华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 p]-\\o}
~5Cid)Q}@o
第一篇MOS 逻辑集成电路 >& z=ktB
OrJuE [R.
MOS晶体管工作原理 ;;#_[Zl
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 2`?58 &
7`c\~_Df_
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Hv~& RZpe
Fzc8) *w
1.3 MOS晶体管的电流方程 ~g|Z6-?4Jj
3;hztC Zj
1.4 MOS瞬态特性 +' lj\_n
l[AQyR1+/
MOS器件按比例缩小 k"z ~>
2.1 按比例缩小理论 i a Aj|:
6Bop8B
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 X^td`}F/=V
,DZo E~
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 e` QniTkT
5vmc'Om
2.4 VLSI发展的实际限制 r+D ?_Lk
S#{jyU9 ]
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 sYG:\> }ie
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 s<XAH7?0
aWCZ1F
3.2 CMOS IC 工艺流程 T@ 4R|P&{)
~\oF}7l$
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 t4P`#,:8
W0 n?S
"
CMOS反相器和CMOS传输门 C$+z1z.!
4.1 CMOS反相器的直流特性
L* 0$x
0aRHXc2<
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 &}y?Lt
Ct<]('Hm(
4.3 CMOS 反相器的功能 J85S'cwZZ
*/6lyODf
4.4 CMOS反相器设计 M/mm 2?4
&Yklf?EZ>Q
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 DuMzK%
_yRD*2 !;
4.6 CMOS传输门 Iysp)
`6:B0-r
CMOS静态逻辑电路设计 bk=ee7E7>
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 Ab
In\,x
UasU/Q <
5.2 CMOS与非门的分析 t } YT
+S
k.ttrKy<q/
5.3 CMOS或非门的分析 G` Df'Yy
Fy$f`w_H@
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 h 5Ee*D e
< 2SWfH1>
5.5 组合逻辑电路的设计 8Drz
i!
}
d.0K~M
5.6 类NMOS电路 }n( ?|
NZ"nG<;5
5.7 传输们逻辑电路 mKBO<l{S
EeR} 34
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 }a% 1$>sj
_CMNmmp`e
动态和时序逻辑电路设计 FuM:~j
v
6.1 动态逻辑电路的特点 }/lyrj V
mxE
<
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 cLf<YF
bC /Ql
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路
p ,.6sk
5eiKMKW[
6.4 时钟CMOS(C2MOS) \U3v5| Q
9:*[Q"
v
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 =4$ErwI_dm
xnf J ruT
6.6 CMOS触发器 l,* 5*1lM
JOz4O
6.7 时序逻辑电路 I^n DO\m <
Bi2 c5[3
输入、输出缓冲器
gyb99c,)
7.1 输入缓冲器 snWe& -
Y1ks'=c>
7.2 输入保护电路 >(-A"j f
v;`>pCal
7.3 输出缓冲器 tY>Zy1hlI
,kf.'N
7.4 脱片输出驱动级的设计 5r mU
9L
+4
h!;i
7.5 三态输出和双向缓冲器 1Au+X3
xKl1DIN[
MOS存储器 @H<*|3J
8.1 DRAM &=x4M]t9L
f
Zj,Q#}D
8.2 SRAM , /%'""`w
@TQ/Z$y
8.3 ROM和PLD :EAh%q
co~NXpqg
MOS IC的版图设计 B;?)X&n|X
9.1 VLSI的设计方法 2l O(f+
f@$W5* j
9.2 门阵列和标准单元设计方法 x1? mE)n]
[@ev %x,
9.3 版图设计 pY@QR?
F\
oOaFA+0x
SOICMOS简介 lOp. c
U
10.1 SOI CMOS工艺 -iS^VzI| I
+8C }%6aX
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 jLVG=rOn
}%8ZN :
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 `!/[9Y#H p
c )LG+K
BiCMOS电路 L7 Hv )
11.1 MOS和双极型器件性能比较 kqm (D#
0\{dt4nW&O
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 @t~y9UfF
1,%`vlYv
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 .@E5dw5
fJ[ ^_,O
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 XQ]vJQYIR
aWIkp5BFj
11.5 BiCMOS电路实例 ) b #5rQ
vt{[_L(h
MOS 逻辑集成电路（续） Ik$$Tn&;
nMOS逻辑集成电路 n2bhCd]j<b
6-1 电阻负载MOS倒相器 \Q|-Npw
U- 9Aq
6-2 E/E MOS 倒相器
5[Vr {^)
OUi;f_*[r
6-3 自举负载MOS 倒相器 ]]P NYa
bRxI7 '
6-4 E/D MOS 倒相器 bE/|&8
k_,7#:+
6-5 静态MOS电路 YWK0.F,8a
o>r
P\
CMOS集成电路
p>7qyZ8
7-1 CMOS 倒相器 dn#I,xa`
?Fl}@EA#M
7-2 CMOS传输门 m"n74 cxS
t2o{=!$WH
7-3 静态CMOS 电路 'z.
GAR
x"Ky_P~
7-4 CMOS 门电路的设计 | Gf<Ql_.4
r >'tE7W9
7-5 CMOS电路中的锁定效应 <-v
zS;
KEOk%'c,
动态和准静态MOS电路
`Eh>E,
8-1 栅电容的电荷存储效应 hI:.Qp`r
8gP1]xD
8-2 动态MOS倒相器 }=/zG!+
zWEPwOlI1P
8-3 动态MOS电路 =wh[D$n$~
4/b.;$
8-4 准静态MOS触发器 `j>5W<5q\
L+8ar9es
8-5 动态和准静态CMOS电路 Me .I>7c
pN[WYM?[
MOS集成电路的版图设计 spV7\Gs.@
9-1 MOS集成电路的工艺设计 .
^wpf S
q 6> eb
9-2 MOS集成电路版图设计 KR>)Ek
o]<Z3)
9-3 MOS集成电路版图设计举例 pp@
Owpb
\V>5) R n
MOS大规模集成电路 [Z$H <m{c-
10-1 LSI电路中的CAD技术 `WayR^ 9
.TGw+E1k
10-2 HMOS技术 ~&<#H+O
Hm2Y%
4i%
10-3 MOS存储器 YbZbA >|
$r!CQ 2S
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ["3dr@T9Z
`;UWq{"
10-5 半定制逻辑电路 ok\-IU?
8& 2 +=<Q~
模拟集成电路 XO
<0;9|
模拟集成电路中的特殊元件 L I<S
11-1 横向pnp管 I\mF dE
jo e)b
11-2 纵向pnp管 h1_Z&VJ
RIMSXue*Ha
11-3 超增益晶体管 : B^"V\WE
]X6<yzu&+l
11-4 隐埋齐纳二极管 {'IO
` s7pM
11-5 集成电路中的电容器 >5FTB e[D
4# IT" i
11-6 薄膜电阻器 p>tkRA?lk
IJ J p5[w
模拟集成电路中的基本单元电路 #~
x7G
12-1 差分放大器 "9caoPI0~
~Zr}QO}G
12-2 恒流源电路和有源负载
>Z!!` 0{
b?}mQ!
12-3 基准源电路 23? u_?+4i
;I4vPh5Q
12-4 模拟开关 B7f<XBU6>
6|eqQ+(A
集成运算放大器 A)U"F&tvm
13-1 运算放大器的基本概念 x9 > ho
z x-[@G
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 I-R 7+o
?\Z pVL<>
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 [BE_^d5&
:BPgDLL,
13-4 µA741通用型运算放大器 $'V^_|EL7
<odi>!ViH
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 RhowhQ) G
p7|I>8ur.
模拟集成电 rCw 4a?YS
14-1 集成电压 $
\u\ 4 n
=
2 HY]H
14-2 D/A转换器 MN<LZC% $
AY52j
14-3 A/D转换器 liS'
N?qETp -:
14-4 MOS模拟集成电路 d ~ M;
ClKWf\(ii6
模拟集成电路的版图设计 6:2* <
15-1 模拟集成电路版图设计特点 qra XAQ
LaJ
vPOQ
15-2 模拟集成电路中的相容技术 V 48_aL
}uIQ@f`
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 &| (K#|^@
?6_]^:s
2004.7.7
