华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 mMZ=9 ?m
kVW rZ>McK
第一篇MOS 逻辑集成电路 ^l(, '>Cn
K~&3etQF
MOS晶体管工作原理 mV7_O//
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ieEt C,U
UQ e1rf
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 y}Qq S
/
10dK%/6/O
1.3 MOS晶体管的电流方程 H b!A\; >
Dx r4B<
1.4 MOS瞬态特性 %&O'>L
@$ )C pg
MOS器件按比例缩小 jN+2+P%OL
2.1 按比例缩小理论 D1fUEHB}A8
:OaGdL
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 3v~}hV/RUy
w/0;N`YB
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 H,fVF837
+zFEx%3^
2.4 VLSI发展的实际限制 l~`JFWur]
iHOvCrp+X
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 nqujT8
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 `X wKCI
E'_$?wWn 5
3.2 CMOS IC 工艺流程 H h;o<N>U
.*w3 ryQ
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 |G
>Lud
u !VY6y 7p
CMOS反相器和CMOS传输门 PxZMH=
4.1 CMOS反相器的直流特性 yNmzRH u
bMF`KRP2
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 2Y{r2m|o
*Ry
"`"
4.3 CMOS 反相器的功能 'WQ<|(: {
+QVe -
4.4 CMOS反相器设计 )SFy Q
* d[sja+
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 O 0#9D'{
< {dV =
4.6 CMOS传输门 5 l(Q#pS X
ZnYoh/
CMOS静态逻辑电路设计 o8lwwM*
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 .EQ1r 7
9,
eMC0
)B
5.2 CMOS与非门的分析 q!zsGf {
%7bZnK`C
5.3 CMOS或非门的分析 X>y6-%@
En j],I
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 i^'Uod0d.
#/ Qe7:l
5.5 组合逻辑电路的设计 2 r=A'
^d2bl,1
5.6 类NMOS电路 Pa !r*(M)C
\hwz;V.J"
5.7 传输们逻辑电路 ~?)ST?&
%v(\;&@
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 c);(+b
UE9r1g`z
动态和时序逻辑电路设计 `o~ 9a N
6.1 动态逻辑电路的特点 ;tF7 GjEp
%r*zd0*<n1
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ,4wZ/r>
d
A,T3%TE
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 z;_d?S <*m
Nz&J&\X)tD
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 2ajQ*aNq
E3 0VKh |
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 v?7.)2XcX
sGCV um}
6.6 CMOS触发器 :B<lDcFKJ
&z F1&J58z
6.7 时序逻辑电路 ~pqp `
<o_H]c->
输入、输出缓冲器 b7/1 ]
7.1 输入缓冲器 shlL(&Py
Xa2QtJq
7.2 输入保护电路 5 s>$
A}b<L
g
7.3 输出缓冲器 XY5I5H_U
=J,aB p
7.4 脱片输出驱动级的设计 -, ~n| ceI
~<pGiW'w5
7.5 三态输出和双向缓冲器 9 z,?DBMvc
Xv'M\T}6C+
MOS存储器
_?3bBBy
8.1 DRAM 6P'
m0
PCs+`
WP!M
8.2 SRAM aIk%$M at
~_SV `io
8.3 ROM和PLD }@V(y 9K
W:P4XwR{
MOS IC的版图设计 ~?dPF;. 6_
9.1 VLSI的设计方法 <!&&Qd-d6H
j]6j!.1
9.2 门阵列和标准单元设计方法 `,&h!h((
`ejE)VL=8h
9.3 版图设计 (?&X<=|"
|-I[{"6q$@
SOICMOS简介 B5!$5 Qc
10.1 SOI CMOS工艺 &?*M+q34
ekfD+X
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 cp2e,%o
Ud
:v 3"1
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 .8l\;/o|
7[:9vY
BiCMOS电路 by& #g
11.1 MOS和双极型器件性能比较 9>qR6k ?
A5+vz u ^
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ~j mHzF kQ
r<Ll>R
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ju(&v*KA
Dq
Kk9s;6_
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 t&wtw
5Y"lr Y38
11.5 BiCMOS电路实例 myFj w@
F>)u<f,C
MOS 逻辑集成电路（续） $Dd IY}
nMOS逻辑集成电路 W j/.rG&tE
6-1 电阻负载MOS倒相器 l[l('
-f
D(s[=$zua
6-2 E/E MOS 倒相器 V(A6>0s$|
'u{m37ZJ
6-3 自举负载MOS 倒相器 Lc f =)GL
\D<rT
)Tl
6-4 E/D MOS 倒相器 sYiegX`1 c
ngcXS2S_
6-5 静态MOS电路 #]oVVf_
$xyG0Q.
CMOS集成电路 OnC|9
7-1 CMOS 倒相器 _0 USe
^UZEdR;
7-2 CMOS传输门 tEf_XBjKV
Q_euNoA0
7-3 静态CMOS 电路 9;k_"@A6
E# `=xg
7-4 CMOS 门电路的设计 K~5Q L/=1
x^qmYX$'1b
7-5 CMOS电路中的锁定效应 >; dMumX
r+217f S>
动态和准静态MOS电路 E5UI
8-1 栅电容的电荷存储效应 Ka&[
Oz<w
}a,j1r_Hl&
8-2 动态MOS倒相器 H`G[QC
~EG`[cv
8-3 动态MOS电路 wbshKkUh_*
<
->Nex
8-4 准静态MOS触发器 Kgbgp mW
o"- >R
C
8-5 动态和准静态CMOS电路 !5wm9I!5^
8 sZ~3
MOS集成电路的版图设计 X(U
CN0#
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ,di'279|
d&4]?8}=.
9-2 MOS集成电路版图设计 Jp= eh
t8DyS FT
9-3 MOS集成电路版图设计举例 7"Sw) )H|
$73 7o V<
MOS大规模集成电路 5:6as^i:b
10-1 LSI电路中的CAD技术 EYtf >D
lG/M%i
10-2 HMOS技术 `[p*qs p_
I ugYlt
10-3 MOS存储器 4HQP,
\Z-T )7S
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 4NT zK
o4,fwPkB
10-5 半定制逻辑电路 1OJD!juL$
=p ,+a/*
模拟集成电路 v!n\A}^:
模拟集成电路中的特殊元件 R("g ]
11-1 横向pnp管 qq" &Bc>
++d(}^C;
11-2 纵向pnp管 0g}+%5]yg
20750 G
11-3 超增益晶体管 X]ow5{e
gKy@$at&
11-4 隐埋齐纳二极管 tgX
Ij5z
[,[;'::=o4
11-5 集成电路中的电容器 Rp$t;=SMD
$Y.Z>I;
11-6 薄膜电阻器 T&Z%=L_Q
$0>>Z
模拟集成电路中的基本单元电路 2
<HG=iSf
12-1 差分放大器 CA%p^ 4Q
z
K`f X
12-2 恒流源电路和有源负载 t
I}@1
8:^`r w4a0
12-3 基准源电路 ,FR
FH8p
<YX )am'\y
12-4 模拟开关 NX7(;02
[<SM*fQ>t
集成运算放大器 y,&.<Yc
13-1 运算放大器的基本概念 H.`>t
fFP>$
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 f>.A^?
Hik8u!#P
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 {TT@Mkz_QC
vlYDhjZk#
13-4 µA741通用型运算放大器 3=o^Vv
S~j l%]
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 Uw R,U#d
}p-<+sFo
模拟集成电 MQ;c'?!5[!
14-1 集成电压 VB6EM|bphl
qh}M!p2
14-2 D/A转换器 3& Dl n
V9xZH5T8^
14-3 A/D转换器 VYw
vT0
+N0V8T%~z.
14-4 MOS模拟集成电路 ;)Rvk&J5
d{_tOj$
模拟集成电路的版图设计 0Yz
&aH
15-1 模拟集成电路版图设计特点 s8w7/ *<d
\(UEjlo
15-2 模拟集成电路中的相容技术 Jp)>Wd
B" N8NVn
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 O[+
