华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 `bV&n!Y_
0k5 uqGLXe
第一篇MOS 逻辑集成电路 [742s]j
w?8\9\ ;?
MOS晶体管工作原理 ] `q]n
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 w 2U302TZ
Pe\Obd8d
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 A*/8j\{n
c1a$J`
1.3 MOS晶体管的电流方程 \ %MsG
-L6CEe
1.4 MOS瞬态特性 /!;v$es
S
i0+e3!QU
MOS器件按比例缩小 7mXXMm
2.1 按比例缩小理论 z'1%%.r;FM
S|@/"?DC
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 xqY'-Hom
,3-^EfccW
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 C'gv#!Q
uHmvHA~/c8
2.4 VLSI发展的实际限制 -K8F$\W
|sFd5X
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 ir{
4 k
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 E N/t5d
$YY{|8@kjv
3.2 CMOS IC 工艺流程 m`q&[:
5|pF*8*
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 }
d8\ Jg
1t^9.!$@y
CMOS反相器和CMOS传输门 ,
!%E\`
4.1 CMOS反相器的直流特性
~@-r
~$[fG}C.K
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 -D=Sj@G
j}
^3v #
4.3 CMOS 反相器的功能 hjFht+j1
C^B $_?
4.4 CMOS反相器设计 ly6zz|c5
o CI\yp@a
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 |Z2"pV
&Q}%b7
4.6 CMOS传输门 lfC]!=2%~8
n9 J{f"`m
CMOS静态逻辑电路设计 U2 W Hs3
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 !|u ?z%
2@2d
|
5.2 CMOS与非门的分析 [' pO=ho
U Xpp1/d|e
5.3 CMOS或非门的分析 u
"k<
N|.3
Qb/:E}h]$
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 T=M##`jP%
AgSAjBP
5.5 组合逻辑电路的设计 ~;Y Tz
"qR, V9\
5.6 类NMOS电路 2=8PA/
9Scg:}Nj
5.7 传输们逻辑电路 ,~ZD"'*n6g
$*%,
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 Jx}-Y*
o
"P(obk
动态和时序逻辑电路设计 v)_FiY QQ6
6.1 动态逻辑电路的特点 Y.Z:H!P);$
~KkC089D
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 5to a@#Bc%
t ;h`nH[
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 {en'8kS
a <?~1pWtc
6.4 时钟CMOS(C2MOS) l}VE8-XB
zN[&
iKf
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 E/%"%&`8j
C]5 kQ1Og
6.6 CMOS触发器 #*_!Xc9f
?-mOAHW0q
6.7 时序逻辑电路 [NO4Wzc
^ `Ozw^~
输入、输出缓冲器 At=d//5FFP
7.1 输入缓冲器 GK'p$`
oJm
b=:u d[h
7.2 输入保护电路 4FRi=d;mP
-X$EE$:
7.3 输出缓冲器 U iH7
j`RG Moq
7.4 脱片输出驱动级的设计 0,ryy,2
Yr-S lO>
7.5 三态输出和双向缓冲器 lN g){3
q q&U)-`
MOS存储器 3_XLx{["'
8.1 DRAM jmr
.gW
t
s Uu
8.2 SRAM <.4(#Ebd
<F0^+Pf/
8.3 ROM和PLD [q[37;ZEQ
")uKD q
MOS IC的版图设计 $]E+E .P
9.1 VLSI的设计方法 ~KS@Ulrox
pK3A/ry<
9.2 门阵列和标准单元设计方法 .@OQ$ D <
2'S&%Uy P
9.3 版图设计 VmPh''Z%-
uM[|>t
SOICMOS简介 )x/#sW%)
10.1 SOI CMOS工艺 8~C}0H
*GE6zGdN
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ?{f6su @rW
'1b 1N 5~
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 L4/ns@e
$"/l*H\h
BiCMOS电路 KUZi3\p9W>
11.1 MOS和双极型器件性能比较 I8J>>H'#A
Zwc&4:5%
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ~3:hed7:
N zQvciJ@"
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ip
tA#<Yj
O pu*i
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 *P*~CHx>
,nteIR'??
11.5 BiCMOS电路实例 K _VIk'RB
_ D4qnb@
MOS 逻辑集成电路（续） s|<n7 =J
nMOS逻辑集成电路 {"Sv~L|J;
6-1 电阻负载MOS倒相器 ]gPx%c
#1 J ,!seJ
6-2 E/E MOS 倒相器 @
,X/W f
lF(v<drkB
6-3 自举负载MOS 倒相器 cF15Mm2
#( 614-r/
6-4 E/D MOS 倒相器 k(H]IL L
q$" u<
6-5 静态MOS电路 ) 'n@A% B
3:jxr
CMOS集成电路 3\m !
7-1 CMOS 倒相器 rwj+N%N
NHyUHFY
7-2 CMOS传输门 Z]b ;%:>=
QO;Dyef7b
7-3 静态CMOS 电路 N:U}b1$L6
=p.avAuSn
7-4 CMOS 门电路的设计 xbCR4up S
V6dq8Z"h
7-5 CMOS电路中的锁定效应 %_s)Gw&sq
D 1y`J&A>Q
动态和准静态MOS电路 bxh-#x
&
8-1 栅电容的电荷存储效应 I=&i &6v8G
PR|z -T
8-2 动态MOS倒相器 ?QffSSj[s
P ,] ./m\J
8-3 动态MOS电路 Ti )Me-g
z# &1>
8-4 准静态MOS触发器 *ilh/Hd>
Ld.9. d]
8-5 动态和准静态CMOS电路 $>
#0RzU
m BvO<?ec
MOS集成电路的版图设计 Eo J\Jk
9-1 MOS集成电路的工艺设计 rGNa[1{kRs
H'#06zP>5
9-2 MOS集成电路版图设计 ,(q]
$eOZ
4#> Z.sf
9-3 MOS集成电路版图设计举例 rtAPkXJFM
lv/im/]v
MOS大规模集成电路 j17h_ a;
10-1 LSI电路中的CAD技术 =cV|o]
%2dzx[s
10-2 HMOS技术 sm'_0EUg
B /uaRi%
10-3 MOS存储器 P ` @Rt
U%bm{oVn
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 *;}xg{@
5QK%BiDlr
10-5 半定制逻辑电路 +pG+ xI
"9'3mmZm=?
模拟集成电路 db,?b>,EE
模拟集成电路中的特殊元件 T1$
p%yQH
11-1 横向pnp管 ?xv."I%
nxV!mh_
11-2 纵向pnp管 6oLOA}q
.n8O 3V
11-3 超增益晶体管 #z >I =gl
ByP<-Deh
11-4 隐埋齐纳二极管 \E,2VM@6
= YVxQj
11-5 集成电路中的电容器 !;8Y?c-D
eY #^vB
11-6 薄膜电阻器 X<IW5*
40MKf/9
模拟集成电路中的基本单元电路 'z,kxra|n
12-1 差分放大器 ]cP%d -x}
*w0|`[P+h
12-2 恒流源电路和有源负载 @!oN]0`F;
I,#E`)
12-3 基准源电路 \?t8[N\_[(
U [3w9
12-4 模拟开关 mK $E&,OkA
KRlJKd{
集成运算放大器
y
_ap T<P
13-1 运算放大器的基本概念 {sB-"NR`K
\EU3i;BNT%
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 w ^8Q~ 3|7
*:
d ``L
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 +|bmUm<2
_Zav Y<6
13-4 µA741通用型运算放大器 ){P`-ZF
(BtU\ f#d
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 9~j "6wS
TJRp/BP
模拟集成电 KO
8vUR*2R
14-1 集成电压 p' ^}J$
j%3 $ytf|p
14-2 D/A转换器 **__&X p1
vM5I2C3_>!
14-3 A/D转换器 *-]k([wV
|% 8t.Z
14-4 MOS模拟集成电路 gYbvCs8O!
YhglL!p
C
模拟集成电路的版图设计 *g}==o `
15-1 模拟集成电路版图设计特点 zx "EAF{
]b}3f<
15-2 模拟集成电路中的相容技术 =3h
Jti9[
sCy.i/y
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Bz ,D4 E$
7Y~5gn
2004.7.7
