华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 y$
bY
8L
x:4R?!M.
第一篇MOS 逻辑集成电路 9_d# F'#F
IY8<
^Q']
MOS晶体管工作原理 iLJ @oM;2
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 T
iL.py,
!hM`Oe`S
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 gE
$Uv*Gj
rQlQ^W$=?
1.3 MOS晶体管的电流方程 N%>h>HJ
szhSI
1.4 MOS瞬态特性 L fc y#3!
n"aF#HR?0d
MOS器件按比例缩小 ^^7@kh mNl
2.1 按比例缩小理论 pZeO dh
uq-`1m }
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Li|~% E1
0Fon`3(^\
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 1goRO
(B$>o.(JA
2.4 VLSI发展的实际限制 xRgdU+,Mj
wT- <#+L\
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 ](Wa:U}Xs
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 C P&u
6'N_bNW
3.2 CMOS IC 工艺流程 ps:`rVQ7
(pv}>1
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 0iZeU:FE
RD)Vb$.B:
CMOS反相器和CMOS传输门 7] 1a3Jk
4.1 CMOS反相器的直流特性 Z ] G#:
GVlT+Rs7
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 g9JZ#B gZ
k) Lhzr[
4.3 CMOS 反相器的功能 s+fxv(,"c
7< )
4.4 CMOS反相器设计 |hi,]D^K c
v'?o#_La+
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ]ne bL{}5
:w5g!G?z
4.6 CMOS传输门 w.J$(o(/
L
-}Uj^yF
CMOS静态逻辑电路设计 3b0|7@_E
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 y0T#Qq
fUY05OMZ
5.2 CMOS与非门的分析 ge?or]T1S
Tq )h AZ
5.3 CMOS或非门的分析 %>9L}OA m
Wp:vz']V
5.4 CMOS与非门与或非门的设计
<a=O
iY
`@1e{ ?$
5.5 组合逻辑电路的设计 MbInXv$q2/
F7b%
x7b
5.6 类NMOS电路 aN*{
nW
}0anssC
5.7 传输们逻辑电路 m='}t \=
GJQ>VI2cY
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 :tnW ivrwR
| Z7 j
s"
动态和时序逻辑电路设计 B-KMlHe
6.1 动态逻辑电路的特点 =$y J66e
Q=DMfJ"
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 n!8W@qhew
03zt^<
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 4<Pup J
*$DD+]2
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ' ,]Aj!q
Qt>kythi
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 d(RMD
Y7q Q` |
6.6 CMOS触发器 I;wxgWOP
F[jqJzC z
6.7 时序逻辑电路 +p jB/#4
VrfEa d
输入、输出缓冲器 &XI9%h9|
7.1 输入缓冲器 _](y<O^9yO
9-_Lc<
7.2 输入保护电路 VCnf`wZB"
<zTz/Hk`
7.3 输出缓冲器 :~W(#T ,$E
V"K. s2U^
7.4 脱片输出驱动级的设计 gs i2
a[j]fv*6
7.5 三态输出和双向缓冲器 4:O.x# p
' CJ_&H R
MOS存储器 .+?]"1>]
8.1 DRAM 5$> buYF
gG.+3=
8.2 SRAM <Pe'&u
e&ZH 1^O
8.3 ROM和PLD $}S0
LZ_H
G[>C Bh5
MOS IC的版图设计 |cu KC \
9.1 VLSI的设计方法 !
,H6.IH;S
uhaHY`w
9.2 门阵列和标准单元设计方法 _^RN$4.R>
"mU2^4 q
9.3 版图设计 RHv K Wt
n,-*$~{
SOICMOS简介 s{X+0_@Q
10.1 SOI CMOS工艺 6 q0)/|,@
+5R 8mbD!
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 fh1-]$z`~
As^eL/m2L
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 B 2_fCSlg
]JmE(Y1(1
BiCMOS电路 Q=[ IO,f
11.1 MOS和双极型器件性能比较 r ~,3
-<T> paE9
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 qn{9vr
4pcIH5)z
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 l;aO"_E1m
r t )[}+ox
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 %|R]n B
e!C,<W&B\
11.5 BiCMOS电路实例 { VM ^K1
,%V%g!6{
MOS 逻辑集成电路（续） r`+ G9sj3U
nMOS逻辑集成电路 $ Grk{]nT
6-1 电阻负载MOS倒相器 ,CqGO %DY
"18cD5-#
6-2 E/E MOS 倒相器 F 6+4Yy+
~ `{{Z&
6-3 自举负载MOS 倒相器 !{g>g%2!
@qA11C.hq
6-4 E/D MOS 倒相器 pd.pY*B<[
Tz\v.&? $
6-5 静态MOS电路 a`C2:Z23(#
nU2w\(3|
CMOS集成电路 o> 1+m
7-1 CMOS 倒相器 k$7Kz"
`'bu8JK
7-2 CMOS传输门 >pq=5Ha&
.=Uu{F
7-3 静态CMOS 电路 9! Fg1 h=
>#.du}t
7-4 CMOS 门电路的设计 #Qu |9Q[QH
^'b\OUty-
7-5 CMOS电路中的锁定效应 7Mh!@Rd_V
Q$yQ ^ mG
动态和准静态MOS电路 eF Qz G+/
8-1 栅电容的电荷存储效应 ,LU|WXRB
Y5 mk*Q#q
8-2 动态MOS倒相器 gm: xtN
2P|j <~JS
8-3 动态MOS电路 @ Ps 1.
{^R" V ,)
8-4 准静态MOS触发器 "@jYZm8
R]S !PSoL
8-5 动态和准静态CMOS电路 S^5Qhv
=MmAn jo
MOS集成电路的版图设计 F aG&U
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ,@8*c0Y~<!
u&o<>d;)
9-2 MOS集成电路版图设计 H5A7EZq}`
OI^qX;#Kd
9-3 MOS集成电路版图设计举例 OlsD
p$XvVzW#<
MOS大规模集成电路 6e K7Jv\K
10-1 LSI电路中的CAD技术 mk3,ke8
ZBc8 ^QZ
10-2 HMOS技术 G mmh&Uj
[85tZr]
10-3 MOS存储器 BIjkW.uf
Mg\8m-L^
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 [T
2!,D.
$1|65j[e
10-5 半定制逻辑电路 j <d,
7
%07vH&<C.
模拟集成电路 F@-8J?Hl:
模拟集成电路中的特殊元件 g_(O7
11-1 横向pnp管 #> ">fs]
h"ATRr^
11-2 纵向pnp管 Vx=tP.BO]
LP/ /\E_]
11-3 超增益晶体管 3 E!F8GZ
V`"Cd?R0 Z
11-4 隐埋齐纳二极管 ?p &Xf>K
i dY
Xv)R
11-5 集成电路中的电容器 O?qM=
W
6JE_rAab
11-6 薄膜电阻器 v2f|%i;tq
bHioM{S
模拟集成电路中的基本单元电路 g"X!&$ &
12-1 差分放大器 ?q}:ojrs1
Z"
dU$ ,n
12-2 恒流源电路和有源负载 l#3 jJn
6@ =ipPCR
12-3 基准源电路 li%A?_/m<&
#8a k=lL
12-4 模拟开关 OBnvY2)Ri
\-{ 2E
集成运算放大器 E[>A# l53
13-1 运算放大器的基本概念 hU 5_ dV
;~ Q `TWC
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 <y,c.\c!
F)=*G a
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 9mB] \{^
B8?j"AF
13-4 µA741通用型运算放大器 dRX rI
OA&r8WK3
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 i6xzHfaYG
So}pA2[0
模拟集成电 !>6`+$=U
14-1 集成电压 p}|<EL}Z9
G PL^!_
14-2 D/A转换器 G C p90
gyOAvx
14-3 A/D转换器 a!;CY1>
mN 'sJ1L-
14-4 MOS模拟集成电路 8n/[oDc ]
dX DuO
模拟集成电路的版图设计 `i6q\ -12n
15-1 模拟集成电路版图设计特点 M0woJt[&
)?k~E=&o
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ?
)e6 :T(
Q,R|VI6Co
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 NtQ#su$
L+0O=zJF
2004.7.7
