华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 Dkayk
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第一篇MOS 逻辑集成电路 y#F( xm+L
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MOS晶体管工作原理 J(ZYoJ
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 y))d[1E
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1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 =Bcwd7+
X=USQj\A
1.3 MOS晶体管的电流方程 1Jg&L~Ws"
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1.4 MOS瞬态特性 /oKa?iT
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MOS器件按比例缩小 9_)*b
2.1 按比例缩小理论 wa-#C,R\_#
HJ?p,V q5_
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 48vKUAzx`
a'u:1C^\
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 Vr@I9W;D#
\=Rw/[lR
2.4 VLSI发展的实际限制 f40 xS7-Q0
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CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 bHZXMUewC
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 _Cn[|E
d|#sgGM<8
3.2 CMOS IC 工艺流程 -XBD WV
= i9|lU"Va
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ncZ5r0
}TE4)vXs
CMOS反相器和CMOS传输门 xc{$=>'G
4.1 CMOS反相器的直流特性 kEiWE|
UP]X,H~stU
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 KYBoGCS >
0}v_u
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4.3 CMOS 反相器的功能 -=5]B ;
&(&5ao)5
4.4 CMOS反相器设计 L-SWs8
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4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 .YOC|\
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4.6 CMOS传输门 BO]}E:C9
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CMOS静态逻辑电路设计 cvSr><(
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 q8 jI
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5.2 CMOS与非门的分析 W<']Q_su
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5.3 CMOS或非门的分析 FQ6jM~
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5.4 CMOS与非门与或非门的设计 U`*L` PM
L`"B;a&
5.5 组合逻辑电路的设计 >U4hsr05
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5.6 类NMOS电路 Fkq;Q
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