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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 Dkay k  
b/:9^&z  
第一篇MOS 逻辑集成电路 y#F( xm+L  
v(W$\XH  
MOS晶体管工作原理 J(ZYoJ  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 y))d[ 1E  
#K.OJJ aG  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 =Bcwd7+  
X=USQj\A  
1.3 MOS晶体管的电流方程 1Jg&L~Ws"  
+)k%jIi!  
1.4 MOS瞬态特性 /oKa?iT  
5tdFd"oo  
MOS器件按比例缩小 9_)*b  
2.1 按比例缩小理论 wa-#C,R\_#  
HJ?p,V q5_  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 48vKUAzx`  
a'u:1C^\  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 Vr@I9W;D#  
\=Rw/[lR  
2.4 VLSI发展的实际限制 f40xS7-Q0  
!LB#K?I  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 bHZXMUewC  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 _Cn[|E  
d|#sgGM<8  
3.2 CMOS IC 工艺流程 -X BD WV  
= i9|lU"Va  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ncZ5r0  
}TE4)vXs  
CMOS反相器和CMOS传输门 xc{$=>'G  
4.1 CMOS反相器的直流特性 kEiWE|  
UP]X,H~stU  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 KYBoGCS>  
0} v_u sP  
4.3 CMOS 反相器的功能 -=5]B ;  
&(&5ao)5  
4.4 CMOS反相器设计 L-SWs8  
(Klvctoy  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 .YOC|\  
J; @g#h?  
4.6 CMOS传输门 BO]}E:C9  
~Psv[b=]  
CMOS静态逻辑电路设计 cvSr><(  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 q8 jI y@  
=XAFW  
5.2 CMOS与非门的分析 W<']Q_su  
9qe<bds1  
5.3 CMOS或非门的分析 FQ6jM~  
8":O\^i  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 U`*L`PM  
L`"B;a&  
5.5 组合逻辑电路的设计 >U4hsr05  
(zv)cw%  
5.6 类NMOS电路 Fkq;Q  
<Wz+f+HC  
5.7 传输们逻辑电路 #}y(D{zc  
$)(K7> P  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 O\;R (  
iRwlK5(&  
动态和时序逻辑电路设计 2p6`@8*34  
6.1 动态逻辑电路的特点 85fv])\y  
4I %/}+Q  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ICbT{Mla  
ZA;VA=)\8  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 'OERW|BO  
P. V #  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) !X 8<;e}2  
b0vbE8wa  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 OI0tgkG  
%\uEV  
6.6 CMOS触发器 gJn_Z7MgJ  
Y$L>tFA  
6.7 时序逻辑电路 BAQ;.N4  
Wd 0$t    
输入、输出缓冲器 q1d'L *   
7.1 输入缓冲器 Ku  W$  
0'{`"QD\IW  
7.2 输入保护电路 @C}Hx;f6  
5[1#d\QR  
7.3 输出缓冲器 p]7Gj &a  
p| #gn<z}  
7.4 脱片输出驱动级的设计 *C0gpEf9S  
tFYIKiq2  
7.5 三态输出和双向缓冲器 OR\-%JX/5  
s\-^vj3  
MOS存储器 _`Abz2s  
8.1 DRAM BhMHT :m  
l5jW`cl1  
8.2 SRAM d\cwUXf J  
@c8s<9I]  
8.3 ROM和PLD ;[_w&"[6a  
-}ebn*7i\  
MOS IC的版图设计 jH*+\:UP-  
9.1 VLSI的设计方法 r|Y|u v0  
,x+_/kqx  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 {C%/>e2-%  
u+]v. Mt  
9.3 版图设计 Qa,^;hZWS  
(u]ajT  
SOICMOS简介 ta+'*@V +G  
10.1 SOI CMOS工艺 B[ f{Ys  
?= <vC  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 hfY Ieb#91  
*JG?^G"l  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 blZiz2F  
(k"oV>a|  
BiCMOS电路 tR5zlm(}  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 _%s_w)  
Y2Mti- \  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 z[Kxy1,  
g1\4Jb  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 Gvt.m&_  
I}Z [F,}*J  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 Y#PbC  
~?vm97l  
11.5   BiCMOS电路实例 { e2 (  
?B %y)K  
MOS 逻辑集成电路(续) yXNE2K  
nMOS逻辑集成电路 -e%=Mpq.  
6-1 电阻负载MOS倒相器 .i/]1X*;r^  
`QR2!W70o3  
6-2 E/E MOS 倒相器 8'*z>1ZS5  
F|V_i C+  
6-3 自举负载MOS 倒相器 ~0fT*lp  
mf@YmKbp  
6-4 E/D MOS 倒相器 m7kDxs(KO  
Ii*v(`2b  
6-5 静态MOS电路 )QTk5zt  
v %&f00  
CMOS集成电路 _dsd{&  
7-1 CMOS 倒相器 ;0xCrE{l"  
ru(Xeojv#  
7-2 CMOS传输门 Ats"iV  
z.Y7u3K.8  
7-3 静态CMOS 电路 *8/Q_w  
\\hZlCV,  
7-4 CMOS 门电路的设计 )dF(5,y)  
>o 3X)  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 '[Oi_gE.  
'cw0FpQ;  
动态和准静态MOS电路 I6y&6g  
8-1 栅电容的电荷存储效应 0 nWV1)Q0=  
cw"x0 RS  
8-2 动态MOS倒相器   Kz3u  
w,3`Xq@  
8-3 动态MOS电路 K!I]/0L  
tsfOPth$*  
8-4 准静态MOS触发器 ^ ?tAt3dMI  
A$XjzTR  
8-5 动态和准静态CMOS电路 i'e^[ oZ  
$Q{1^  
MOS集成电路的版图设计 6-KC[J^Xo  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 i;)g0}x`  
5)$U<^uy  
9-2 MOS集成电路版图设计 {]D!@87  
n+Ag |.,|  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 n"FOCcTIs  
)&dhE^ O  
MOS大规模集成电路 cC}s5`  
10-1 LSI电路中的CAD技术 3Vw%[+lY9  
y'@l,MN{  
10-2 HMOS技术 FJU)AjS~  
\o  % ES  
10-3 MOS存储器 VsZ_So;  
zi-+@ 9T  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ok6e=c '  
~ml\|  
10-5 半定制逻辑电路 8OFrW.>[  
Y}?@Pm drz  
模拟集成电路 23OV y^b  
模拟集成电路中的特殊元件 teB {GR  
11-1 横向pnp管 YKx0Zs  
]cA~%$c89s  
11-2 纵向pnp管 d.} rn"(z  
unX^MPpw  
11-3 超增益晶体管 @<6-uk3S  
<bjy<98LT  
11-4 隐埋齐纳二极管 &qpA<F@7  
B}FF |0<  
11-5 集成电路中的电容器 xeH# )QJt  
)Z_i[1V  
11-6 薄膜电阻器 NkJ^ecn%)  
ueg X   
模拟集成电路中的基本单元电路 .Lp-'!i  
12-1 差分放大器 LtU+w*Gj  
xD#/@E1'Y  
12-2 恒流源电路和有源负载 zSH#j RDV  
bc"N  
12-3 基准源电路 K@,VR3y /  
> @%!r  
12-4 模拟开关 C,]Ec2  
3TtW2h>M  
集成运算放大器 cs5Xd  
13-1 运算放大器的基本概念 w '"7~uN  
1_QO>T'  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 p(8\w-6  
;uDFd04w [  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Uoe?5Of( *  
f1{ckHAY55  
13-4 µA741通用型运算放大器 + ThKqC_  
WDZi @9X_  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 <*+ M BF  
%'HUC>ChN  
模拟集成电 3{l"E(qqZ  
14-1 集成电压 U&XoT-p$L  
*8p</Q  
14-2 D/A转换器 5-*]PAC  
4l*&3Ar  
14-3 A/D转换器 Sf8d|R@O  
vn<S"  
14-4 MOS模拟集成电路  #L)rz u  
OOCeZ3yF(  
模拟集成电路的版图设计 [oj"Tn(  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 K?4(ou  
~-+Zu<  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 IoA;q)  
DtZm|~)a  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 )VT/kIq-U  
ho1F8TG=  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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