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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 F@g17aa  
9`&?hi49nK  
第一篇MOS 逻辑集成电路 aXC!t  
 "";=DH  
MOS晶体管工作原理 hMv2"V-X  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 S[Vtq^lU  
wXz\NGW  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 )GK+  
g#w`J \iz  
1.3 MOS晶体管的电流方程 V5~fMsse  
lHcA j{6  
1.4 MOS瞬态特性 _w mI(+_  
/ \d(c/,4  
MOS器件按比例缩小 DjY8nePyE  
2.1 按比例缩小理论 UAdz-)$  
grc:Y  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 @`6}`k  
V n^)  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 r|<6Aae&  
dIvy!d2l  
2.4 VLSI发展的实际限制 7N| AA^I  
Vu%n&uF  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 ^,`M0g\ $  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 CG.,/]_  
f9a$$nb3`  
3.2 CMOS IC 工艺流程 vTHq)C.7G  
1\y@E  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 d+0^u(gc!8  
"T7>)fbu  
CMOS反相器和CMOS传输门 @7%.7LK  
4.1 CMOS反相器的直流特性 \ADLMj`F|  
@y5=J`@=  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 Kr]z]4.d@  
YQYX,b  
4.3 CMOS 反相器的功能 F\-Si!~oOz  
p31oL{D  
4.4 CMOS反相器设计 7E\g &R.  
<aXoB*Y  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 l sr?b  
Zw#<E =\  
4.6 CMOS传输门 H99xZxHZ{  
:3O5ET'1  
CMOS静态逻辑电路设计 G|*G9nQ  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 CdL.?^  
QZ~0o7  
5.2 CMOS与非门的分析 x[x (y{&~  
$UC{"0  
5.3 CMOS或非门的分析 Zi*%* nX  
p/&HUQQk  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 3+V#[JBJv  
hl]S'yr  
5.5 组合逻辑电路的设计 GW/WUzK  
9`Vc  
5.6 类NMOS电路 RB;BQoGX  
oM-[B h]A  
5.7 传输们逻辑电路 *|KVN&#  
9.s,:?5e  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ] \dHU.i  
SiTeB)/  
动态和时序逻辑电路设计 niz'b]] +  
6.1 动态逻辑电路的特点 X~L!e}Rz  
;==j|/ERe  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 zJC EA  
VB"(9O]  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 tvpN/p  
L!y"d!6C  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) %/pc=i|+  
1Es qQz*$u  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 -_>.f(1  
x{hn2]6+eB  
6.6 CMOS触发器 Ep ">v>"  
g>n0z5&TNF  
6.7 时序逻辑电路 ir&.Z5=  
#pA[k -  
输入、输出缓冲器 eY}V9*.v  
7.1 输入缓冲器 >| m.?{^  
lT,+bU  
7.2 输入保护电路 .NnGVxc5*  
-J?~U2  
7.3 输出缓冲器 $ $4W}Ug3U  
'5rU e\k  
7.4 脱片输出驱动级的设计 DsQ/aG9c%  
- _t&+5]  
7.5 三态输出和双向缓冲器 L|\Diap  
[{cC  
MOS存储器 v8'5pLt"  
8.1 DRAM *rf$>8~$n  
UvB nf+,  
8.2 SRAM TB#N k5  
#{,h@g}W  
8.3 ROM和PLD <'2u a  
%g w{[ /[A  
MOS IC的版图设计 }4h0bI  
9.1 VLSI的设计方法 YoAg  
_6rKC*Pe1  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 dtTlIhh1V  
woau'7}XOu  
9.3 版图设计 !<r8~A3!(  
tcOnM w  
SOICMOS简介 5;Ia$lm=y  
10.1 SOI CMOS工艺 e /94y6*>  
`qu] Pxk  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 MaErx\  
&+- e  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 3 G d|YRtk  
%wW'!p-<  
BiCMOS电路 uV77E*+7\  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ZNL5({lv  
>76 |:Nq  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 ]!aUT&  
\Tkp  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 }]GbUC!Zb  
 XhA4:t  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 o9+Q{|r  
}) 7K S?  
11.5   BiCMOS电路实例 6[+j'pW?  
gh61H:tkR  
MOS 逻辑集成电路(续) pVz*ZQ[]  
nMOS逻辑集成电路 24X=5Aj  
6-1 电阻负载MOS倒相器 {u4i*udG`)  
y@ .b 4  
6-2 E/E MOS 倒相器 AY;<q$8j%,  
JWWInuH  
6-3 自举负载MOS 倒相器 8]]@S"ZM,\  
8_ X.c  
6-4 E/D MOS 倒相器 oG\>--  
|*1xrM:v~  
6-5 静态MOS电路 #[(gIOrNn8  
2-7Z(7G{ F  
CMOS集成电路 ?RJdn]`4j  
7-1 CMOS 倒相器 f}blB?e  
UO J*a1BM  
7-2 CMOS传输门 !mae^A1  
D}Au6  
7-3 静态CMOS 电路 -)>(8f  
SctJxY(}!  
7-4 CMOS 门电路的设计 8= pv/o  
p9Z ].5Pd"  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 $':JI#  
7?,7TR2Ny  
动态和准静态MOS电路 ~W3:xnBEk  
8-1 栅电容的电荷存储效应 e`;t<7*i  
y,V6h*x2  
8-2 动态MOS倒相器 y]7%$* <  
ov bEmb  
8-3 动态MOS电路 Ej{+U  
F$[)Bd/"  
8-4 准静态MOS触发器 D/cg7  
^glX1 )  
8-5 动态和准静态CMOS电路 <5M_EJp  
 w"BIv9N  
MOS集成电路的版图设计 WX ,p`>n  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 :Jm!=U%'Z  
'!AT  
9-2 MOS集成电路版图设计 p%tE v  
gt~9"I  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ;4l -M2  
28ja-1dB  
MOS大规模集成电路 :MK:TJV  
10-1 LSI电路中的CAD技术 /9P^{ OZ;y  
- Sx0qi'%  
10-2 HMOS技术 4{Q$!O>  
zaH 5 Km_j  
10-3 MOS存储器 J`4Z<b53  
?n2C  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Wa(W&]  
dJloH)uJZ>  
10-5 半定制逻辑电路 :DDO =  
EK^JLvyT  
模拟集成电路 " 98/HzR  
模拟集成电路中的特殊元件 UP}feN  
11-1 横向pnp管 >ze>Xr'm5=  
(qJIu  
11-2 纵向pnp管 Um/CR!  
uPI v/&HA  
11-3 超增益晶体管 < }<#W/  
5BrU'NF  
11-4 隐埋齐纳二极管 43+EX.c  
4 U3C~J  
11-5 集成电路中的电容器 2r %>]y  
?$UH9T9)  
11-6 薄膜电阻器 -b@v0%Q2M*  
qsD?dHi7  
模拟集成电路中的基本单元电路 SCgyp(  
12-1 差分放大器 ll^Th >  
&B?@@ 6  
12-2 恒流源电路和有源负载 5T~3$kuO  
98X!uh'  
12-3 基准源电路 t8L<x  
,h3269$J  
12-4 模拟开关 ,O$Z,J4VL  
D."cQ<sxpN  
集成运算放大器 suA+8}o]  
13-1 运算放大器的基本概念 W Atg  
%M|Z}2qv  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 MDMtOfe|  
i58ZV`Rk`  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ?|D$#{^  
lt@  
13-4 µA741通用型运算放大器 LXBbz;vYl  
`4q5CJ 2  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 aK8bKlZe  
#Tr;JAzVjG  
模拟集成电 [5>S-Z  
14-1 集成电压 BNAguAxWo  
0EL\Hd  
14-2 D/A转换器 {:};(oz)f  
;n(#b8r9  
14-3 A/D转换器 4A\BGD*5  
|<|28~#  
14-4 MOS模拟集成电路 WUE)SVf  
]jVIpGM  
模拟集成电路的版图设计 t*Z .e.q+  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 !$:0E y(S  
Hrd5p+j  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 }aHB$}"!  
ql#{=oGDnA  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 8]cv&d1f  
1M%{Uqsd-  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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