华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 bG 7O
l2`s! ,<>O
第一篇MOS 逻辑集成电路 WM
Fb4SUR
bT\1>
MOS晶体管工作原理 xRJ\E }/7
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 VAWF3
uya.sF0]9B
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 #G.ulX
dpJ_r>NI
1.3 MOS晶体管的电流方程 @"hb) 8ng
5*E]ETo@R
1.4 MOS瞬态特性 O|\J}rm'
dUsYZdQs
MOS器件按比例缩小 .+qQYDEw
2.1 按比例缩小理论 RwKdxK+;
05z,b]>l
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 6tB+J F
n\QgOSr<
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 0Z~p%C<LW
ao%NK<Lt
2.4 VLSI发展的实际限制 9`wZz~hL"
w0ht
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应
5Ec6),+&
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 prYs
$j
!LggIk1
3.2 CMOS IC 工艺流程 }&/o'w2wY
l H#u
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 K17j$o^6KK
p qfUW+>
CMOS反相器和CMOS传输门 O?)3VT*
4.1 CMOS反相器的直流特性 IHe/xQ@
u2[iM d
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 J]v%q,"
e91aK
4.3 CMOS 反相器的功能 7{e% u#
{wO3<9
4.4 CMOS反相器设计 ~R_ztD+C(
H(bs$C4F
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 EKA#|^Q:NX
,u!*2cWN
4.6 CMOS传输门 ' qWALu
+g` 'J$
CMOS静态逻辑电路设计 6qRx0"qB
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 M*z~gOZ
d\p,
2
5.2 CMOS与非门的分析 v\!Be[ ?
=4[v3Qx
5.3 CMOS或非门的分析 ko Z
l;JA8o\x
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 Qy.w=80kf
3AQZRul
5.5 组合逻辑电路的设计 v5By :z
lL{5SH<Q
5.6 类NMOS电路 {U!8|(
F{EnOr`,m=
5.7 传输们逻辑电路 CZ(/=3,3n
6b+b/>G0
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 OJ/,pLYu
)#.<]&P }
动态和时序逻辑电路设计 G>wqt@%r9
6.1 动态逻辑电路的特点 9:,V
5n
=
hJDi7P
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 >iD )eB
sA'6ty
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 c.,2GwW
^zt-HDBR_
6.4 时钟CMOS(C2MOS) @r#v
[I
Q.]}]QE
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 %7"X(Ts7B
sB^<6W!`(
6.6 CMOS触发器 Ys,{8Y,7
gA:
5M
6.7 时序逻辑电路 )=AHf?hn
J]&y$?C
输入、输出缓冲器 I9:Cb)hbU]
7.1 输入缓冲器 o'W5|Gy
blTo5NLX
7.2 输入保护电路 r
:F
CAcS~ "
7.3 输出缓冲器 xER\ZpA:,
7b<je=G6PA
7.4 脱片输出驱动级的设计 \8<BLmf4U
yto,>Utzg
7.5 三态输出和双向缓冲器 :{IO=^D=$
~$p2#Aq
X
MOS存储器 hO';
{Nl/$
8.1 DRAM Z\HX~*,6
z)9wXo#~
8.2 SRAM L{(QpgHZ
Y7vA`kjD-C
8.3 ROM和PLD iVd.f
A
i { \%e
MOS IC的版图设计 P#fM:z@[
9.1 VLSI的设计方法 U7I qST
;gs
^%z
9.2 门阵列和标准单元设计方法 /)dFK~
u%/goxA
9.3 版图设计 mExVYp h
:PtF+{N>
SOICMOS简介 tUgEeh6
10.1 SOI CMOS工艺 t`+'r}=d
~M\I;8ne
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 v@wb"jdFi$
7^Ns&Q
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 X`fn8~5
h+a S4Q&
BiCMOS电路 1
}tbH[
11.1 MOS和双极型器件性能比较 <0S,Q+&
k%E2n:|*
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 KID,|K
ak:ibV
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ?gwUwOV"
7{xh8#m
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 (
XXheC
:<Fe
11.5 BiCMOS电路实例 5*0y7K/D
Y&
F=t/U2
MOS 逻辑集成电路(续) MNg^]tpf
nMOS逻辑集成电路 <ERB.d!
6-1 电阻负载MOS倒相器 @c~)W8
'(dz"PL.
6-2 E/E MOS 倒相器 2CzaL,je[
TO-nD>
6-3 自举负载MOS 倒相器 lw :`M2P,
[|lB5gi4t!
6-4 E/D MOS 倒相器 l$YC/bP
vAX|hwn;
6-5 静态MOS电路 YOrrkbJ(
de]z T^&C
CMOS集成电路 r)T:7zy
7-1 CMOS 倒相器 sO5?aB&
o=RM-tR`v
7-2 CMOS传输门 8v71e>
LPwT^zV&N
7-3 静态CMOS 电路 fl;s9:<
0[F:'_
7-4 CMOS 门电路的设计 @m?QR(LJ
!J=sk4T
7-5 CMOS电路中的锁定效应 a,o_`s<
<jS~ WI@
动态和准静态MOS电路 (Z}>1WRju
8-1 栅电容的电荷存储效应 @vMA=v7a
fgj^bcp-
8-2 动态MOS倒相器 {} Bf
KIeT!kmDl
8-3 动态MOS电路 ]?h`:,]
}P3tn
8-4 准静态MOS触发器 4 V1bLm
!m(4F(!"h
8-5 动态和准静态CMOS电路 >|Q:g,I
SI_iI 71
MOS集成电路的版图设计 zKFp5H1!%+
9-1 MOS集成电路的工艺设计 `mH %!{P
]MtFf6&
9-2 MOS集成电路版图设计 0Y]0!}
~dHM4lGY
9-3 MOS集成电路版图设计举例 (]*H[)F/
3K@@D B6
MOS大规模集成电路 B$?qQ|0:=
10-1 LSI电路中的CAD技术 /Jf~25F
ZAuWx@}
10-2 HMOS技术 t!1$$e?`r
Y`6rEA0
10-3 MOS存储器 fWGOP~0
T88Y
qI
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 +]:2\TTGI
iv(5&'[p
10-5 半定制逻辑电路 ZiFooA
Oq(VvS/
模拟集成电路 uqyB5V0gh
模拟集成电路中的特殊元件 d h^^G^
11-1 横向pnp管 5wC* ?>/
iF+
RnWX\
11-2 纵向pnp管 >i,iOx|E-
Z<b"`ty.
11-3 超增益晶体管 O(H1 P[
?lCd{14Mkh
11-4 隐埋齐纳二极管 RAs
0]K
FrTg4
11-5 集成电路中的电容器 ^a9 oKI9n
w8~K/>!f
11-6 薄膜电阻器 J#3{S]*v_
1D([@)^
模拟集成电路中的基本单元电路 9vGs;
12-1 差分放大器 c
X2^wu
T9y;OG
12-2 恒流源电路和有源负载 M"^K0 .
SjcL#S($&Y
12-3 基准源电路 w3*-^: ?j
h=RDO
12-4 模拟开关 =)<3pG O
*8g<R
集成运算放大器 X.|Ygx
13-1 运算放大器的基本概念 0^ !Gib
h%#_~IA:|
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 \x\.
h#f&|*Q5m
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 @
6xGJ,s
)q?
$p9
13-4 µA741通用型运算放大器 -]"T^wib
9fVj
8G
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 %JoxYy-
w{7ji}
模拟集成电 c]m! G'L_/
14-1 集成电压 CUhV$A#oo
2*[Un(
14-2 D/A转换器 J1 tDO?
*%- ?54B
14-3 A/D转换器 LF=c^9t
LcUlc)YH5
14-4 MOS模拟集成电路 j 2}v}
U )Zt-og
模拟集成电路的版图设计 zHFTCL>"
15-1 模拟集成电路版图设计特点 <?|6*2_=
lBiovT
15-2 模拟集成电路中的相容技术 0$Ff#8
|zMqJ.qu
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 bXl
8v
BMjfqX
2004.7.7