华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 A\8}|r(>9E  
B,,D7cQC  
第一篇MOS 逻辑集成电路 e[hcJz!D  
@E:,lA  
MOS晶体管工作原理 g8PTGz  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 0}_[DAd6  
Yw#2uh  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 $56,$K`H  
B^g ?=|{  
1.3 MOS晶体管的电流方程 c y8;@[#9  
fW?o@vlO  
1.4 MOS瞬态特性 uu`G 2[t  
Yk=PS[f  
MOS器件按比例缩小 qgfi\/$6  
2.1 按比例缩小理论 K'GBMnjD  
H)n9O/u  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 'q`^3&E  
%$b:X5$Z  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 55z]&5N  
rW=Z>1  
2.4 VLSI发展的实际限制 I1X-s   
AB4(+S*LA  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 P?k0zwOlBl  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 :\| SQKD  
4M2j!Sw  
3.2 CMOS IC 工艺流程 ]?(-[  
Q637N|01  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ynQ: >tw  
1]p ZrBh"E  
CMOS反相器和CMOS传输门 0.@&_XTPl  
4.1 CMOS反相器的直流特性 Y/*mUS[oa  
@"^0%/2-  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 9@Jtaq>jf  
o{y9r{~A  
4.3 CMOS 反相器的功能 IhVO@KJI  
I+tb[*X+  
4.4 CMOS反相器设计 ]d! UJ&<?  
,Vt/(x-  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 zN^n]N_?  
,Y/ g2 4R  
4.6 CMOS传输门 e4>_v('  
~T1XLu  
CMOS静态逻辑电路设计 OCBg R4I  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 8Djc c z  
x-^`~p  
5.2 CMOS与非门的分析 iO|se:LY<  
^hZ0IM  
5.3 CMOS或非门的分析 wea-zN  
`erV$( M  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 W\d{a(*  
fSK]|"c  
5.5 组合逻辑电路的设计 r]:(Vk]|F  
ChGYTn`X   
5.6 类NMOS电路 u{['<r;I  
)u[emv$  
5.7 传输们逻辑电路 L^@'q6 *}  
gOSJM1Mr3  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 n<O}hM ZT  
_>(^tCo  
动态和时序逻辑电路设计 49GkPy#]L=  
6.1 动态逻辑电路的特点 J??-j  
B+\3-q  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 .HS"}A T  
mF*2#]%dx  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 }X)&zenz  
Q=;U@k@>  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) E~Sb  
_aGOb;h  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 R!\_rc1/  
!h"Kq>9T  
6.6 CMOS触发器 U}yW<#$+  
5na~@-9p  
6.7 时序逻辑电路 S?1AFI9{   
^Cu\VV  
输入、输出缓冲器 >7lx=T x  
7.1 输入缓冲器 0b+Wc43}K  
dgR g>)V  
7.2 输入保护电路 t3
*wjQ3  
R "n5  
7.3 输出缓冲器 Dv|#u|iw  
k;K)xb[w|  
7.4 脱片输出驱动级的设计 UW N*j_9i  
xHL( !PF  
7.5 三态输出和双向缓冲器 d4u})  
O@u?h9?cf>  
MOS存储器 mg^I=kpk  
8.1 DRAM *7CV^mDm  
{P*pkc  
8.2 SRAM q$I;dOCJ,  
K
{&mI/;  
8.3 ROM和PLD |SoCRjuCPM  
a|%J=k>>  
MOS IC的版图设计 >p)MawT]  
9.1 VLSI的设计方法 ^8 zR  
v25R_""~  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 vMA]j>>  
^N7e76VwR  
9.3 版图设计 DgUT5t1  
GR&z,  
SOICMOS简介 C`$n[kCJ  
10.1 SOI CMOS工艺 `P@T$bC  
3vuivU.3  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 &|Bc7+/P  
uD}2<$PP  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 @OV|]u  
tXoWwQD;Y  
BiCMOS电路 MLoYnR^  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 /RNIIY~w  
Sm)Ha:[4  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 ?%O(mC]u&  
%
W=b?:  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计  ]^Qn  
R@/"B8H  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 @aAW*D~-J  
;1:Js0=; H  
11.5   BiCMOS电路实例 =7w\ 7-.m  
K@sV\"U(*E  
MOS 逻辑集成电路（续） '9S8}q  
nMOS逻辑集成电路 ^Y@\1fX 4e  
6-1 电阻负载MOS倒相器 xfpa
]Z  
**$LR<L  
6-2 E/E MOS 倒相器 fuWO*  
;*
Ivn@L  
6-3 自举负载MOS 倒相器 2^y ^q2(r  
&^#VN% {  
6-4 E/D MOS 倒相器 &X |#R1 \  
YpH&<$x:  
6-5 静态MOS电路 uW30ep'  
i>D.!x  
CMOS集成电路 ht2\y&si  
7-1 CMOS 倒相器 ,quoRan  
gu0j.XS^  
7-2 CMOS传输门 6 G #}Q/  
[U5\bX@$  
7-3 静态CMOS 电路 `Gn50-@  
(BTVD,G  
7-4 CMOS 门电路的设计 .@(6Y
<dN  
F({HP)9b  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 1DE1.1  
w2 a
1mU/  
动态和准静态MOS电路 )TVFtI=,NN  
8-1 栅电容的电荷存储效应 K('hC)1  
\#Pf j&*  
8-2 动态MOS倒相器 !a7[8&  
`%+Wz0(K  
8-3 动态MOS电路 NWMFtT  
H5Z$*4%G  
8-4 准静态MOS触发器 7]b
lrN]  
/H8g(  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ;1%-8 f:lW  
!HnXXVW  
MOS集成电路的版图设计 Dpl A?  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 mj9 <%P  
\l9qt5rS  
9-2 MOS集成电路版图设计 @ Gd bTd  
4\Tl\SZ?  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 3
HcQ(+Z  
7ccO93Mz  
MOS大规模集成电路 >pp5;h8!  
10-1 LSI电路中的CAD技术 j)<IRD^  
vb<oi&X  
10-2 HMOS技术 D/vOs[X o,  
 |8My42yf  
10-3 MOS存储器 (Iaf?J5{  
'}B+r@YCN  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 v(ZYS']d2  
??M"6k  
10-5 半定制逻辑电路 Z0Vl+  
A8uVK5  
模拟集成电路 e?JW   
模拟集成电路中的特殊元件  SL#0kc0x  
11-1 横向pnp管 +l9!Fl{MK\  
C71qPb|$R  
11-2 纵向pnp管 eZIhEOF  
~Y|*`C_)  
11-3 超增益晶体管 "4riSxEyF  
=g9*UzA"O  
11-4 隐埋齐纳二极管 !g5
xq  
62k^KO6Y  
11-5 集成电路中的电容器 K 1 a\b"  
Sjvdirr  
11-6 薄膜电阻器 LBM ^9W  
G,o6292hj  
模拟集成电路中的基本单元电路 -I8=T]_D  
12-1 差分放大器 $*e2YQdLo  
s
H{4Y-J  
12-2 恒流源电路和有源负载 B8": 2HrW$  
@;*Ksy@1O  
12-3 基准源电路 a1C{(f)  
9oYgl1}d  
12-4 模拟开关 hIy~B['  
R3x3]]D  
集成运算放大器 hs^zTZ_  
13-1 运算放大器的基本概念  gbF+WE  
,:%CB"J  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ?9e_gV{&;  
*/sS`/Lx  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 5rw 7;'  
i3tg6o4C  
13-4 µA741通用型运算放大器 mk.9OhYY  
zr-*$1eu  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 \UPjf]&  
Y~c|hfL  
模拟集成电 7%5z p|3  
14-1 集成电压 '))0Lh l  
kVkU )hqR  
14-2 D/A转换器 ux XBEq;  
{m4b(t`xw  
14-3 A/D转换器 /sx@$cvW  
T1ut"
Zu  
14-4 MOS模拟集成电路 ;O,+2VzP%^  
gwLf'  
模拟集成电路的版图设计 95ZyP!  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 CS2Bo  
]OM"ZG/^  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 } df
W%{  
1Ir21un  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 B^1>PE  
+9M^7/}H  
2004.7.7

真不如有真题呀，