华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 <zqIq9}r
nN&dtjoF
第一篇MOS 逻辑集成电路 N_
ODr]L
R>"pJbS;L
MOS晶体管工作原理 iY`[d
sT
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 J <z
^C
C)m@/w
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 }*J04o$oI
km
BA
1.3 MOS晶体管的电流方程 /mJb$5=1
#.u&2eyqQ
1.4 MOS瞬态特性 . ?#Q(eLj
@8\0@[]
MOS器件按比例缩小 q>%.zc[x
2.1 按比例缩小理论 uLv
Y|mtQE?c
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 %l%ad-V
?ZTA3mV?+
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 }qGd*k0F0
0xi2
VN"X
2.4 VLSI发展的实际限制 "uZ^zV`"
k_1;YOBF
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 Foj|1zJS_
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 KY2z)#/
9[~.{{Y
3.2 CMOS IC 工艺流程 V,B
ol(wY
L5:1dF
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 GS>YfJ&DZ
I<W<;A
CMOS反相器和CMOS传输门 `}ZtK574
4.1 CMOS反相器的直流特性 g9Dynm5
:V6t5I'_
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 ,y0 &E8Z
modem6#x'
4.3 CMOS 反相器的功能 D1ik*mDA=
{qSMJja !t
4.4 CMOS反相器设计 )~xH!%4F
ijcF[bmE
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 butBS
T#e|{ZCbq
4.6 CMOS传输门 iu 0'[
Bs '=YK$
CMOS静态逻辑电路设计 wU/fGg*M2
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 xqDz*V/mD
~4#D
G^5
5.2 CMOS与非门的分析 [\ 0>@j}Z
lkp$rJ#6
5.3 CMOS或非门的分析 W}k/>V_
gLFSZ
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 C!1)3w|
k:mW ,s|a
5.5 组合逻辑电路的设计 Ew;AYZX
Fo0s<YlS-
5.6 类NMOS电路 g%)cyri
Rb^G~82d?
5.7 传输们逻辑电路 ; Ob^@OM
[T3%Xt'4
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 =RM]/O9
GUJ?6;
动态和时序逻辑电路设计 4kK_S.&
6.1 动态逻辑电路的特点 %Yg|QBm|
U9\w)D|+eE
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 1bDXv,nD
&:}WfY!hX
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 XrXW6s;Z
gTLBR
6.4 时钟CMOS(C2MOS) u{sb
^cmy
wq8&2(|Fc
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 _0ZBG(
j(>xP*il
6.6 CMOS触发器 S`TQWWQo;
G2sj<F=AV
6.7 时序逻辑电路 u2[L^]|
:N_DJ51
输入、输出缓冲器 }Q6o#oZ
7.1 输入缓冲器 ?jvuTS 2
v5{2hCdt
7.2 输入保护电路 :FmH=pI!=
lO 0}
7.3 输出缓冲器 hL}ZPHA
tCwB7c-
7.4 脱片输出驱动级的设计 ao|n<*}
}iUpBn
7.5 三态输出和双向缓冲器 ID{XZ
H_aG\
MOS存储器 cHOC>|
8.1 DRAM T)ISDK4>S"
% w
8.2 SRAM 9}4~3_gv;M
N\rL ~4/
8.3 ROM和PLD y3PrLBTz
B`jq"[w]-
MOS IC的版图设计 ki1j~q
9.1 VLSI的设计方法 9^nRwo
M9Nr/jE
9.2 门阵列和标准单元设计方法 2.
{/ls
|y+_BZ5
9.3 版图设计 {2i8]Sp1d/
i` ay9J8N
SOICMOS简介 sNP
;
10.1 SOI CMOS工艺 (=EDqAZg
;BKU
_}k=
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 k_Y7<z0G
-8<vW e
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 f$vTD ak
>Q?8tGfB
BiCMOS电路 aUA)p}/:
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ~l*<LXp8
uU^iY$w
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 evNe6J3
/H3w7QU
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 j2.7b1s
,LxkdV
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 NK(_ &.F
%qTIT?6'
11.5 BiCMOS电路实例 nj0]c`6rN@
x}V&v?1{5
MOS 逻辑集成电路(续) `u PLyS.
nMOS逻辑集成电路 p8?v
o?^
6-1 电阻负载MOS倒相器 het<#3Bo
\<09.q<8
6-2 E/E MOS 倒相器 n${k^e-=
n;Q8Gg2U
6-3 自举负载MOS 倒相器 !\9^|Ef?
kxJ[Bi#
6-4 E/D MOS 倒相器 Im@OAR4,R
Xc}XRKiy{
6-5 静态MOS电路 U V*Ruy-
:."oWqb)
CMOS集成电路 ~1[n@{*: (
7-1 CMOS 倒相器 ( N};.DB1Y
'%XYJ
r:H[
7-2 CMOS传输门 x&0kIF'lq
T<?kH
7-3 静态CMOS 电路 2zW IB[
.9PT)^2
7-4 CMOS 门电路的设计 PPIO<K 3`
g= Vu'p 3u
7-5 CMOS电路中的锁定效应 $T^q>v2u
[|=M<>?[
动态和准静态MOS电路 f:<BUqa
8-1 栅电容的电荷存储效应 wlaPE8Gc
/UK]lP^w]!
8-2 动态MOS倒相器 .hR
<{P
C49\'1\6
8-3 动态MOS电路 ]rH[+t-
'ET];iZ2
8-4 准静态MOS触发器
h-?yed*?
7Y(Dg`8G
8-5 动态和准静态CMOS电路 jS##zC
YZ4`b-
MOS集成电路的版图设计 Hy&Z0W'l
9-1 MOS集成电路的工艺设计 A#
T"4'#?<
$S|+U}]C
9-2 MOS集成电路版图设计 jgIG";:Q
m1Y a
9-3 MOS集成电路版图设计举例 T :d+Qz\
@ztT1?!e
MOS大规模集成电路 J'X}6Q
10-1 LSI电路中的CAD技术 $Z#~wsw
]$r]GVeN}H
10-2 HMOS技术 *m+FMyr
K {v^Y,B
10-3 MOS存储器 >,]a>V
-@"3`u
v"
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 >j hcSvM6
|7c],SHm
10-5 半定制逻辑电路 lt6wmCe
0j!3\=P$
模拟集成电路 v9:J 55x
模拟集成电路中的特殊元件 Sc>mw
11-1 横向pnp管 63=&??4
Q^2dZXk~
11-2 纵向pnp管 n
~ad#iN
[S,$E6&j$"
11-3 超增益晶体管 |> STb\
IdAh)#)
7
11-4 隐埋齐纳二极管 ?m]vk|>
)
~=pt&+
11-5 集成电路中的电容器 7gf(5p5ZV
p
-.kBF
11-6 薄膜电阻器 ;O`f+rG~
-\f7qRW^U
模拟集成电路中的基本单元电路 V*\hGNV
12-1 差分放大器 3 k/E$wOj
3(V0,L'1
12-2 恒流源电路和有源负载 -fA =&$V
}[JB%
12-3 基准源电路 JyE-c}I
,:(s=JN+
12-4 模拟开关 N E9,kWI
hE(R[hc
集成运算放大器 pmB
{b
13-1 运算放大器的基本概念 #E!^oZm<Z
,.9 lz
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 NRtH?&7
L3Y,z3/
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Qa=Y?=Za
9{;L7`<
13-4 µA741通用型运算放大器 /lC# !$9vz
Q ")Xg:
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 h}SZ+G/L
uluAqDz`
模拟集成电 {4 Yxh8
14-1 集成电压 I zTJ7E*i
EF
:g0$
14-2 D/A转换器 5T#v&
e&
`"}^X;I
14-3 A/D转换器 ,VVA^'+
myfTztJ
14-4 MOS模拟集成电路 M6p\QKi
0L/chP
模拟集成电路的版图设计 Cik1~5iF
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Y_[7q<L
aH."|
*.
15-2 模拟集成电路中的相容技术 zF`a:dD$d
q{&c?l*2
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Aeh#
r&8aB85
2004.7.7