 `$
vf 9'\+
9.1 VLSI的设计方法 Af}o/g
qI<c47d;q
9.2 门阵列和标准单元设计方法 R^"mGe\LL
;Nd'GA+1;(
9.3 版图设计 2#s8Dxt
>'jk
L5l
SOICMOS简介 LZQG.
10.1 SOI CMOS工艺 N:%Nq8I}:
HYv-5:B
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 CZ
=]0zB
^oNcZK>
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 *w/N>:V0p
!/X>k{
BiCMOS电路 ubc
k{\.
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ({D>(xN
b;NV vc(
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 MPF({Pnx7
nGur2}>n
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 j,z)x[3}
6o*'Q8h
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 D[4%CQ1m
_Ih"*~ r/&
11.5 BiCMOS电路实例 '{cFr
`G=+qti
MOS 逻辑集成电路(续) L=P8; Gj)
nMOS逻辑集成电路 fJe5
i6`(
6-1 电阻负载MOS倒相器 C'jCIL
2EO9IxIf
6-2 E/E MOS 倒相器 E,ooD3$h
/;xrd\du
6-3 自举负载MOS 倒相器 >t.PU.OM
=`
Ky N/
6-4 E/D MOS 倒相器 3_T'0x\FP
8cRc5X
6-5 静态MOS电路 $U(D*0+o/
m}2hIhD9
CMOS集成电路 >y!O_@>z
7-1 CMOS 倒相器 '
-aLBAxy
XjYMp3
7-2 CMOS传输门 ^PMA"!n8
C;9P6^Oz
7-3 静态CMOS 电路 K)h<#F
%
{me<\(
7-4 CMOS 门电路的设计 M3dUGM
$0]5b{i]
7-5 CMOS电路中的锁定效应 e`5:46k|
}Fu2%L>
动态和准静态MOS电路 472
'P
8-1 栅电容的电荷存储效应 .&K?@T4l
5Iv"
8-2 动态MOS倒相器 6O@Lx]t
U1kW1L}B
8-3 动态MOS电路 !'>#!S~h3
TJ,?C$3
8-4 准静态MOS触发器 h@s i)5"
9s*UJIL
8-5 动态和准静态CMOS电路 y cWY.HD
vTp
,j-^
MOS集成电路的版图设计 tV7{j'If
9-1 MOS集成电路的工艺设计 3V]psZS
{|e7^_ ke
9-2 MOS集成电路版图设计 #;"lBqxY`
gOaK7A
9-3 MOS集成电路版图设计举例 FwQGxGZ
AUl[h&s
MOS大规模集成电路 8JO(P0aT
10-1 LSI电路中的CAD技术 9|9/8a6A
(. ,{x)H
10-2 HMOS技术 <H1e+l{8$
>lugHF$G
10-3 MOS存储器 S @)P#
mQtOx
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 B{1yMJA
cP0(Q+i7
10-5 半定制逻辑电路
1_LGlu~&
_%aT3C}k
模拟集成电路 /IC]}0kkp
模拟集成电路中的特殊元件 "+BuFhSLf
11-1 横向pnp管 "04:1J`
`h1>rP
11-2 纵向pnp管 4WQ
96|F
]T>YYz
11-3 超增益晶体管 A@ w9_qo
By0Zz
11-4 隐埋齐纳二极管 J5\2`U_F
Z
=5h,ZB2A
11-5 集成电路中的电容器 [xPO'@Y
<*$IZl6I
11-6 薄膜电阻器 8#a2 kR<b
Dn;$4Dak(
模拟集成电路中的基本单元电路 |JCn=v@
12-1 差分放大器 T-lHlm
UC"_#!3
12-2 恒流源电路和有源负载 Hp3T2|uL
+/8KN
12-3 基准源电路 OlYCw.Zu
P.]O8r
12-4 模拟开关 \H
.1I=<
eX{Tyd{
集成运算放大器 +~M`rR*
13-1 运算放大器的基本概念 <ApzcyC
,"4
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 BO-=X
78f@
y Ide]
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 jX{t/8v/s4
JUC62s#_z
13-4 µA741通用型运算放大器 #5W-*?H
Kl
k[h
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 8{
J{)gF
Ptv=Bwg
模拟集成电 +"2IQme5
14-1 集成电压 twJ)h :!_y
'-m )fWf
14-2 D/A转换器 bZ*J]1y(.
uE{nnNZy
14-3 A/D转换器 B*
j
AD2
/I3>u
14-4 MOS模拟集成电路 YDr/Cw>J
fo30f=^Gi
模拟集成电路的版图设计 Up kw.`D`
15-1 模拟集成电路版图设计特点 ,
H_Cn1l
uyITUvPg[
15-2 模拟集成电路中的相容技术 VXtW{*{"
4RV5:&ALLS
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 DU/WB
@ \(*pa
2004.7.7