华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 !a%_A^t7
n;.);
第一篇MOS 逻辑集成电路 j3?@p5E(
` a
pCu
MOS晶体管工作原理 zb!RfQ,
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 [;C*
9Nl
6D4u ?P,
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 *u >[
}f6_ 7W%5
1.3 MOS晶体管的电流方程 DnB :~&Dw
Z7MGBwP(
1.4 MOS瞬态特性
*APTgX YR
f Ln s^
MOS器件按比例缩小 ukee.:{
2.1 按比例缩小理论 NF*Z <$ '%
<)oW
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 2B=BRVtSs
OJ#
d
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 #ChF{mh
(;nh?"5
2.4 VLSI发展的实际限制 $viZ[Lu!m
[jKhC<t}
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应
7Y1FFw |
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 { =IAS}
]6?6 k4@
3.2 CMOS IC 工艺流程 pJ@D}2u(
&>Nw>V
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ALp|fZ\vp
Wtj* Z.=:
CMOS反相器和CMOS传输门 ggzcANCD<
4.1 CMOS反相器的直流特性 6Iv &c2
ks(BS k4
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 vqJq=\ .m
^[hx`Rh`t
4.3 CMOS 反相器的功能 Au{J/G<W@
%2`.*]L
4.4 CMOS反相器设计 !s[[X5
j4]y(AA
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 "|d# +C
LCemM; o
4.6 CMOS传输门 '
"]U+aIg
u:%Ln _S
CMOS静态逻辑电路设计 tE;c>=>t
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 qPgny/(
)cB O_
5.2 CMOS与非门的分析 cPPTGpqw
ix_&<?8
5.3 CMOS或非门的分析 |sPUb;&~
jF0>w m
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 e3]v
*<bj
T 8 >aU
5.5 组合逻辑电路的设计 S0!w]Ku
4>(rskl_
5.6 类NMOS电路
v] hu5t
O c%W_Gb7
5.7 传输们逻辑电路 WXe]Q b
g
QEc4l[^{.B
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 -qdt$jI M
2[g kDZ
动态和时序逻辑电路设计 cSYMnB
6.1 动态逻辑电路的特点 g,s^qW0vds
Z^_gS&nDa~
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 . pyNET
)w,<XJhg`
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ~ ;ObT=
j?1wP6/NP
6.4 时钟CMOS(C2MOS) Ix+eP|8F
< "{VVy K
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 $0|`h)&
iAZbh"I
6.6 CMOS触发器 H`1q8}m
k 5 )a|
6.7 时序逻辑电路 ]Hg6Mz>Mj
5}Z>N,4
输入、输出缓冲器 `RXlqj#u
7.1 输入缓冲器 z `jLKPP!=
934@Z(aUH
7.2 输入保护电路 "r1
!hfIYf
k/1 S7X[
7.3 输出缓冲器 .q1y)l-^Z
8Oz9 Uc G
7.4 脱片输出驱动级的设计 '}I GV`c
xjD . "q
7.5 三态输出和双向缓冲器 I51I(QF=
u U%Z%O
MOS存储器 s R/y |
8.1 DRAM sf/m@425
4U~'Oa @p
8.2 SRAM W]XM<# ^^
K+"3H e
8.3 ROM和PLD xojt s;n
<@[;IX`YN
MOS IC的版图设计 ^+~ 5\ c*
9.1 VLSI的设计方法 [ r
JY@bD:
9.2 门阵列和标准单元设计方法 %a|Qw(4
\
? 8/r=
9.3 版图设计 ?XP4kjJ
OQ4Pk/-'
SOICMOS简介 #-PMREgO
10.1 SOI CMOS工艺 !3i Za *
\o=9WKc
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 v9FR
A FBH(ms't
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ID`Ot{ y
L)&^Pu
BiCMOS电路 ](v,2(}=
11.1 MOS和双极型器件性能比较 w\ 0vP
""
>Yw/'
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 mdyl;e{0
65JG#^)KaX
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 (9ZW^flY
;?@Rq"*
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 X Db% -
QI U%!9Y
11.5 BiCMOS电路实例 uL- kihV:-
lhJY]tQt/
MOS 逻辑集成电路（续） _Dqi#0#40p
nMOS逻辑集成电路 j^8HTa0Cy|
6-1 电阻负载MOS倒相器 ~PQR_? 1
&&52ji<3
6-2 E/E MOS 倒相器 r}e(MT:R'
M E]7e^
6-3 自举负载MOS 倒相器 .#Z'CZO|
m*HUT V
6-4 E/D MOS 倒相器 BR?DW~7J j
9[*P`*&
6-5 静态MOS电路 1I'}Uh*
I]5){Q" S
CMOS集成电路 .,(x7?
7-1 CMOS 倒相器 }*%=C!m4R!
oNl-! W
7-2 CMOS传输门 d^$cx(2$D
+/n]9l]#h
7-3 静态CMOS 电路 W^ask[46R
7KRNTnd
7-4 CMOS 门电路的设计 X=6L-^ o)
ujX \^c
7-5 CMOS电路中的锁定效应 )PU\|I0|)e
U:MZN[Cc[
动态和准静态MOS电路 5HL>2
e[
8-1 栅电容的电荷存储效应 }l]r-
$1)NYsSH/H
8-2 动态MOS倒相器 tC f@v'1t
SFs T^f<
8-3 动态MOS电路 aOoWB^;6
JL:B4 f%}B
8-4 准静态MOS触发器 x 5U; i
7#*O|t/'
8-5 动态和准静态CMOS电路 \4*i;a.kU
.J5or
MOS集成电路的版图设计 )s 1
Ei 9J
9-1 MOS集成电路的工艺设计 #?\|)y4i
OW> >6zM
9-2 MOS集成电路版图设计 FW<YN;
FEA/}*2F
9-3 MOS集成电路版图设计举例 Qcs0 w(
N9 f; X{
MOS大规模集成电路 k1FG$1.
10-1 LSI电路中的CAD技术 0 j 'k%R[l
G{ |F V
m
10-2 HMOS技术 rk?G[C)2c
n] n3/wpO
10-3 MOS存储器 RAEiIf!3
FEg&EYI
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Wuji'sxTs
r \{; ~V
10-5 半定制逻辑电路 af7\2 g3*
8,(5Q
模拟集成电路 o"A%dC _
模拟集成电路中的特殊元件 uI[lrMQYa
11-1 横向pnp管 T k>N4yq
~4~>; e
11-2 纵向pnp管 V?Zvu9b&
/!0{9F<
11-3 超增益晶体管 t%<d}QuHW
e c`3
Qw
11-4 隐埋齐纳二极管 xlaBOK a%
dPRG L
hWF
11-5 集成电路中的电容器 a|@^ N
Nl1v *9_x
11-6 薄膜电阻器 ~?{@ 0,$
P
A9
]
L
模拟集成电路中的基本单元电路 RyxIJJui
12-1 差分放大器 A`Bg"k:D
~Hs a6F&F
12-2 恒流源电路和有源负载 !W8'apG&[
.y F7{/
12-3 基准源电路 I=pT fkTT
4jrY3gyBX
12-4 模拟开关 O.*, e
|k> _
jO
集成运算放大器 W!z=AL{
13-1 运算放大器的基本概念 !UlG! 820
8fJ- XFK$:
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 <$HP"f+<S5
+B%ZB9
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 dH zo_VV
-2mm
5E~N
13-4 µA741通用型运算放大器 Yt7R[|
C jsy1gA
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 9#.nNv*z3
X) xQKkL0
模拟集成电 Lu6! W
14-1 集成电压
u:3~Ius
INE8 @}e
14-2 D/A转换器 TP[<u-@G
\; }F6g
14-3 A/D转换器 :03w k)
! &Vp5]c
14-4 MOS模拟集成电路 Tz]t.]!&E
lzN\~5 a}
模拟集成电路的版图设计 r:2G 11[
15-1 模拟集成电路版图设计特点 3G
dWq*
Tf) qd\
15-2 模拟集成电路中的相容技术 )"2)r{7:
kqYWa`eE
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 & xo,49`!
nxkbI:+ t
2004.7.7
