华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 F@g17 aa
9`&?hi49nK
第一篇MOS 逻辑集成电路 aXC!t
"";=DH
MOS晶体管工作原理 hMv2"V-X
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 S[Vtq^lU
wXz\NGW
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 )GK+
g#w`J\iz
1.3 MOS晶体管的电流方程 V5~fMsse
lHcA j{6
1.4 MOS瞬态特性 _w
mI(+_
/
\d(c/, 4
MOS器件按比例缩小 DjY8nePyE
2.1 按比例缩小理论 UAdz-)$
grc:Y
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 @`6}`k
Vn^)
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 r|<6Aae&
dIvy!d2l
2.4 VLSI发展的实际限制 7N|
AA^I
Vu%n&uF
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 ^,`M0g\
$
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 CG.,/]_
f9a$$nb3`
3.2 CMOS IC 工艺流程 vTHq)C.7G
1\y@E
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 d+0^u(gc!8
"T7>)fbu
CMOS反相器和CMOS传输门 @7%.7LK
4.1 CMOS反相器的直流特性 \ADLMj`F|
@y5= J`@=
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 Kr]z]4.d@
YQYX,b
4.3 CMOS 反相器的功能 F\-Si!~oOz
p31oL{D
4.4 CMOS反相器设计 7E\g
&R.
<aXoB*Y
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 l
sr?b
Zw#<E
=\
4.6 CMOS传输门 H99xZxHZ{
:3O5ET'1
CMOS静态逻辑电路设计 G|*G9nQ
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 CdL.?^
QZ~0o7
5.2 CMOS与非门的分析 x[x
(y{&~
$UC {"0
5.3 CMOS或非门的分析 Zi*%*
nX
p/&HUQQk
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 3+V#[JBJv
hl]S'yr
5.5 组合逻辑电路的设计
GW/WUzK
9`Vc
5.6 类NMOS电路 RB;BQoGX
oM-[B h]A
5.7 传输们逻辑电路 * |KVN
9.s,:?5e
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ]
\dHU.i
SiTeB)/
动态和时序逻辑电路设计 niz 'b]] +
6.1 动态逻辑电路的特点 X~L!e}Rz
;==j|/ERe
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 zJCEA
VB"(9O]
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 tvpN/p
L!y"d!6C
6.4 时钟CMOS(C2MOS) %/pc=i|+
1EsqQz*$u
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 -_>.f(1
x{hn2]6+eB
6.6 CMOS触发器 Ep ">v>"
g>n0z5&TNF
6.7 时序逻辑电路 ir&.Z5=
#pA[k-
输入、输出缓冲器 eY}V9*.v
7.1 输入缓冲器 >|
m.?{^
lT,+bU
7.2 输入保护电路 .NnGVxc5*
-J?~U2
7.3 输出缓冲器 $$4W}Ug3U
'5rUe\k
7.4 脱片输出驱动级的设计 DsQ/aG9c%
- _t&+5]
7.5 三态输出和双向缓冲器 L|\Diap
[ {cC
MOS存储器 v8'5pLt"
8.1 DRAM *rf$>8~$n
UvB
nf+,
8.2 SRAM TB#Nk5
#{,h@g}W
8.3 ROM和PLD <'2u
a
%g w{[
/[A
MOS IC的版图设计 }4h0bI
9.1 VLSI的设计方法 YoAg
_6rKC*Pe1
9.2 门阵列和标准单元设计方法 dtTlIhh1V
woau'7}XOu
9.3 版图设计 !<r8~A3!(
tcOnM w
SOICMOS简介 5;Ia$lm=y
10.1 SOI CMOS工艺 e/94y6*>
`qu]Pxk
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 MaErx\
&+- e
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 3G
d|YRtk
%wW'!p-<
BiCMOS电路 uV77E*+7\
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ZNL5({lv
>76 |:Nq
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ]!aUT&
\Tkp
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 }]GbUC!Zb
XhA4:t
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 o9+Q{|r
})7K S?
11.5 BiCMOS电路实例 6[+j'pW?
gh61H:t kR
MOS 逻辑集成电路(续) pVz*ZQ[]
nMOS逻辑集成电路 24X=5Aj
6-1 电阻负载MOS倒相器 {u4i*udG`)
y@ . b
4
6-2 E/E MOS 倒相器 AY;<q$8j%,
JWWInuH
6-3 自举负载MOS 倒相器 8]]@S"ZM,\
8_X.c
6-4 E/D MOS 倒相器 oG\>--
|*1xrM:v~
6-5 静态MOS电路 #[(gIOrNn8
2-7Z(7G{ F
CMOS集成电路 ?RJdn]`4j
7-1 CMOS 倒相器
f}blB?e
UO
J*a1BM
7-2 CMOS传输门
!mae^A1
D}Au6
7-3 静态CMOS 电路 -)>(8 f
SctJxY(}!
7-4 CMOS 门电路的设计 8=
pv/o
p9Z].5Pd"
7-5 CMOS电路中的锁定效应 $':JI#
7?,7TR2Ny
动态和准静态MOS电路 ~W3:xnBEk
8-1 栅电容的电荷存储效应 e`;t<7*i
y,V6h*x2
8-2 动态MOS倒相器 y]7%$*
<
ov
bEmb
8-3 动态MOS电路 Ej{+U
F$[)Bd /"
8-4 准静态MOS触发器 D/cg7
^glX1 )
8-5 动态和准静态CMOS电路 <5M_EJp
w"BIv9N
MOS集成电路的版图设计 WX ,p`>n
9-1 MOS集成电路的工艺设计 :Jm!=U%'Z
'!AT
9-2 MOS集成电路版图设计 p%tE v
gt~9"I
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ; 4l
-M2
28ja-1dB
MOS大规模集成电路 :MK:TJV
10-1 LSI电路中的CAD技术 /9P^{OZ;y
-Sx0qi'%
10-2 HMOS技术 4{Q$!O>
zaH
5
Km_j
10-3 MOS存储器 J`4Z<b53
?n2C
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Wa(W&]
dJloH)uJZ>
10-5 半定制逻辑电路 :DDO
=
EK^JLvyT
模拟集成电路 " 98/HzR
模拟集成电路中的特殊元件 UP}feN
11-1 横向pnp管 >ze>Xr'm5=
(qJIu
11-2 纵向pnp管 Um/CR!
uPI v/&HA
11-3 超增益晶体管 <}<#W/
5BrU'NF
11-4 隐埋齐纳二极管 43+EX.c
4 U3C~J
11-5 集成电路中的电容器 2r
%>]y
?$UH9T9)
11-6 薄膜电阻器 -b@v0%Q2M*
qsD?dHi7
模拟集成电路中的基本单元电路 SCgyp(
12-1 差分放大器 ll^Th >
&B?@@6
12-2 恒流源电路和有源负载 5T~3$kuO
98X!uh'
12-3 基准源电路 t8L<x
,h3269$J
12-4 模拟开关 ,O$Z,J4VL
D."cQ<sxpN
集成运算放大器 suA+8}o]
13-1 运算放大器的基本概念 WAtg
%M|Z}2qv
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 MDMtOfe|
i58ZV`Rk`
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ?| D$#{^
lt@
13-4 µA741通用型运算放大器 LXBbz;vYl
`4q5CJ
2
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 aK8bKlZe
#Tr;JAzVjG
模拟集成电 [5>S-Z
14-1 集成电压 BNAguAxWo
0EL\Hd
14-2 D/A转换器 {:};(oz)f
;n( #b8r9
14-3 A/D转换器 4A\BGD*5
|<|28~#
14-4 MOS模拟集成电路 WUE)SVf
]jVIpGM
模拟集成电路的版图设计 t*Z .e.q+
15-1 模拟集成电路版图设计特点 !$:0E
y(S
Hrd5p+j
15-2 模拟集成电路中的相容技术 }aHB$}"!
ql#{=oGDnA
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 8]cv &d1f
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2004.7.7