华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 O+vuv,gNi
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第一篇MOS 逻辑集成电路 ?m3,e&pB5
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MOS晶体管工作原理 ,DrE4")4
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 n[# !Q`D
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1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 {Lj]++`fB]
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1.3 MOS晶体管的电流方程 jOs&E^">&B
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1.4 MOS瞬态特性 \$o5$/oU(
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MOS器件按比例缩小 P qFK*^)s
2.1 按比例缩小理论 > %5<fK2
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2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 N%Gb
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2.3 不能按比例缩小的参数的影响 /]~Oa#SQ:
RY=B>398:
2.4 VLSI发展的实际限制 qx3@]9
m[~fT(NI
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 4L(/Z}(
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 C*A!`Q?1Y
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3.2 CMOS IC 工艺流程 wO6
D\#
s+{)K
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 9sQ7wlK
NRU&GCVwu
CMOS反相器和CMOS传输门 xVOoYr>O
4.1 CMOS反相器的直流特性 /"w%
?Ea
|G^w2"D_Z
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 <Sm@ !yx
.EJo9s'
4.3 CMOS 反相器的功能 I_|@Fn[>
pY75S5h:
4.4 CMOS反相器设计 n#F:(MSOp
_}4l4
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Uy$1X
.UJp#/EHs
4.6 CMOS传输门 Npq_1L
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CMOS静态逻辑电路设计 ma__LWKM,
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 3[*E>:)qh
OsQB`
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5.2 CMOS与非门的分析 E?,O>bCJ5
yHrYSEM
5.3 CMOS或非门的分析 B.O &