华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 wQ@Zw bx
)eVzS j>MT
第一篇MOS 逻辑集成电路 0= 2H9v
Rz)v-Yu
MOS晶体管工作原理 =7#
u+*Yr9
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 B$@1QG
/nwxuy
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 D\@e{.$MZ|
xAeZ7. Q&
1.3 MOS晶体管的电流方程 H^ESA s6
Y!bpOa&
1.4 MOS瞬态特性
b$PT_!d
K<D`(voL
MOS器件按比例缩小 +Kxe ymwr2
2.1 按比例缩小理论 N'htc C
?f(pQy@V
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 9Ilfv
U f= vs(
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 Z83q-
y>DfM5>
2.4 VLSI发展的实际限制 A9NOeE
H(
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 d/"gq}NT
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Gw{Gt]liq
=>gyc;{2K<
3.2 CMOS IC 工艺流程 Bl>_&A)
Oz"@yL}
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 `V?x
x q\
x.
j Yip
CMOS反相器和CMOS传输门 9^6|ta0;0
4.1 CMOS反相器的直流特性 $)kk8Q4 +K
Q
`J,dzY
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 o=mq$
Z:}
T4%i`<i
4.3 CMOS 反相器的功能 r[C3u[
S!`4 Bl
4.4 CMOS反相器设计 :F!dTD$
Y yQf
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 $@+p~ )r(l
|r)>bY7
4.6 CMOS传输门 N"q+U CRC
sRo<4U0M;l
CMOS静态逻辑电路设计 2n-Tpay0
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 *:fw6mnJ#
Nqo#sBS
5.2 CMOS与非门的分析 H{
Y5YTg]
{2'74
5.3 CMOS或非门的分析 +O.&64 (
9T bS>o
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 dw{#||
e4>L@7
5.5 组合逻辑电路的设计 XNkQk0i;g&
Ww CK K
5.6 类NMOS电路 -Y
6.?z
$BR=IYby
5.7 传输们逻辑电路 ^
2Fs)19R
}Uq
a8&
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 KL:6P-3
}jyS\drJ
动态和时序逻辑电路设计 f!uA$uL c
6.1 动态逻辑电路的特点 {'=Nb
5F
O0=, &=i
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 %Zv(gI`A
Z@c 0(ol
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 U~){$kpI#
6b+ Wl Ib
6.4 时钟CMOS(C2MOS) p0y0T|H^
upEPv
.h
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 WV !kA_
@6i8RmOu}
6.6 CMOS触发器 iuU3*yyn
/F8\%l+
6.7 时序逻辑电路 \$~ oH3m&
wTMHoU*>
输入、输出缓冲器 eB/ hyC1
7.1 输入缓冲器 # iqhm,u7D
ad3z]dUZ9
7.2 输入保护电路 h2/1S{/n]
L9un hx
7.3 输出缓冲器 K^cWj_a"
hO<w]jV,
7.4 脱片输出驱动级的设计 (HV~ '5D
{,-5k.P[
7.5 三态输出和双向缓冲器 FOUs=
E[
oN6*WN t J
MOS存储器 B,m$ur#$
8.1 DRAM d;jJe0pH
<{z 3p:\
8.2 SRAM D'sboOY
B 1ZHV^
8.3 ROM和PLD m|c WX "#g
PHiX:0zT
MOS IC的版图设计 L};;o+5uJD
9.1 VLSI的设计方法 MCrO]N($b
ao" ; 5 m
9.2 门阵列和标准单元设计方法 ";Ig %]
x V 1Z&l
9.3 版图设计 ?D^,K`wY=B
) }it,<
SOICMOS简介 7%"\DLA
10.1 SOI CMOS工艺 @Jn:!8U0
Y /ac}q
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 -x%`Wv@L
eN?P) ,
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 aaD$'Y,<>B
U!I_i*: U
BiCMOS电路 \gz
wsT2&
11.1 MOS和双极型器件性能比较 `0G. Y
>8fz ?A
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 Qx,$ )|_
eP)Y Je 3
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 6ewOZ,"j"4
%FI6\ |`M
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较
6p6Tse]
V?J,ab$X #
11.5 BiCMOS电路实例 <C96]}/ ?
N[bf.5T
MOS 逻辑集成电路（续） 6.
7 Kp
nMOS逻辑集成电路 Y& !]I84]
6-1 电阻负载MOS倒相器 lgqL)^8A
F*]
.
6-2 E/E MOS 倒相器 {2clOUi
@N_H]6z4
6-3 自举负载MOS 倒相器 HN~4-6[q
ee0>B86tE
6-4 E/D MOS 倒相器 z*~ PY At
4kF .
6-5 静态MOS电路 p'!,F; xX
@>nk^ l
CMOS集成电路 bnY8.Lpf|
7-1 CMOS 倒相器 (D h;=xG
W
(c\$2`
7-2 CMOS传输门 V;]V wsZ"
`b`52b\6S
7-3 静态CMOS 电路 C^=gZ
6m
~(L + 4]
7-4 CMOS 门电路的设计 m:Cx~
9.#R ?YP$
7-5 CMOS电路中的锁定效应 A'-YwbY
YIUm Cx0a
动态和准静态MOS电路 i{[H
3 p8
8-1 栅电容的电荷存储效应 r_sl~^* :
u,SZ-2K!7~
8-2 动态MOS倒相器 s l
@6
'<D}5u7 2
8-3 动态MOS电路 poFjhq
/#(
7.rZ%1N
8-4 准静态MOS触发器 $v@$ oPmMj
Q09~vFBg
8-5 动态和准静态CMOS电路 2#M:J gWV
afq
+;Sh
MOS集成电路的版图设计 QjN3j*@
9-1 MOS集成电路的工艺设计 [y;ZbfMP|o
-mo
'
$1
9-2 MOS集成电路版图设计 yzb &
MJpTr5Vs
9-3 MOS集成电路版图设计举例 c;}n=7,>:L
9] ,"AjD
MOS大规模集成电路 BW=6gZ_
10-1 LSI电路中的CAD技术 i j;'4GzQL
\1 D,Kx;Cb
10-2 HMOS技术 sc>)X{eb
2czL 1Ci
10-3 MOS存储器 =C1Qo#QQ%
Y,}43a0A
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ,?~,"IQyi[
irj}:f;!eF
10-5 半定制逻辑电路 Vzm7xl [
8@
g
D03
模拟集成电路 4<Y[L'UaA@
模拟集成电路中的特殊元件 I3b-uEHev
11-1 横向pnp管 *X5LyO3-gP
iqP0=(^m
11-2 纵向pnp管 uW_ /7ex
V t;&2v
11-3 超增益晶体管 \9Zfu4WR
Y %8QFM
11-4 隐埋齐纳二极管 me\)JCZpb{
?KW?]
o
11-5 集成电路中的电容器 sRI8znus
/^ 7
9|$E
11-6 薄膜电阻器 >pHvBFa3G
h0}-1kVT^
模拟集成电路中的基本单元电路 Py<
vN!
12-1 差分放大器 t2 <(by!
b~echOj
12-2 恒流源电路和有源负载 1h{_v!X
^>u GbhBp
12-3 基准源电路 w=2 X[V}
(b!DJ;(O9
12-4 模拟开关 -ZJ :<
H-lRgJdc
集成运算放大器 LnIJ w D
13-1 运算放大器的基本概念 FiL
JF!
5J3kQ;5Q?
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 oaE3Aa
rR;Om1 -,
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 " WL
IC~D?c0H:
13-4 µA741通用型运算放大器 r&;AG@N/
](pD<FfS]'
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 E ..[F< 5
E"!*A SN
模拟集成电 Atw^C+"vW&
14-1 集成电压 "m5ZZG#R`
K`3cH6"L6
14-2 D/A转换器 j>zVC;Sj*
, " v%
14-3 A/D转换器 1??RX}8[L+
eS|p3jk;
14-4 MOS模拟集成电路 >6j` ZWab>
52,a5TVG
模拟集成电路的版图设计 %iNDRLR%I
15-1 模拟集成电路版图设计特点 3 -FNd~ %
TvR 2lP
15-2 模拟集成电路中的相容技术 gS ]'^Sr
$? YkgK
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 + h&V;
z? ^p(UH
2004.7.7
