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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 O+vuv,gNi  
r+8%oWj  
第一篇MOS 逻辑集成电路 ?m3,e&pB5  
N* .JQvbnr  
MOS晶体管工作原理 ,DrE4")4  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 n[#!Q`D  
`TNW LD@Z  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 {Lj]++`fB]  
~m~<xtoc  
1.3 MOS晶体管的电流方程 jOs&E^">&B  
`9;:mR $  
1.4 MOS瞬态特性 \$o5$/oU(  
=n_r\z  
MOS器件按比例缩小 PqFK*^)s  
2.1 按比例缩小理论 > %5<fK2  
$Z Sjq  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 N%Gb  
m Cvgs  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 /]~Oa#SQ:  
RY=B>398:  
2.4 VLSI发展的实际限制 qx3@]9  
m[~fT(NI  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 4L(/Z}(  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 C*A!`Q?1Y  
};5d>#NK,Y  
3.2 CMOS IC 工艺流程 wO6 D\#  
s+{)K  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 9sQ7wlK  
NRU&GCVwu  
CMOS反相器和CMOS传输门 xVOoYr>O  
4.1 CMOS反相器的直流特性 /"w% ?Ea  
|G^w2"D_Z  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 <Sm@ !yx  
.EJo 9s'  
4.3 CMOS 反相器的功能 I_|@Fn[>  
pY75S5h:  
4.4 CMOS反相器设计 n#F:(MSOp  
_}4l4  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Uy  $1X  
.UJp#/EHs  
4.6 CMOS传输门 Npq_1L  
?)x"+[2  
CMOS静态逻辑电路设计 ma__LWKM,  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 3[*E>:)qh  
OsQB` D  
5.2 CMOS与非门的分析 E?,O>bCJ5  
yHrYSEM  
5.3 CMOS或非门的分析 B.O &KRo  
b/>L}/^PM  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 F#<$yUf%  
FVi7gg.?  
5.5 组合逻辑电路的设计 ZboY]1L[j  
>M`ryM2=D  
5.6 类NMOS电路 /j}"4_. 8  
@Kl'0>U  
5.7 传输们逻辑电路 0+H4sz%.  
Wzm!:U2R*  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 =Fu~ 0Wc  
w-2?|XvDmf  
动态和时序逻辑电路设计 +;@p'af!9  
6.1 动态逻辑电路的特点 x'OYJ>l|  
}{3XbvC  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 M.*3qWM  
c N]e{|  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 Imv ]V6"D=  
Qj:`[#3?2  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) .|Ee,Un  
N,oN3mFF  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 /8$*{ay  
cq?&edjP  
6.6 CMOS触发器 7ThGF  
PF6w'T 5  
6.7 时序逻辑电路 /kK% }L_D  
,o?yS>L_r  
输入、输出缓冲器 czp .q  
7.1 输入缓冲器 y?r:`n  
w%Bo7 'o)V  
7.2 输入保护电路  + f+#W  
#<4/ *< 5  
7.3 输出缓冲器 z]\CI:  
+DpiX&^h   
7.4 脱片输出驱动级的设计 )|Il@unp/  
?J1x'/G  
7.5 三态输出和双向缓冲器 -\2T(3P  
#JLxM/5^1~  
MOS存储器 Uiz#QGt  
8.1 DRAM <dd(i  
0=,vdT  
8.2 SRAM ~?BN4ptc  
!.^%*6f  
8.3 ROM和PLD N8-!}\,  
?F! ='6D}b  
MOS IC的版图设计 Wu\szI"  
9.1 VLSI的设计方法 z4UJo!{S  
jQ 'r};;  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 :VB{@ED  
> ]()#z  
9.3 版图设计 K9@F1ccQ/  
HpQuro'Qh  
SOICMOS简介 L6jD4ec8  
10.1 SOI CMOS工艺 c-ud $0)c  
p^yuz (  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 VD).UdUn  
Kj+=?R~}S  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 |oL}c!0vs  
;%/Kh :Vg  
BiCMOS电路 hh$V[/iK  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 3<L>BakD  
7w_cKR1;  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 YgFmJ.1  
`RriVYc<  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 6n  
h\@\*Xz<v  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 &.ENcEic  
&/}reE*  
11.5   BiCMOS电路实例 t[yu3U  
G';yb^DB  
MOS 逻辑集成电路(续) ^/H9`z;  
nMOS逻辑集成电路 ;B,6v P#  
6-1 电阻负载MOS倒相器 2c Pd$j  
Yr\pgK,  
6-2 E/E MOS 倒相器 f7mN,_Lt  
v*&WxP^Gm  
6-3 自举负载MOS 倒相器 \@3B%RW0  
"G&S`8  
6-4 E/D MOS 倒相器 iFypKpHg~  
L7}dvdtZ0  
6-5 静态MOS电路 m4=[e!  
6hW ~Q  
CMOS集成电路 h !yu. v  
7-1 CMOS 倒相器 Hw(_l,Xf  
zn=Ifz)#|  
7-2 CMOS传输门 =.sg$VX  
I 19 /  
7-3 静态CMOS 电路 Q|gRBu  
(pU@$H  
7-4 CMOS 门电路的设计 b `7vWyp  
4=Wtv/ 3  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 n.323tNY  
n B5:X  
动态和准静态MOS电路 E6=JL$"  
8-1 栅电容的电荷存储效应 f4h|Nn%;  
24}?GO  
8-2 动态MOS倒相器 b,k%n_&n  
Ub(8ko:8$  
8-3 动态MOS电路 {#Lj,o  
$wQkTx  
8-4 准静态MOS触发器 "\n,vNk  
<#[_S$54  
8-5 动态和准静态CMOS电路 FLqF!N\G  
&V$qIvN$  
MOS集成电路的版图设计 &?#,rEw<x  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 cIm_~HH  
gG 9e.++:  
9-2 MOS集成电路版图设计 5Oa`1?C1  
"5 /i  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 = u*\P!$  
)YKnFSm  
MOS大规模集成电路 ^tw\F7  
10-1 LSI电路中的CAD技术 )r9l T*z  
ed=pRb  
10-2 HMOS技术 go6XUe  
 ]\qbe  
10-3 MOS存储器  .IO_&^  
sQ)D.9\~  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 v>p UVM  
ZQ%4]=w  
10-5 半定制逻辑电路 ^P NE6  
MRI`h.  
模拟集成电路 d) {o#@  
模拟集成电路中的特殊元件 E8Rk b}  
11-1 横向pnp管 ![>j`i  
z'W8t|m}Pb  
11-2 纵向pnp管 mMz^I7$  
EAdr}io  
11-3 超增益晶体管 zZhAH('fG  
_#jR6g TY  
11-4 隐埋齐纳二极管 aX)k (*|  
_gLj(<^9  
11-5 集成电路中的电容器 *-zOQ=Y  
' )0eB:  
11-6 薄膜电阻器 2b[R^O}   
e"){B  
模拟集成电路中的基本单元电路 hHu?%f*  
12-1 差分放大器 ^#V7\;v$G  
bXx2]E227  
12-2 恒流源电路和有源负载 6JCq?:#ab  
y5p)z"  
12-3 基准源电路 vi4lmkyh^  
Z [aKic  
12-4 模拟开关 3YFbT Z  
'Avp16zg  
集成运算放大器 :Sd"~\N+  
13-1 运算放大器的基本概念 Y*KP1=Md  
d:_3V rRZ  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 fx"~WeVcO  
2qN|<S&  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 >$g+Gx\v4  
TA~FP#.  
13-4 µA741通用型运算放大器 ^@4$O|3Wh'  
Za>0&Fnf  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 l_1y#B-k5  
;;Y>7Kn!u  
模拟集成电 egd%,`  
14-1 集成电压 0o>l+c  
k7R}]hq]""  
14-2 D/A转换器 j@98UZ{g\  
Xh[02iL-  
14-3 A/D转换器 L+]|-L`S  
(9A`[TRwi  
14-4 MOS模拟集成电路 5RUhrE   
~R$Ko(N  
模拟集成电路的版图设计 PI thv [F  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Tg-HR8}X  
?%]?#4bkc  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 8euh]+  
N+V_[qr#  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 H+O^el  
8K;wX%_,  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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