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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 | k}e&Q_/G  
uJ 8x  
第一篇MOS 逻辑集成电路 ayeCi8  
I=odMw7Hj  
MOS晶体管工作原理 zR/IqW.`9  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 gwq`_/d}  
Z'ao[CG  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 ,5. <oDH  
](nH{aY!  
1.3 MOS晶体管的电流方程 F|*tNJU>  
-=sf}4A  
1.4 MOS瞬态特性 y@aKNWy}$  
0 Az/fzJlz  
MOS器件按比例缩小 }<&d]N  
2.1 按比例缩小理论 Kr]W o8dWy  
D:)~%wu Lt  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 \OA L Or  
O:,=xIXR  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 +N8aq<l  
P=Puaz5&{  
2.4 VLSI发展的实际限制 (7L/eDMT  
Z)5klg$c  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 -$9 ~xX  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 iJ4 <f->t  
*l {4lu  
3.2 CMOS IC 工艺流程 #@E(<Pu4`  
0mVuD\#=!  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 t2U$m'(A&  
m#;.yR  
CMOS反相器和CMOS传输门 ,H@TY w  
4.1 CMOS反相器的直流特性 eVrNYa1>H  
$bFgsy*N2  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 j3LNnZY  
F@ EZ ;[  
4.3 CMOS 反相器的功能 r_q~'r35_  
XHZLW h"gS  
4.4 CMOS反相器设计 sSV^5  
M&OsRrq  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Cc* |Zw  
[?|5 oaK  
4.6 CMOS传输门 =O,e97  
$6Z[|9W^A  
CMOS静态逻辑电路设计 L PMb0F}"5  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 7F~xq#Wi#  
+yvBSpY  
5.2 CMOS与非门的分析 ;=#qHo9k1%  
 *6'_5~G  
5.3 CMOS或非门的分析 H&9wS G`  
^,>}%1\  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 _4O[[~  
fq{I$syY  
5.5 组合逻辑电路的设计 f&f[La  
=g1D;  
5.6 类NMOS电路 ?fm2qrV@fp  
%sYk0~ E  
5.7 传输们逻辑电路 V.+ DP  
H9/XW6W,"w  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ?! !;XW  
=xl7vHn7  
动态和时序逻辑电路设计 bl6':m+  
6.1 动态逻辑电路的特点 S`iM.;|`O  
P"U>tsHK:  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 A5`#Ot*3  
VNr!|bp5  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 Hd Do&#  
*vEU}SxRuv  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) !x+MVJ]  
(8+.#1!*  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 \3,$YlG  
,%& LG],6  
6.6 CMOS触发器 "0p +SZ~D  
i G?w;  
6.7 时序逻辑电路 BHIZHp  
2y&_Z^kI?  
输入、输出缓冲器 rerUM*0  
7.1 输入缓冲器 3uB=L 7.  
~7FEY0/  
7.2 输入保护电路 iPR!JX _  
11^ {W F  
7.3 输出缓冲器 `Pz!SJ|  
eP-R""uPw  
7.4 脱片输出驱动级的设计 A= \'r<:  
p0%6@_FT~  
7.5 三态输出和双向缓冲器 U~JG1#z6  
w>1l@%U o  
MOS存储器 >vNk kxWyQ  
8.1 DRAM qkZ5+2 m  
+ 3~Gc<OO  
8.2 SRAM x 0TnS #  
Huug_E+  
8.3 ROM和PLD [ 5}cU{M  
.$}Z:,aB  
MOS IC的版图设计 N`L' 4v)  
9.1 VLSI的设计方法 VLwJ6?.f'  
ps{&WT3a  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 eX]9m Q]E  
c=jTs+h'  
9.3 版图设计 KY(l<pm  
Npg5Z%+y  
SOICMOS简介 ;{F;e)${M  
10.1 SOI CMOS工艺 l yLK$B?/  
eL] w' }\  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 =c5 /cpZ^  
iA{chQBr  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 !]jNVg  
! A ydhe  
BiCMOS电路 bW 79<T'+  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 /i]=ndAk  
a_#eGe>  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 ,a?\i JNb  
fB ,!|u  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 H fmMf^c  
/n3&e  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 5<GRi "7A@  
>~bj7M6t  
11.5   BiCMOS电路实例 Q9'p3"yoE  
';L^mxh  
MOS 逻辑集成电路(续) fyoB]{$p8  
nMOS逻辑集成电路 Cot\i\]jv  
6-1 电阻负载MOS倒相器 ZCF-*nm  
7 |eSvC  
6-2 E/E MOS 倒相器 DO,&Foh\  
FoXQ]X7"  
6-3 自举负载MOS 倒相器 xwp?2,<  
qN,FX#DP  
6-4 E/D MOS 倒相器 8}E(UsTa  
D\&y(=fzf  
6-5 静态MOS电路 X|B;>q  
Gbm_xEPC  
CMOS集成电路 pP oC61F  
7-1 CMOS 倒相器 Q>c6ouuJ  
g~D6.OZU  
7-2 CMOS传输门 xi^e =:;`  
g-gBg\y{v  
7-3 静态CMOS 电路 9F1stT0G%  
?v~3zHK  
7-4 CMOS 门电路的设计 7Cp_ 41._  
s3!LR2qiF  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 \k-juF80  
% x;!s=U  
动态和准静态MOS电路 8mddI   
8-1 栅电容的电荷存储效应 la7QN QW  
&nw ~gSe  
8-2 动态MOS倒相器 9yAu<a  
r@UY$z  
8-3 动态MOS电路 -)+DVG.t  
,w>?N\w!}  
8-4 准静态MOS触发器 F;@&uXYgc  
 P;/wb /  
8-5 动态和准静态CMOS电路 K 8c#/o  
<t@*[Aw  
MOS集成电路的版图设计 +Z]%@"S?  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Khd,|pM  
Wy )g449  
9-2 MOS集成电路版图设计 l);8y5  
r0bPaAKw  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 a[l5k  
U# B  
MOS大规模集成电路 U8z"{  
10-1 LSI电路中的CAD技术 ibw;BU  
1zW6Pb  
10-2 HMOS技术 _3[BS9  
rM |RGe  
10-3 MOS存储器 axOy~%% c  
4gENV{ L  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 v}D!  
eO G%6C%a  
10-5 半定制逻辑电路 $g;xw?~#  
jXZNr  
模拟集成电路 KZNyp%q  
模拟集成电路中的特殊元件 `I$A;OPK7  
11-1 横向pnp管 P s ;:g0  
ic#drpl,  
11-2 纵向pnp管 :g";p. ~=  
rOT8!"  
11-3 超增益晶体管 $ 1ZY Vw  
bHnQLJ  
11-4 隐埋齐纳二极管 P0=F9`3wb  
(C%'I  
11-5 集成电路中的电容器 i|mA/ e3b  
Ui&$/%Z|  
11-6 薄膜电阻器 b.;W|$.  
ehq6.+l  
模拟集成电路中的基本单元电路 qfU3Cwy  
12-1 差分放大器 4KnDXQ%  
E.9F~&DPJ<  
12-2 恒流源电路和有源负载 X'm2 uOEj  
Y<v55m-  
12-3 基准源电路 A-FwNo2"%  
*$ !LRmp?  
12-4 模拟开关 Up&q#vqIj  
U?QO'H 5  
集成运算放大器 ./d (@@  
13-1 运算放大器的基本概念 G. }yNjL8  
O u^dI  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 D }\`5L<  
_,^sI%  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性  y^Lw7  
Y"@kvd  
13-4 µA741通用型运算放大器 ^4"_I   
_OY;SJ(  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 N+\*:$>zt6  
W5 p}oN  
模拟集成电 #d~"bn q;c  
14-1 集成电压 }/VHeHd  
2Y+*vNs3  
14-2 D/A转换器 $sJn: 8z  
HIF] c  
14-3 A/D转换器 eZ cm3=WV|  
NQG"}=KA  
14-4 MOS模拟集成电路 2B4c :jJ  
)nY/ RO  
模拟集成电路的版图设计 t]x HM  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 4M _83WL  
n'ro5D  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 /a q%l]hQ@  
*%O1d.,  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Lg^m?~{  
2C-u2;X2  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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